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基于密度泛函理論的非平衡態(tài)計(jì)算

鴻之微 ? 來(lái)源:鴻之微 ? 作者:鴻之微 ? 2022-10-09 15:51 ? 次閱讀

Nanodcal是一款基于非平衡態(tài)格林函數(shù)-密度泛函理論(NEGF - DFT)的第一性原理計(jì)算軟件,主要用于模擬器件材料中的非線(xiàn)性、非平衡的量子輸運(yùn)過(guò)程,是目前國(guó)內(nèi)擁有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的基于第一性原理的輸運(yùn)軟件。可預(yù)測(cè)材料的電流 - 電壓特性、電子透射幾率等眾多輸運(yùn)性質(zhì)。

迄今為止,Nanodcal 已成功應(yīng)用于1維、2維、3維材料物性、分子電子器件、自旋電子器件、光電流器件、半導(dǎo)體電子器件設(shè)計(jì)等重要研究課題中,并將逐步推廣到更廣闊的電子輸運(yùn)性質(zhì)研究的領(lǐng)域。

本期將給大家介紹Nanodcal半導(dǎo)體器件3.1.2.1-3.1.2.3的內(nèi)容。

3.1.2. 非平衡態(tài)計(jì)算

3.1.2.1. 自洽計(jì)算

在平衡態(tài)的中心區(qū)目錄下建立1.6v的偏壓自洽輸入文件,進(jìn)行非平衡態(tài)的自洽計(jì)算,計(jì)算步驟見(jiàn)1.1.2.3中心區(qū)自洽計(jì)算步驟。nscf.input文件如下:

265d9c0c-479d-11ed-a3b6-dac502259ad0.png

等待計(jì)算完畢后點(diǎn)擊jobManager所示界面中的Action下的下載按鈕下載NanodcalObject.mat文件。

3.1.2.2. IV曲線(xiàn)計(jì)算

(1)建立nanodcal計(jì)算IV曲線(xiàn)的輸入文件,如下:

Simulator→Nanodcal→Analysis→IVcurve→->→Generatefile。

參數(shù)默認(rèn),產(chǎn)生能帶計(jì)算的輸入文件IVcurve.input,同樣,右擊打開(kāi)open with,可查看,如下:

27093e40-479d-11ed-a3b6-dac502259ad0.jpg

(2)IV曲線(xiàn)計(jì)算:與自洽計(jì)算步驟一樣,選中IVcurve.input右擊run。

等待計(jì)算完畢后點(diǎn)擊Job Manager所示界面中的Action下的下載按鈕下載CurrentVoltageCurves.mat、CurrentVoltageCurves.fig、CurrentVoltageCurves.xml文件。

(3)依次對(duì)偏壓0.2V,0.4V,0.6V,0.8V,1.6V,-0.2V,-0.4V的體系進(jìn)行電流計(jì)算,算出數(shù)據(jù)如下:

2738b044-479d-11ed-a3b6-dac502259ad0.jpg

275d2c8a-479d-11ed-a3b6-dac502259ad0.png

3.1.2.3. 投影局域態(tài)密度計(jì)算

(1)在中心區(qū)的計(jì)算目錄下準(zhǔn)備輸入文件:DensityOfStates.input,Simulator→Nanodcal→Analysis→DensityOfStates→->→Generatefile。參數(shù)設(shè)置如下:

277ebf94-479d-11ed-a3b6-dac502259ad0.jpg

(2)連接Nanodcal服務(wù)器計(jì)算:見(jiàn)1.2.1.1做電極的自洽計(jì)算。

根據(jù)計(jì)算需要設(shè)置節(jié)點(diǎn)等參數(shù)后點(diǎn)擊save按鈕保存相應(yīng)的pbs腳本,然后點(diǎn)擊run進(jìn)行計(jì)算。

等待計(jì)算完畢后點(diǎn)擊JobManager所示界面中的Action下的下載按鈕下載DensityOfStates.mat、DensityOfStates.fig、DensityOfStates.xml文件。

(3)可視化

在DeviceStudio的ProjectExplorer區(qū)域選中計(jì)算結(jié)果文件DensityOfStates.xml→右擊→ShowView,如下圖:

27a57b70-479d-11ed-a3b6-dac502259ad0.png

圖 3-12:

和零偏壓相比,-1.5 eV處的共振分裂成了兩個(gè),分別位于-0.8和-2 eV,這個(gè)現(xiàn)象在透射譜上也可以看到。此外,我們還可以注意到-0.8的峰接近右側(cè)電極,-2.0 eV處的峰接近左側(cè)電極。這種分裂來(lái)源于分子區(qū)域的電勢(shì)降落(有外加偏壓時(shí))。

審核編輯:彭靜
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原文標(biāo)題:產(chǎn)品教程|Nanodcal分子電子學(xué)(分子器件模擬04)

文章出處:【微信號(hào):hzwtech,微信公眾號(hào):鴻之微】歡迎添加關(guān)注!文章轉(zhuǎn)載請(qǐng)注明出處。

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