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構(gòu)筑高效且穩(wěn)定的埋底異質(zhì)結(jié)助力鈣鈦礦電池光穩(wěn)定性?

DT半導體 ? 來源:DT半導體 ? 作者:DT半導體 ? 2022-12-02 10:34 ? 次閱讀

金屬鹵化物鈣鈦礦太陽電池因其低成本、高效率的優(yōu)勢,獲得了廣泛的關(guān)注。然而,其使用壽命較短成為實用化的瓶頸。埋底界面是鈣鈦礦太陽電池受光面,持續(xù)光照下易遭到破壞。此外,埋底界面也會影響鈣鈦礦的晶體質(zhì)量。因此,構(gòu)筑高效且穩(wěn)定的埋底異質(zhì)結(jié)是實現(xiàn)長期快速電荷抽取的關(guān)鍵。

近日,王言博、韓禮元教授在國際高水平期刊Advanced Energy Materials發(fā)表了鈣鈦礦太陽電池穩(wěn)定性的最新進展。王言博和韓禮元教授為論文的通訊作者,博士生張才益為第一作者。

該工作觀測到反式鈣鈦礦器件在持續(xù)光照下,其埋底界面會優(yōu)先出現(xiàn)孔洞,從而誘發(fā)整體器件的降解。這一問題主要是由于鈣鈦礦下界面存在大量未配位碘離子,在強光照下易捕獲光生空穴,生成碘單質(zhì)。為解決這一問題,團隊在埋底界面引入多種鹵代苯甲酸分子。苯甲酸分子的羧基可與氧化鎳空穴傳輸層表面羥基配位,鈍化空穴傳輸層的同時,使得小分子牢固錨定在空穴傳輸層上。另一側(cè)的鹵素原子則可與未配位的碘離子形成鹵鍵,其中4-碘-2,3,5,6-四氟苯甲酸分子形成的鹵鍵最強,實現(xiàn)了未配位碘離子的高效鈍化,抑制了碘單質(zhì)的生成。此外,高定向的鹵鍵可有效誘導鈣鈦礦晶體的取向生長,加速器件內(nèi)部載流子輸運。最終,基于該高效穩(wěn)定的埋底異質(zhì)結(jié),封裝器件在持續(xù)的1個標準太陽光照下1000小時后仍保持初始效率的91.86%,光電轉(zhuǎn)換效率達到22%以上。

該項成果為鈣鈦礦太陽電池穩(wěn)定異質(zhì)結(jié)的構(gòu)筑提供了新的思路,對于推進鈣鈦礦太陽電池穩(wěn)定性發(fā)展具有重要意義。

圖1 穩(wěn)定異質(zhì)結(jié)構(gòu)筑示意圖與鹵鍵表征

圖2 光照條件下埋底界面降解的觀測與穩(wěn)定異質(zhì)結(jié)的效果

圖3 鹵鍵對鈣鈦礦晶體取向的影響

圖4 反式鈣鈦礦太陽電池的性能

審核編輯:郭婷

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原文標題:王言博&韓禮元教授|鹵鍵構(gòu)筑穩(wěn)定埋底異質(zhì)結(jié)助力鈣鈦礦電池光穩(wěn)定性?

文章出處:【微信號:DT-Semiconductor,微信公眾號:DT半導體】歡迎添加關(guān)注!文章轉(zhuǎn)載請注明出處。

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