鎖相環(huán) (PLL) 電路存在于各種高頻應(yīng)用中,從簡(jiǎn)單的時(shí)鐘清理電路到用于高性能無(wú)線電通信鏈路的本振 (LO),再到矢量網(wǎng)絡(luò)分析儀 (VNA) 中的超快速開(kāi)關(guān)頻率合成器。本文解釋了鎖相環(huán)電路的一些構(gòu)建模塊,并參考了每種應(yīng)用,以幫助指導(dǎo)新手和鎖相環(huán)專家導(dǎo)航器件選擇以及每種不同應(yīng)用固有的權(quán)衡取舍。本文引用了ADI公司的ADF4xxx和HMCxxx系列PLL和壓控振蕩器(VCO),并使用ADIsimPLL(ADI公司內(nèi)部PLL電路仿真器)來(lái)演示這些不同的電路性能參數(shù)。
基本配置:時(shí)鐘清理電路
在最基本的配置中,鎖相環(huán)比較參考信號(hào)的相位(F裁判)到可調(diào)反饋信號(hào)(RF)的相位在) F0,如圖 1 所示。在圖2中,有一個(gè)在頻域中工作的負(fù)反饋控制環(huán)路。當(dāng)比較處于穩(wěn)態(tài),并且輸出頻率和相位與誤差檢測(cè)器的輸入頻率和相位匹配時(shí),我們說(shuō)PLL被鎖定。出于本文的目的,我們僅考慮在ADI公司ADF4xxx系列PLL上實(shí)現(xiàn)的經(jīng)典數(shù)字PLL架構(gòu)。
該電路中的第一個(gè)基本元件是鑒頻鑒相器(PFD)。PFD 將輸入的頻率和相位與 REF 進(jìn)行比較在反饋給RF的頻率和相位在.ADF4002是一款PLL,可配置為獨(dú)立PFD(反饋分壓器N = 1)。因此,它可以與高質(zhì)量壓控晶體振蕩器(VCXO)和窄低通濾波器一起使用,以清除嘈雜的REF在時(shí)鐘。
數(shù)字。1 個(gè)基本 PLL 配置。
圖2.基本鎖相環(huán)配置。
相位頻率檢測(cè)器
圖3.鑒頻鑒相器。
圖3中的鑒頻檢波器將輸入與F進(jìn)行比較裁判在 +IN 處,反饋信號(hào)在 –IN 處。它使用兩個(gè)帶有延遲元件的 D 型觸發(fā)器。一個(gè) Q 輸出使能一個(gè)正電流源,另一個(gè) Q 輸出使能一個(gè)負(fù)電流源。這些電流源稱為電荷泵。有關(guān)PFD操作的更多詳細(xì)信息,請(qǐng)參閱“高頻接收器和發(fā)射器的鎖相環(huán)”。
采用這種架構(gòu)時(shí),下面+IN的輸入頻率高于–IN(圖4),產(chǎn)生的電荷泵輸出泵浦電流很高,當(dāng)集成在PLL低通濾波器中時(shí),將推高VCO的調(diào)諧電壓。這樣,–IN頻率將隨著VCO的增加而增加,兩個(gè)PFD輸入最終將收斂或鎖定到相同的頻率(圖5)。如果 –IN 的頻率高于 +IN,則會(huì)發(fā)生相反的情況。
圖4.PFD 異相和頻率鎖定。
圖5.鑒相器、頻率和鎖相。
回到需要清潔的噪聲時(shí)鐘的原始示例,時(shí)鐘的相位噪聲曲線、自由運(yùn)行的VCXO和閉環(huán)PLL可以在ADIsimPLL中建模。
圖6.參考噪聲。
圖7.自由運(yùn)行VCXO。
圖8.總鎖相環(huán)噪聲。
從所示的ADIsimPLL圖中可以看出,REF的噪聲相位噪聲曲線在(圖6)由低通濾波器濾波。PLL基準(zhǔn)電壓源和PFD電路貢獻(xiàn)的所有帶內(nèi)噪聲都被低通濾波器濾除,只留下環(huán)路帶寬之外的VCXO噪聲(圖7)(圖8)。當(dāng)輸出頻率等于輸入頻率時(shí),它會(huì)產(chǎn)生最簡(jiǎn)單的PLL配置之一。這種PLL稱為時(shí)鐘清理PLL。對(duì)于此類時(shí)鐘清理應(yīng)用,建議使用窄(<1 kHz)低通濾波器帶寬。
高頻整數(shù) N 分頻架構(gòu)
為了產(chǎn)生更高頻率的范圍,使用VCO,其調(diào)諧范圍比VCXO更寬。這通常用于跳頻或擴(kuò)頻跳頻 (FHSS) 應(yīng)用。在此類PLL中,輸出是參考頻率的高倍數(shù)。壓控振蕩器包含一個(gè)可變調(diào)諧元件,例如變?nèi)?a target="_blank">二極管,其電容隨輸入電壓變化,從而允許可調(diào)諧諧振電路,從而產(chǎn)生一系列頻率(圖 9)。PLL可以被認(rèn)為是該VCO的控制系統(tǒng)。
反饋分頻器用于將VCO頻率分頻至PFD頻率,從而允許PLL產(chǎn)生是PFD頻率倍數(shù)的輸出頻率?;鶞?zhǔn)電壓源路徑中也可以使用分頻器,這允許使用比PFD頻率更高的頻率基準(zhǔn)。像這樣的PLL就是ADI公司的ADF4108。PLL計(jì)數(shù)器是我們電路中要考慮的第二個(gè)基本元件。
圖9.壓控振蕩器。
PLL的關(guān)鍵性能參數(shù)是相位噪聲、頻率合成過(guò)程中不需要的副產(chǎn)品或雜散頻率(簡(jiǎn)稱雜散)。對(duì)于整數(shù)N分頻PLL,雜散頻率由PFD頻率產(chǎn)生。來(lái)自電荷泵的漏電流將調(diào)制VCO的調(diào)諧端口。低通濾波器會(huì)減小這種影響,低通濾波器越窄,雜散頻率的濾波越大。理想音調(diào)沒(méi)有噪聲或額外的雜散頻率(圖 10),但實(shí)際上相位噪聲表現(xiàn)為載波周圍的裙邊,如圖 11 所示。單邊帶相位噪聲是1 Hz帶寬內(nèi)載波的相對(duì)噪聲功率,在與載波的頻率偏移處指定。
圖 10.理想的LO頻譜。
圖 11.單邊帶相位噪聲。
整數(shù) N 分頻器和小數(shù) N 分頻器
對(duì)于窄帶應(yīng)用,通道間距較窄(通常為<5 MHz),反饋計(jì)數(shù)器N較高。如圖 12 所示,通過(guò)使用雙模 P/P + 1 預(yù)分頻器,可以使用小電路獲得高 N 值,并允許通過(guò)計(jì)算 N = PB + A 來(lái)計(jì)算 N 個(gè)值,以 8/9 預(yù)分頻器和 N 值 90 為例,計(jì)算 B 的值為 11,A 的值為 2。雙模預(yù)分頻器將在 A 或兩個(gè)周期內(nèi)除以 9。然后,它將除以 8 表示剩余 (B-A) 或 9 個(gè)周期,如表 1 中所述。預(yù)分頻器通常使用更高頻率的電路技術(shù)設(shè)計(jì),例如雙極性發(fā)射極耦合邏輯(ECL)電路,而A和B計(jì)數(shù)器可以采用這種較低頻率的預(yù)分頻器輸出,并且可以使用較低速度的CMOS電路制造。這減少了電路面積和功耗。像ADF4002這樣的低頻清理PLL省略了這個(gè)預(yù)分頻器。
圖 12.帶雙模數(shù) N 計(jì)數(shù)器的 PLL。
N 值 | P/P + 1 | B 值 | 一個(gè)值 |
90 | 9 | 11 | 2 |
81 | 9 | 10 | 1 |
72 | 8 | 9 | 0 |
64 | 8 | 8 | 0 |
56 | 8 | 7 | 0 |
48 | 8 | 6 | 0 |
40 | 8 | 5 | 0 |
32 | 8 | 4 | 0 |
24 | 8 | 3 | 0 |
16 | 8 | 2 | 0 |
8 | 8 | 1 | 0 |
0 | 8 | 0 | 0 |
帶內(nèi)(PLL環(huán)路濾波器帶寬內(nèi))相位噪聲直接受N值的影響,帶內(nèi)噪聲增加20log (N)。因此,對(duì)于N值較高的窄帶應(yīng)用,帶內(nèi)噪聲主要由高N值主導(dǎo)。允許低得多的N值但仍允許精細(xì)分辨率的系統(tǒng)由小數(shù)N分頻頻率合成器(如ADF4159或HMC704)實(shí)現(xiàn)。通過(guò)這種方式,可以大大降低帶內(nèi)相位噪聲。圖 13 到 16 說(shuō)明了如何實(shí)現(xiàn)這一點(diǎn)。在這些示例中,兩個(gè)PLL用于生成適合5G系統(tǒng)本振(LO)的頻率,范圍為7.4 GHz至7.6 GHz,通道分辨率為1 MHz。ADF4108采用N分頻配置(圖13),HMC704采用小數(shù)N分頻配置。HMC704(圖14)可與50 MHz PFD頻率配合使用,從而降低N值,從而降低帶內(nèi)噪聲,同時(shí)仍允許1 MHz(或更?。┑念l率步長(zhǎng)——注意到15 dB(在8 kHz偏移頻率下)的改進(jìn)(圖15與圖16)。然而,ADF4108被迫使用1 MHz PFD來(lái)實(shí)現(xiàn)相同的分辨率。
需要小心使用小數(shù)N分頻PLL,以確保雜散音不會(huì)降低系統(tǒng)性能。在HMC704等PLL上,整數(shù)邊界雜散(當(dāng)N值的小數(shù)部分接近0或1時(shí)產(chǎn)生,如147.98或148.02非常接近整數(shù)值148)最受關(guān)注。這可以通過(guò)將VCO輸出緩沖到RF輸入和/或仔細(xì)的頻率規(guī)劃來(lái)緩解,其中REF在可以更改以避免這些更成問(wèn)題的頻率。
圖 13.整數(shù) N 鎖相環(huán)。
圖 14.小數(shù) N 分頻鎖相環(huán)。
圖 15.整數(shù) N 分頻 PLL 帶內(nèi)相位噪聲。
圖 16.小數(shù)N分頻PLL帶內(nèi)相位噪聲。
對(duì)于大多數(shù)PLL,帶內(nèi)噪聲高度依賴于N值以及PFD頻率。減去 20log (N) 和 10log (F聚苯乙烯),從帶內(nèi)相位噪聲測(cè)量的平坦部分得出品質(zhì)因數(shù)(FOM)。選擇 PLL 的一個(gè)常見(jiàn)指標(biāo)是比較 FOM。影響帶內(nèi)噪聲的另一個(gè)因素是1/f噪聲,它取決于器件的輸出頻率。FOM貢獻(xiàn)和1/f噪聲以及參考噪聲主導(dǎo)PLL系統(tǒng)的帶內(nèi)噪聲。
用于 5G 通信的窄帶 LO
對(duì)于通信系統(tǒng),從PLL的角度來(lái)看,主要規(guī)格是誤差矢量幅度(EVM)和VCO阻塞規(guī)格。EVM的范圍類似于積分相位噪聲,后者考慮了一系列偏移的噪聲貢獻(xiàn)。對(duì)于前面列出的 5G 系統(tǒng),集成限制相當(dāng)寬,從 1 kHz 開(kāi)始一直持續(xù)到 100 MHz。 EVM 可以被認(rèn)為是完美調(diào)制信號(hào)從其理想點(diǎn)降級(jí)的百分比,以百分比表示(圖 17)。以類似的方式,積分相位噪聲將載波不同偏移處的噪聲功率積分,并將該噪聲表示為與輸出頻率相比的dBc數(shù)。ADIsimPLL可以配置為計(jì)算EVM、積分相位噪聲以及均方根相位誤差和抖動(dòng)?,F(xiàn)代信號(hào)源分析儀只需按一下按鈕即可包含這些數(shù)字(圖 18)。隨著調(diào)制方案密度的增加,EVM 變得至關(guān)重要。對(duì)于 16-QAM,根據(jù) ETSI 規(guī)范 3GPP TS 36.104,所需的最低 EVM 為 12.5%。對(duì)于 64-QAM,要求為 8%。然而,由于EVM由功率放大器失真和不需要的混頻器產(chǎn)物引起的各種其他非理想參數(shù)組成,因此積分噪聲(以dBc為單位)通常單獨(dú)定義。
圖 17.相位誤差可視化。
圖 18.信號(hào)源分析儀圖。
VCO阻斷規(guī)范在需要考慮強(qiáng)傳輸存在的蜂窩系統(tǒng)中非常重要。如果接收器信號(hào)較弱,并且VCO噪聲太大,則附近的發(fā)射器信號(hào)可能會(huì)混頻并淹沒(méi)所需信號(hào)(圖19)。圖19中的插圖演示了如果接收器VCO噪聲,附近以–25 dBm功率發(fā)射的發(fā)射器(800 kHz遠(yuǎn))如何淹沒(méi)–101 dBm的所需信號(hào)。這些規(guī)范構(gòu)成了無(wú)線通信標(biāo)準(zhǔn)的一部分。阻塞規(guī)范直接影響VCO的性能要求。
圖 19.VCO 噪音阻斷器。
壓控振蕩器 (VCO)
電路中要考慮的下一個(gè)PLL電路元件是壓控振蕩器。對(duì)于VCO,必須在相位噪聲、頻率覆蓋和功耗之間進(jìn)行基本的權(quán)衡。振蕩器的品質(zhì)因數(shù)(Q)越高,VCO相位噪聲越低。然而,Q值較高的電路具有較窄的頻率范圍。增加電源也會(huì)降低相位噪聲。從ADI公司的VCO系列來(lái)看,HMC507的工作范圍為6650 MHz至7650 MHz,100 kHz時(shí)的VCO噪聲約為–115 dBc/Hz。相比之下,HMC586覆蓋4000 MHz至8000 MHz的完整倍頻程,但相位噪聲更高,為–100 dBc/Hz。在此類VCO中最小化相位噪聲的一種策略是增加V的電壓調(diào)諧范圍調(diào)整至 VCO(高達(dá) 20 V 或更高)。這增加了PLL電路的復(fù)雜性,因?yàn)榇蠖鄶?shù)PLL電荷泵只能調(diào)諧到5 V,因此使用使用運(yùn)算放大器的有源濾波器自行增加PLL電路的調(diào)諧電壓。
多頻段集成相環(huán)和虛擬視頻單元
在不降低VCO相位噪聲的情況下增加頻率覆蓋范圍的另一種策略是使用多頻段VCO,其中重疊的頻率范圍用于覆蓋倍頻程范圍,并且可以通過(guò)在VCO輸出端使用分頻器來(lái)產(chǎn)生較低的頻率。ADF4356就是這樣一款器件,它使用四個(gè)主VCO內(nèi)核,每個(gè)內(nèi)核具有256個(gè)重疊頻率范圍。器件使用內(nèi)部基準(zhǔn)和反饋分頻器來(lái)選擇合適的VCO頻段,這一過(guò)程稱為VCO頻段選擇或自動(dòng)校準(zhǔn)。
多頻段VCO的寬調(diào)諧范圍使其適用于寬帶儀器,在這些儀器中,它們會(huì)產(chǎn)生廣泛的頻率。39位的小數(shù)N分頻分辨率也使其成為這些精確頻率應(yīng)用的理想選擇。在矢量網(wǎng)絡(luò)分析儀等儀器中,超快的開(kāi)關(guān)速度至關(guān)重要。這可以通過(guò)使用非常寬的低通濾波器帶寬來(lái)實(shí)現(xiàn),該帶寬可以非??焖俚卣{(diào)諧到最終頻率。在這些應(yīng)用中,通過(guò)使用查找表,可以繞過(guò)自動(dòng)頻率校準(zhǔn)程序,并為每個(gè)頻率直接編程頻率值,真正的單核寬帶VCO如HMC733也可以以較低的復(fù)雜性使用。
對(duì)于鎖相環(huán)電路,低通濾波器的帶寬直接影響系統(tǒng)的建立時(shí)間。低通濾波器是我們電路中的最后一個(gè)元件。如果建立時(shí)間至關(guān)重要,則應(yīng)將環(huán)路帶寬增加到允許的最大帶寬,以實(shí)現(xiàn)穩(wěn)定的鎖定并滿足相位噪聲和雜散頻率目標(biāo)。通信鏈路中的窄帶需求意味著,使用HMC507時(shí),低通濾波器實(shí)現(xiàn)最小集成噪聲(30 kHz至100 MHz之間)的最佳帶寬約為207 kHz(圖20)。這提供了大約 –51 dBc 的積分噪聲,并在大約 51 μs 內(nèi)實(shí)現(xiàn)頻率鎖定在 1 kHz 以內(nèi)的誤差(圖 22)。
相比之下,寬帶HMC586(覆蓋4 GHz至8 GHz)以接近300 kHz帶寬的更寬帶寬實(shí)現(xiàn)了最佳的均方根相位噪聲(圖21),實(shí)現(xiàn)了–44 dBc的集成噪聲。但是,它在不到 27 μs 的時(shí)間內(nèi)實(shí)現(xiàn)了相同規(guī)格的頻率鎖定(圖 23)。正確的器件選擇和周圍的電路設(shè)計(jì)對(duì)于實(shí)現(xiàn)應(yīng)用的最佳結(jié)果都至關(guān)重要。
圖 20.相位噪聲HMC704加HMC507。
圖 21.相位噪聲HMC704加HMC586。
圖 22.頻率建立:HMC704和HMC507。
圖 23.HMC704 plus HMC586。
低抖動(dòng)時(shí)鐘
對(duì)于高速數(shù)模轉(zhuǎn)換器(DAC)和高速模數(shù)轉(zhuǎn)換器(ADC),干凈的低抖動(dòng)采樣時(shí)鐘是必不可少的構(gòu)建模塊。為了最小化帶噪聲,需要低N值;但為了盡量減少雜散噪聲,最好使用整數(shù)N。時(shí)鐘往往是固定頻率,因此可以選擇頻率以確保 REF在頻率是輸入頻率的精確整數(shù)倍。這確保了最低的帶內(nèi)PLL噪聲。需要選擇VCO(無(wú)論是否集成),以確保其噪聲對(duì)于應(yīng)用來(lái)說(shuō)足夠低,特別注意寬帶噪聲。然后需要小心放置低通濾波器,以確保帶內(nèi)PLL噪聲與VCO噪聲相交,從而確保最低均方根抖動(dòng)。相位裕量為60°的低通濾波器可確保最低的濾波器峰值,從而最大限度地減少抖動(dòng)。這樣,低抖動(dòng)時(shí)鐘介于本文討論的第一個(gè)電路的時(shí)鐘清理應(yīng)用與討論的最后一個(gè)電路的快速開(kāi)關(guān)能力之間。
對(duì)于時(shí)鐘電路,時(shí)鐘的均方根抖動(dòng)是關(guān)鍵性能參數(shù)。這可以使用ADIsimPLL進(jìn)行估算,也可以使用信號(hào)源分析儀進(jìn)行測(cè)量。對(duì)于ADF5356等高性能PLL器件,具有132 kHz的相對(duì)較寬的低通濾波器帶寬以及超低REF在像Wenxel OCXO這樣的源允許用戶設(shè)計(jì)均方根抖動(dòng)低于90 fs的時(shí)鐘(圖26)。操縱PLL環(huán)路濾波器帶寬(LBW)的位置表明,將其降低太多會(huì)產(chǎn)生VCO噪聲在小偏移處開(kāi)始占主導(dǎo)地位(圖24),而帶內(nèi)PLL噪聲實(shí)際上會(huì)更低,而增加太多意味著帶內(nèi)噪聲在VCO噪聲明顯較低的偏移處占主導(dǎo)地位(圖25)。
圖 24.LBW = 10 kHz,331 fs 抖動(dòng)。
圖 25.LBW = 500 kHz,111 fs 抖動(dòng)。
圖 26.LBW = 132 kHz,83 fs 抖動(dòng)。
審核編輯:郭婷
-
轉(zhuǎn)換器
+關(guān)注
關(guān)注
27文章
8694瀏覽量
147082 -
鎖相環(huán)
+關(guān)注
關(guān)注
35文章
584瀏覽量
87735 -
pll
+關(guān)注
關(guān)注
6文章
776瀏覽量
135130
發(fā)布評(píng)論請(qǐng)先 登錄
相關(guān)推薦
評(píng)論