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外部MOSFET可降低基于智能功率選擇器的充電器中的I2R損耗

星星科技指導(dǎo)員 ? 來源:ADI ? 作者:ADI ? 2023-01-23 16:48 ? 次閱讀

電池到系統(tǒng)(BAT-to-SYS)連接阻抗至關(guān)重要,它通過減少裕量和功耗來影響電池運(yùn)行時間。外部調(diào)整管可將阻抗降低 50% 以上。本應(yīng)用筆記給出了MAX8662電源管理IC智能電源選擇器功能,可驅(qū)動外部MOSFET,以降低開關(guān)電阻和功耗。顯示性能數(shù)據(jù)。

介紹

大多數(shù)可充電電池供電系統(tǒng)需要某種類型的開關(guān)電路來在電池和充電電源之間傳遞系統(tǒng)負(fù)載。如果沒有此電路,當(dāng)插入電池電量耗盡的充電器時,設(shè)備可能無法立即運(yùn)行。該開關(guān)電路既可以是充電器的外部插件,也可以集成在充電器IC中。當(dāng)在Maxim充電器中集成了在電池和充電電源之間傳遞負(fù)載的開關(guān)時,該充電器具有智能電源選擇器功能。智能電源選擇器功能允許系統(tǒng)在電池充電時使用適配器或 USB 電源,即使電池處于完全耗盡狀態(tài)也是如此。

智能電源選擇器電源控制的基本操作

MAX8662電源管理IC包含智能電源選擇器功能。內(nèi)部開關(guān)根據(jù)需要自動將電源輸入 (DC) 連接到系統(tǒng)的電源輸出 (SYS),并從電池 (BAT) 自動連接到 SYS。重要的是,這些開關(guān)電阻如下。

MAX8662提供0.1Ω直流至系統(tǒng)電阻和0.04Ω至系統(tǒng)電阻。組合電阻 (0.1 + 0.04 = 0.14Ω) 對于允許電池以高達(dá) 4.2V 的全速率 (1.25A) 充電和 4.375V 的低裕量 (1.25A = (4.375V - 4.2V)/0.14Ω) 非常重要。BAT-SYS開關(guān)電阻對于電池運(yùn)行時間至關(guān)重要,因為它在放電和充電期間與電池串聯(lián)。MAX8662的低至0.04Ω BAT至SYS開關(guān)電阻使功耗和壓降降至最低。例如,在2A電池放電電流下,內(nèi)部開關(guān)功率損耗為160mW,壓降為80mV。

使用外部 MOSFET 工作

由于BAT至SYS開關(guān)電阻對運(yùn)行時間和功耗至關(guān)重要,因此某些設(shè)計可能希望使用外部MOSFET進(jìn)一步降低電阻。圖 1 顯示了如何實現(xiàn)這一點(diǎn)。Q1 (仙童FDMA510PZ)具有R?德森小于 30mΩ (最大值,在 V 時一般事務(wù)人員= -4.5V),采用 2mm × 2mm 封裝。在電路中,MAX8662的/POK輸出驅(qū)動一個小p溝道MOSFET (Q2),使驅(qū)動器反相至Q1柵極。連接直流電源后,/POK變?yōu)榈碗娖?,關(guān)斷Q1,并將電池與負(fù)載斷開。

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圖1.原理圖簡化:降低基于智能電源選擇器的電池充電器中的I2R損耗。

圖2顯示了連接直流電源時圖1電路的行為,圖3顯示了電源斷開時的電路性能。兩個圖都表明,當(dāng)直流電源被移除時,大部分負(fù)載電流通過Q1,充電器的智能電源選擇器功能得以保留。

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圖2.連接直流電源時圖1電路的性能。

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圖3.圖1電路在直流電源斷開時的性能。

圖4詳細(xì)介紹了BAT至SYS壓降的改善。測得的MAX8662和典型PCB走線的電阻約為60mΩ。使用額外的MOSFET時,該數(shù)字降至約25mΩ。

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圖4.V 的數(shù)據(jù)巴特-至SYS電壓與負(fù)載電流的關(guān)系

為了縮短直流電源斷開和Q1導(dǎo)通之間的延遲,可以減少R1和R2。圖5顯示了直流電源斷開時的切換行為,R1 = R2 = 10kΩ。當(dāng)R1 = R2 = 10kΩ時,與圖3相比,Q1開始導(dǎo)通前的延遲減少了300μs,其中R1 = R2 = 100kΩ。使用R1 = R2 = 10kΩ對電池消耗沒有影響,因為當(dāng)SYS使用電池電源時(即,當(dāng)/POK為高電平且Q1導(dǎo)通時),兩個電阻都不會傳遞電流。但是,當(dāng)施加直流電源且/POK為低電平時,SYS上的負(fù)載略有增加。

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圖5.數(shù)據(jù)顯示直流電源斷開時的電路性能,R1 = R2 = 10kΩ。

審核編輯:郭婷

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