本應(yīng)用筆記概述了DS32X35系列產(chǎn)品。這些器件提供精確的實(shí)時(shí)時(shí)鐘和鐵電隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（RTC + FRAM），不需要電池來維護(hù)其內(nèi)容。

概述

隨著DS32X35系列產(chǎn)品的推出，Maxim提供了無需電池的非易失性存儲(chǔ)器。這些器件采用鐵電隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 （FRAM） 技術(shù)。FRAM是非易失性的，像RAM一樣執(zhí)行讀/寫周期。它提供超過 10 年的可靠數(shù)據(jù)保留，同時(shí)消除了由 EEPROM 和其他非易失性存儲(chǔ)器引起的復(fù)雜性、開銷和系統(tǒng)級(jí)可靠性問題。這是一項(xiàng)成熟的技術(shù)，自 1992 年以來就提供設(shè)備。

非易失性存儲(chǔ)器

主要的非易失性存儲(chǔ)器技術(shù)包括電池備份SRAM、EEPROM和閃存。FRAM以類似于傳統(tǒng)SRAM的速度提供非易失性存儲(chǔ)。功能操作類似于串行EEPROM，主要區(qū)別在于其在寫入和耐用性方面的卓越性能。存儲(chǔ)器以I2C接口的速度讀取或?qū)懭搿Ｔ趯懭肫陂g，無需輪詢?cè)O(shè)備以查找就緒條件。

表1按1（最佳）到4（最差）對(duì)非易失性存儲(chǔ)器技術(shù)進(jìn)行了排名。

表 1.非易失性存儲(chǔ)器技術(shù)排名

FRAM相對(duì)于EEPROM的優(yōu)勢

與類似數(shù)量的EEPROM相比，F(xiàn)RAM具有許多優(yōu)點(diǎn)。第一個(gè)優(yōu)點(diǎn)是FRAM以總線速度執(zhí)行寫入操作，一旦數(shù)據(jù)傳輸，就沒有寫入延遲。此外，它不使用寫入頁，因此用戶可以簡單地寫入連續(xù)數(shù)據(jù)。數(shù)據(jù)傳輸?shù)拇笮]有限制，也沒有延遲。如果需要，系統(tǒng)可以在一次突發(fā)中寫入整個(gè)內(nèi)存陣列。

第二個(gè)優(yōu)點(diǎn)是寫入耐久性，允許多達(dá)一百億個(gè)寫入周期。大多數(shù)EEPROM最多只允許一百萬次寫入周期。FRAM幾乎無限的寫入周期數(shù)使其成為數(shù)據(jù)收集的理想存儲(chǔ)器類型。

第三個(gè)優(yōu)勢是功耗和能耗。FRAM使用鐵電機(jī)制，使用本機(jī)V執(zhí)行寫入操作抄送.EEPROM技術(shù)需要電荷泵或電壓升壓。因此，F(xiàn)RAM電流要求大大低于EEPROM的類似配置。

DS32X35 精確 RTC，帶 FRAM

DS32X35為溫度補(bǔ)償時(shí)鐘/日歷，在單封裝中集成32.768kHz晶體和一組非易失性存儲(chǔ)器。非易失性存儲(chǔ)器有兩種不同的密度：2048 x 8 位或 8192 x 8 位。該器件采用 20 引腳、300 mil SO 封裝。DS32X35包括一組FRAM，不需要備用電源來維護(hù)存儲(chǔ)器內(nèi)容。此外，沒有讀取或?qū)懭胫芷谙拗?。在產(chǎn)品的整個(gè)生命周期內(nèi)，可以以最大循環(huán)速率訪問存儲(chǔ)器陣列，沒有磨損機(jī)制。

其他器件特性包括兩個(gè)定時(shí)鬧鐘、一個(gè)提供中斷或可編程方波的可選輸出，以及一個(gè)經(jīng)過校準(zhǔn)的 32.768kHz 方波輸出。一個(gè)復(fù)位輸入/輸出引腳提供上電復(fù)位。此外，復(fù)位引腳作為按鈕輸入進(jìn)行監(jiān)視，用于在外部產(chǎn)生復(fù)位。RTC和FRAM通過I2C串行接口訪問。

地址要求

串行FRAM存儲(chǔ)器在邏輯上組織為2048 x 8位或8192 x 8位存儲(chǔ)器陣列，可通過I2C接口訪問。由于密度不同，每個(gè)版本的DS32X35的I2C尋址技術(shù)都不同。表2詳細(xì)說明了每個(gè)DS32X35版本的地址要求。

表 2.內(nèi)存從屬地址

R = 讀/寫選擇位，X = 不在乎，AN= 地址位 N

結(jié)論

新的DS32X35系列產(chǎn)品提供精確的計(jì)時(shí)功能，將四個(gè)獨(dú)立的組件合二為一。圖1所示為DS32X35如何提供RTC、少量非易失性存儲(chǔ)器、系統(tǒng)復(fù)位和32.768kHz晶體。

圖1.DS32X35 集成優(yōu)勢。

審核編輯：郭婷