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數(shù)字隔離器的浪涌測(cè)試

星星科技指導(dǎo)員 ? 來源:ADI ? 作者:ADI ? 2023-01-17 13:42 ? 次閱讀

許多應(yīng)用需要隔離危險(xiǎn)電壓,以滿足國際安全標(biāo)準(zhǔn)。為了確保設(shè)備和操作人員的安全,這些標(biāo)準(zhǔn)通常要求隔離元件(如數(shù)字隔離器光耦合器)能夠承受超過10 kV(峰值)的高壓浪涌。因此,測(cè)試隔離器浪涌能力的能力是開發(fā)安全可靠組件的重要組成部分。

國際電工委員會(huì) (IEC) 和電氣技術(shù)協(xié)會(huì) (VDE) 是兩個(gè)發(fā)布標(biāo)準(zhǔn)的組織,負(fù)責(zé)管理醫(yī)療、工業(yè)、消費(fèi)和汽車系統(tǒng)等隔離技術(shù)的系統(tǒng)和組件級(jí)應(yīng)用。為了確保存在高壓浪涌時(shí)人員和設(shè)備的安全,這些標(biāo)準(zhǔn)根據(jù)給定應(yīng)用所需的隔離等級(jí)或級(jí)別規(guī)定了不同的浪涌額定值。

有三種常見的隔離類別:功能隔離、基本隔離和強(qiáng)化隔離。功能隔離幾乎沒有安全要求,因?yàn)樗ǔH在需要分離接地基準(zhǔn)以使電路正常工作的情況下使用。安全性以及浪涌性能不是功能隔離的主要考慮因素。

然而,安全性是基本隔離和強(qiáng)化隔離的關(guān)鍵考慮因素,因此浪涌水平對(duì)于定義隔離質(zhì)量至關(guān)重要?;靖綦x為終端設(shè)備的用戶提供防沖擊保護(hù),而增強(qiáng)隔離是單個(gè)隔離系統(tǒng),可提供相當(dāng)于兩個(gè)冗余單個(gè)或基本隔離系統(tǒng)的保護(hù)。

醫(yī)療和工業(yè)應(yīng)用通常需要加強(qiáng)絕緣,以保護(hù)患者或最終用戶免受潛在的致命沖擊。VDE的數(shù)字隔離器加強(qiáng)隔離標(biāo)準(zhǔn)VDE 0884-10除了工作電壓(VIORM)和耐壓(VISO)要求外,還規(guī)定了10 kV的最小浪涌電壓(VIOSM)額定值。

數(shù)字隔離器的浪涌電壓額定值定義了重復(fù)的一系列短時(shí)間高壓脈沖后的生存能力。圖1顯示了符合IEC 61000-4-5標(biāo)準(zhǔn)的浪涌波形的時(shí)序特性。

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圖1.浪涌電壓波形。

通過將器件放在測(cè)試板上并短路隔離柵兩側(cè)的所有引腳來進(jìn)行測(cè)試(見圖2)。高壓脈沖發(fā)生器通過1000 Ω/1000 pF網(wǎng)絡(luò)連接到隔離柵的一側(cè)。發(fā)電機(jī)回路連接到屏障的另一側(cè)。在柵上放置一個(gè)100 kΩ、2.5 W電阻,以便在施加每個(gè)脈沖后對(duì)電路放電。帶有 1000:1 高壓探頭的示波器用于監(jiān)測(cè)脈沖。將噴槍設(shè)置為測(cè)試計(jì)劃中要求的最低電壓,示波器設(shè)置為單觸發(fā)。在該電壓電平下施加十個(gè)脈沖,每個(gè)脈沖都用示波器監(jiān)測(cè)。隔離柵的突破表現(xiàn)為脈沖幅度急劇下降(在遠(yuǎn)低于50 μs的時(shí)間內(nèi)衰減到50%)。如果零件承受十個(gè)脈沖,則增加噴槍電壓,并施加十個(gè)脈沖。這種情況一直持續(xù)到勢(shì)壘失效或達(dá)到最大測(cè)試電壓為止。

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圖2.浪涌測(cè)試設(shè)置。

通過此測(cè)試的能力主要取決于絕緣厚度(也稱為絕緣距離或DTI)和絕緣材料的質(zhì)量。施加的電場(chǎng)往往集中在絕緣體內(nèi)的缺陷點(diǎn),因此較低的缺陷密度通常會(huì)導(dǎo)致較高的擊穿額定值。較厚的材料更耐擊穿,因?yàn)閳?chǎng)強(qiáng)與絕緣兩側(cè)導(dǎo)體之間的距離成反比。

耦合器通常通過10 kV浪涌測(cè)試,因?yàn)榻^緣非常厚(通常為400 μm),這降低了絕緣質(zhì)量對(duì)擊穿特性的影響。簡而言之,絕緣層非常厚,不需要高質(zhì)量的材料即可通過10 kV測(cè)試?;谧儔浩鞯母綦x器使用沉積在潔凈室環(huán)境中的高質(zhì)量20 μm至32 μm聚酰亞胺層。由于這種材料的缺陷水平比光耦合器中使用的注塑環(huán)氧樹脂低得多,因此更薄的層仍然可以滿足10 kV的要求。電容式隔離器還使用高質(zhì)量的絕緣層,在這種情況下,二氧化硅(SiO2)在晶圓制造過程中沉積。二氧化硅具有很高的介電強(qiáng)度,但通常不能沉積在非常厚的層中,而不會(huì)在薄膜內(nèi)產(chǎn)生機(jī)械應(yīng)力。較厚的SiO2也會(huì)降低電容,從而降低柵層上的耦合效率。因此,電容隔離器通常無法通過10 kV浪涌測(cè)試,因此目前無法通過VDE認(rèn)證為增強(qiáng)絕緣。

在需要加強(qiáng)隔離的應(yīng)用中,需要防止 10 kV 浪涌,其中人員和設(shè)備受到保護(hù)。浪涌測(cè)試是確定此類應(yīng)用中隔離組件安全水平的關(guān)鍵步驟。

審核編輯:郭婷

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