運算放大器是具有差分輸入和單端輸出的極高增益放大器。它們通常用于高精度模擬電路,因此準確測量其性能非常重要。但在開環(huán)測量中,它們的開環(huán)增益很高,可能高達107或者更多,使得放大器輸入端由于拾音、雜散電流或塞貝克(熱電偶)效應而導致的非常小的電壓很難避免誤差。
通過使用伺服環(huán)路在放大器輸入端強制零點,可以大大簡化測量過程,從而使被測放大器基本上可以測量自己的誤差。圖1所示為采用該原理的通用電路,采用輔助運算放大器作為積分器,以建立具有極高直流開環(huán)增益的穩(wěn)定環(huán)路。這些開關有助于執(zhí)行以下簡化圖中所述的各種測試。
圖1.基本運算放大器測量電路。
圖1所示電路將大部分測量誤差降至最低,并允許精確測量大量直流和一些交流參數。額外的“輔助”運算放大器不需要比被測運算放大器更好的性能。如果直流開環(huán)增益為100萬或更多,則很有幫助;如果被測器件(DUT)的失調可能超過幾mV,則輔助運算放大器應采用±15 V電源供電(如果DUT的輸入失調可能超過10 mV,則需要減小99.9 kΩ電阻R3)。
DUT的電源電壓+V和–V幅度相等,符號相反。當然,總電源電壓為2 × V.即使采用本電路的“單電源”運算放大器,也使用對稱電源,因為系統(tǒng)接地基準電壓源是電源的中點。
作為積分器,輔助放大器配置為直流開環(huán)(全增益),但其輸入電阻和反饋電容將其帶寬限制在幾Hz。這意味著DUT輸出端的直流電壓被輔助放大器的全增益放大,并通過1000:1衰減器施加到DUT的同相輸入端。負反饋迫使 DUT 的輸出變?yōu)榈仉娢?。(事實上,實際電壓是輔助放大器的失調電壓——或者,如果我們真的要一絲不茍的話,這個失調加上100 kΩ電阻中由于輔助放大器的偏置電流而產生的壓降——但這離地足夠近,并不重要,特別是因為測量期間該點電壓的變化不太可能超過幾微伏)。
測試點TP1上的電壓是施加到DUT輸入端的校正電壓(誤差幅度相等)的1000倍。這將是幾十mV或更多,因此很容易測量。
理想運算放大器的失調電壓為零(V操作系統(tǒng));也就是說,如果兩個輸入連接在一起并保持在電源之間的中間電壓,則輸出電壓也應位于電源之間的中間位置。在現實生活中,運算放大器的失調范圍從幾微伏到幾毫伏不等,因此必須向輸入施加此范圍內的電壓,以使輸出達到中間電位。
圖2顯示了最基本測試的配置——失調測量。當 TP1 上的電壓是其偏移的 1000 倍時,DUT 輸出電壓處于地電位。
圖2.偏移測量。
理想的運算放大器具有無限輸入阻抗,輸入中沒有電流流動。實際上,小的“偏置”電流在反相和同相輸入(Ib–和我B+分別);它們會在高阻抗電路中引起明顯的失調。根據運算放大器類型,它們的范圍可以從幾飛安(1 fA = 10–15A——每幾微秒一個電子)到幾納安,或者甚至在一些非??斓倪\算放大器中——一到兩微安。圖3顯示了如何測量這些電流。
圖3.失調和偏置電流測量。
該電路與圖2的失調電路相同,只是增加了兩個電阻R6和R7,與DUT輸入串聯(lián)。這些電阻可通過開關 S1 和 S2 短路。兩個開關閉合時,電路與圖2相同。當S1開路時,來自反相輸入的偏置電流以Rs為單位流動,電壓差增加到失調。通過測量TP1(=1000我b–×Rs),我們可以計算我b–;同樣,通過關閉 S1 并打開 S2,我們可以測量我B+.如果在TP1處測量電壓,S1和S2均閉合,然后均開路,則“輸入失調電流”I操作系統(tǒng),我之間的區(qū)別B+和我b–,由變化來衡量。使用的R6和R7的值將取決于要測量的電流。
對于 I 的值b在5 pA或更低的量級下,由于涉及大電阻,使用該電路變得非常困難;可能需要其他技術,可能涉及Ib對低漏電電容(取代R)充電的速率s).
當 S1 和 S2 關閉時,I操作系統(tǒng)在 100 Ω電阻中仍然流動,并在 V 中引入誤差操作系統(tǒng),但除非我操作系統(tǒng)大到足以產生大于測量 V 1% 的誤差操作系統(tǒng)在此計算中通常可以忽略它。
運算放大器的開環(huán)直流增益可能非常高;增益大于 107不是未知的,但 250,000 到 2,000,000 之間的值更常見。直流增益的測量方法是,通過在DUT輸出和S6的1 V基準電壓源之間切換R5,強制DUT的輸出移動已知量(圖4中為1 V,但如果器件在足夠大的電源上運行,則為10 V)。如果R5處于+1 V,則如果輔助放大器的輸入要在零附近保持不變,則DUT輸出必須移至–1 V。
圖4.直流增益測量。
TP1 處的電壓變化衰減為 1000:1,是 DUT 的輸入,導致輸出發(fā)生 1V 變化。由此計算增益很簡單(= 1000 × 1 V/TP1)。
為了測量開環(huán)交流增益,需要在DUT輸入端注入所需頻率的小交流信號,并在其輸出端測量產生的信號(圖5中的TP2)。在此過程中,輔助放大器繼續(xù)穩(wěn)定 DUT 輸出端的平均直流電平。
圖5.交流增益測量。
在圖5中,交流信號通過10,000:1衰減器施加到DUT輸入端。低頻測量需要這個大值,其中開環(huán)增益可能接近直流值。(例如,在增益為1,000,000的頻率下,1 V rms信號將在放大器輸入端施加100 μV,這將在放大器尋求提供100 V rms輸出時使放大器飽和)。因此,交流測量通常在幾百Hz到開環(huán)增益下降到單位的頻率下進行,如果需要低頻增益數據,則使用較低的輸入幅度非常小心。所示的簡單衰減器只能在高達100 kHz左右的頻率下工作,即使雜散電容非常小心;在更高的頻率下,需要更復雜的電路。
運算放大器的共模抑制比(CMRR)是共模電壓變化引起的失調表觀變化與共模電壓外加變化之比。在直流時,它通常在80 dB至120 dB之間,但在較高頻率下較低。
該測試電路非常適合測量 CMRR(圖 6)。共模電壓不施加到DUT輸入端子,低電平效應可能會破壞測量,但電源電壓會發(fā)生變化(相對于輸入方向相同,即公共方向),而電路的其余部分不受干擾。
圖6.直流共模抑制比測量。
在圖6電路中,在TP1處測量失調,電源電壓為±V(例中為+2.5 V和–2.5 V),兩個電源均上調+1 V至+3.5 V和–1.5 V。失調的變化對應于1 V的共模變化,因此直流CMRR是失調變化與1 V的比值。
CMRR是指共模變化的偏移變化,總電源電壓不變。另一方面,電源抑制比(PSRR)是失調變化與總電源電壓變化的比率,共模電壓在電源中點保持不變(圖7)。
圖7.直流磁比測量。
使用的電路完全相同;不同之處在于總電源電壓發(fā)生變化,而公共電平保持不變。此處的開關電壓為+2.5 V和–2.5 V至+3 V和–3 V,總電源電壓從5 V變?yōu)? V。共模電壓保持在中點。計算結果也相同(1000 × TP1/1 V)。
為了測量交流CMRR和PSRR,電源電壓隨電壓調制,如圖8和圖9所示。DUT繼續(xù)在直流下開環(huán)工作,但交流負反饋定義了精確的增益(圖中×100)。
圖8.交流共模抑制比測量。
為了測量交流CMRR,DUT的正電源和負電源使用幅度為1 V峰值的交流電壓進行調制。兩個電源的調制是同相的,因此實際電源電壓是穩(wěn)定的直流,但共模電壓是2V p-p的正弦波,這導致DUT輸出包含交流電壓,該電壓在TP2處測量。
如果TP2處的交流電壓的幅度為x伏峰值(2x伏峰峰值),則以DUT輸入為基準的CMRR(即在×100交流增益之前)為x/100 V,CMRR是該峰值與1 V峰值的比值。
圖9.交流磁比測量。
交流 PSRR 是在正電源和負電源上的交流電異相 180° 的情況下測量的。這導致電源電壓的幅度被調制(在本例中,峰值為1 V,峰值為2 V p-p),而共模電壓在直流時保持穩(wěn)定。計算與前一個非常相似。
結論
當然,還有許多其他運算放大器參數可能需要測量,以及我們討論過的許多其他測量方法,但正如我們所看到的,最基本的直流和交流參數可以通過一個簡單的基本電路可靠地測量,該電路易于構建、易于理解且沒有問題。
審核編輯:郭婷
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