電源“BM2SCQ12xT-LBZ”是面向大功率通用逆變器、AC伺服、工業(yè)用空調(diào)及街燈等工業(yè)設(shè)備開(kāi)發(fā)的內(nèi)置1700V耐壓SiC MOSFET的AC/DC轉(zhuǎn)換器IC。內(nèi)置SiC MOSFET的AC/DC轉(zhuǎn)換器IC在全球尚屬首創(chuàng)*,通過(guò)內(nèi)置SiC MOSFET,不再需要分立結(jié)構(gòu)部分的設(shè)計(jì),可更輕松地開(kāi)發(fā)更節(jié)能的AC/DC轉(zhuǎn)換器。*截至2019年4月ROHM調(diào)查數(shù)據(jù)
采用SiC MOSFET的好處
在高耐壓范圍中,SiC MOSFET與Si-MOSFET相比,具有開(kāi)關(guān)損耗和傳導(dǎo)損耗小、可支持大功率、耐溫度變化等優(yōu)勢(shì)。這些在Tech Web的“SiC功率元器件:基礎(chǔ)知識(shí)”中也有介紹。基于這些優(yōu)勢(shì),在A(yíng)C/DC轉(zhuǎn)換器和DC/DC轉(zhuǎn)換器等功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用中,SiC-MOSFET可帶來(lái)更高的功率轉(zhuǎn)換效率、散熱器件的小型化、高頻工作使電感更小等好處,具有更節(jié)能、部件數(shù)量更少、安裝面積更小等效果。
尤其是在交流400V工業(yè)設(shè)備中,這些優(yōu)勢(shì)促進(jìn)了SiC功率半導(dǎo)體的進(jìn)一步普及。除主要的電源電路外,還可以促進(jìn)亟需節(jié)能化的各種控制系統(tǒng)用輔助電源的高效化和小型化。
SiC MOSFET內(nèi)置型AC/DC轉(zhuǎn)換器IC“BM2SCQ12xT-LBZ”的特點(diǎn)
BM2SCQ12xT-LBZ采用專(zhuān)為內(nèi)置SiC MOSFET而開(kāi)發(fā)的專(zhuān)用封裝,并集成了專(zhuān)為工業(yè)設(shè)備的輔助電源而優(yōu)化的SiC MOSFET驅(qū)動(dòng)用柵極驅(qū)動(dòng)電路等控制電路和1700V耐壓SiC MOSFET。以下特點(diǎn)非常有助于工業(yè)設(shè)備的小型化、節(jié)能化及可靠性提升。
1. 將散熱板和多達(dá)12種產(chǎn)品一體化封裝,大大削減了部件數(shù)量,實(shí)現(xiàn)了小型化
相比采用Si-MOSFET的普通分立結(jié)構(gòu),BM2SCQ12xT-LBZ采用一體化封裝,1個(gè)封裝內(nèi)包含多達(dá)12種產(chǎn)品(AC/DC轉(zhuǎn)換器控制IC、800V耐壓Si-MOSFET×2、齊納二極管×3、電阻器×6)和散熱板。
不僅可大幅削減部件數(shù)量,同時(shí),還可使用更小型的部件,有助于電源電路的小型化。另外,由于SiC MOSFET具有高耐壓、抗噪性能優(yōu)異的特點(diǎn),還可實(shí)現(xiàn)降噪部件的小型化。
2. 縮短開(kāi)發(fā)周期并降低故障率,內(nèi)置必要的保護(hù)功能
通過(guò)將以往的分立結(jié)構(gòu)采用一體化封裝,可縮減各部件和SiC MOSFET的選型、評(píng)估、設(shè)計(jì)等開(kāi)發(fā)周期,部件數(shù)量更少,使可靠性更高。此外,除了通過(guò)內(nèi)置SiC MOSFET而實(shí)現(xiàn)的高精度過(guò)熱保護(hù)功能外,還配備了過(guò)負(fù)載保護(hù)、電源引腳的過(guò)電壓保護(hù)、過(guò)電流保護(hù)、二次側(cè)電壓的過(guò)電壓保護(hù)等各種保護(hù)功能。
3. 激發(fā)出SiC MOSFET的性能,節(jié)能效果顯著
最適合SiC MOSFET驅(qū)動(dòng)用的內(nèi)部柵極驅(qū)動(dòng)電路,可最大限度地激發(fā)出SiC MOSFET的性能。與采用Si-MOSFET的普通產(chǎn)品相比,效率提升高達(dá)5%(截至2018年4月ROHM調(diào)查數(shù)據(jù))。
另外,控制方式采用與普通的PWM方式相比運(yùn)行噪聲低、效率高的準(zhǔn)諧振方式,不僅效率更高,還可最大限度地降低噪聲的影響。
<產(chǎn)品陣容>
產(chǎn)品型號(hào) |
電源電壓 范圍 |
正常時(shí) 工作電流 |
猝發(fā)模式時(shí) 工作電流 |
最大工作 頻率 |
FB OLP | VCCOVP |
工作溫度 范圍 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
BM2SCQ121T-LBZ |
VCC: 15.0V ~ 27.5V DRAIN: 1700V (Max.) |
2000μA (Typ.) | 500μA (Typ.) | 120kHz (Typ.) |
Auto Restart |
Latch |
-40℃ ~ 105℃ |
BM2SCQ122T-LBZ | Latch | Latch | |||||
BM2SCQ123T-LBZ |
Auto Restart |
Auto Restart |
|||||
BM2SCQ124T-LBZ | Latch |
Auto Restart |
這些產(chǎn)品均可通過(guò)網(wǎng)售平臺(tái)購(gòu)買(mǎi)。另外,評(píng)估板也將于2019年夏季發(fā)售。
此外,已經(jīng)推出的未內(nèi)置SiC MOSFET的控制器型“BD7682FJ-LB”也在供應(yīng)中,其設(shè)計(jì)案例在Tech Web基礎(chǔ)知識(shí)AC/DC設(shè)計(jì)篇“使用SiC-MOSFET的隔離型準(zhǔn)諧振轉(zhuǎn)換器的設(shè)計(jì)案例”中有介紹,請(qǐng)一并參閱。
審核編輯黃宇
.bsm_tbl{ width:100%; margin:20px 0 5px 0; text-align: center; border: 1px solid #aaabaa; } .bsm_tbl tr.tbl_new{ background: #FFEDED; } .bsm_tbl tr th{ padding: 10px 4px !important; font-size: 100%; background-color: #eee; } .bsm_tbl tr th, .bsm_tbl tr td{ vertical-align: middle; border: 1px solid #aaabaa; padding: 5px; } .bsm_tbl tr td{ font-size: 90%; } .bsm_tbl img { max-width: 75px!important;}
td.tbl-left {text-align: left!important;}
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