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RF設(shè)計(jì)基礎(chǔ):駐波比、回波損耗和失配損耗

中科院半導(dǎo)體所 ? 來(lái)源:EETOP ? 2023-02-09 13:49 ? 次閱讀

了解電壓駐波比 (VSWR)、回波損耗和失配損耗,這有助于表征射頻 (RF) 設(shè)計(jì)中的波反射。 當(dāng)電波在其中傳播過(guò)程中,遇到的介質(zhì)的阻抗發(fā)生變化時(shí)會(huì)產(chǎn)生反射。當(dāng)我們打算將功率從信號(hào)鏈中的一個(gè)模塊傳輸?shù)较乱粋€(gè)模塊時(shí),這些反射是非常不希望的。 在本文中,我們將了解兩個(gè)參數(shù),即駐波比和回波損耗,它們使我們能夠表征RF設(shè)計(jì)中的波反射。我們還將討論參數(shù)化波反射對(duì)功率傳輸?shù)挠绊懙摹笆鋼p耗”規(guī)范。

計(jì)算 VSWR 公式

對(duì)于短路或開(kāi)路的傳輸線,會(huì)發(fā)生全反射,入射波和反射波的干擾會(huì)在傳輸線上產(chǎn)生駐波。例如圖 1 所示。

7f138bac-a834-11ed-bfe3-dac502259ad0.png

圖 1. 示例圖。 對(duì)于正弦輸入,穩(wěn)態(tài)響應(yīng)也是正弦的。長(zhǎng)度為 d = 0.2 米且負(fù)載短路 (ZL= 0),36個(gè)不同時(shí)刻沿線路的電壓波如圖2所示。

7f292b24-a834-11ed-bfe3-dac502259ad0.png

圖 2. 36個(gè)不同實(shí)例的電壓波形。 上面的曲線可以讓您了解電壓波的幅度如何沿線路變化。這種幅度變化最好通過(guò)上述圖的包絡(luò)線來(lái)顯示,如下圖3所示。

7f7be800-a834-11ed-bfe3-dac502259ad0.png

圖 3. 振幅變化圖。

請(qǐng)注意,包絡(luò)線的最小值為零伏。我們可以對(duì)任意負(fù)載重復(fù)相同的過(guò)程,比如 Γ = 0.5 的負(fù)載。這種情況下 36 個(gè)不同時(shí)刻的電壓波形圖如圖 4 所示。

7f933370-a834-11ed-bfe3-dac502259ad0.png

圖 4.另一個(gè)示例圖顯示了 36 個(gè)實(shí)例的電壓波形。

這些曲線的包絡(luò)如圖 5 所示。

7ff51d4c-a834-11ed-bfe3-dac502259ad0.png

圖 5. 示例電壓波包絡(luò)與位置圖。

上面的討論表明,當(dāng)發(fā)生全反射時(shí),包絡(luò)的最小值為零伏Vmin= 0(圖 3)。然而,對(duì)于部分反射,Vmin更接近峰值Vmax。在沒(méi)有反射的理想情況下,Vmax 實(shí)際上等于 Vmax。因此,Vmax與 Vmin之比(稱為VSWR)與阻抗不連續(xù)處發(fā)生的反射量有關(guān)。在數(shù)學(xué)語(yǔ)言中,VSWR 定義為:

80172f0e-a834-11ed-bfe3-dac502259ad0.png

全反射時(shí),駐波比為無(wú)窮大;對(duì)于匹配負(fù)載,VSWR 為 1;對(duì)于其他情況,VSWR 介于這兩個(gè)極值之間。例如,對(duì)于圖 5 中的包絡(luò)波形,VSWR為:

8034ef9e-a834-11ed-bfe3-dac502259ad0.png

可以很容易地看出,VSWR 與負(fù)載反射系數(shù)Γ 的關(guān)系由下式表示:

804ee336-a834-11ed-bfe3-dac502259ad0.png

這個(gè)等式允許我們測(cè)量 VSWR 并使用該信息來(lái)確定反射系數(shù)的大小。 附帶說(shuō)明一下,VSWR 參數(shù)可能在某種程度上失去了它曾經(jīng)具有的意義。當(dāng)今的高性能定向耦合器可以物理分離入射波和反射波,使我們能夠精確測(cè)量反射系數(shù)。 在傳輸線測(cè)量的早期,這些高性能定向耦合器是不可用的,公式2是測(cè)量Γ幅度的簡(jiǎn)單解決方案。為此,工程師只需要通過(guò)稱為開(kāi)槽線路的設(shè)備測(cè)量沿線路的最小和最大電壓。考慮到當(dāng)今高性能測(cè)量設(shè)備的可用性,VSWR有時(shí)被認(rèn)為是幾十年前遺留的參數(shù)。但是,RF工程師需要完全理解VSWR概念,因?yàn)樗匀煌ǔT跀?shù)據(jù)表中指定。

射頻回波損耗

考慮圖 6,其中傳輸線連接到 RF 組件的輸入。入射功率為 Pi,并且“觀察”RF組件輸入的反射系數(shù)Γ。

8064c12e-a834-11ed-bfe3-dac502259ad0.png

圖 6. RF 組件和傳輸線 在這里,我們感興趣的是表征有多少入射功率從 RF 組件 (Pr)反射。而反射系數(shù)Γ是反射電壓與入射電壓之比,|Γ|2表示反射功率與入射功率之比: 807ef530-a834-11ed-bfe3-dac502259ad0.png 用分貝表示上述等式會(huì)產(chǎn)生:?

808f589e-a834-11ed-bfe3-dac502259ad0.png

例如,如果|Γ|2=0.1,我們得到:

80a1918a-a834-11ed-bfe3-dac502259ad0.png

這意味著反射功率比入射功率低10 dB。在這種情況下,我們可以說(shuō)返回的入射信號(hào)部分經(jīng)歷了-10 dB的增益,或者等效地?fù)p失了+10 dB。換句話說(shuō),本例中的“回波損耗”為10 dB。 或者,回波損耗參數(shù)通常用于表示公式3和4。但是,此參數(shù)的名稱起初可能有點(diǎn)令人困惑?;夭〒p耗是指入射信號(hào)在從阻抗不連續(xù)性返回或反射時(shí)所經(jīng)歷的損耗。 請(qǐng)注意,對(duì)于無(wú)源電路,Γ的邊界介于 0 和 1 之間,因此,返回的信號(hào)會(huì)經(jīng)歷衰減或損耗而不是增益?;夭〒p耗通常用RL表示,由下式給出:

80b2f9de-a834-11ed-bfe3-dac502259ad0.png

例如,如果系統(tǒng)中的回波損耗指定為40 dB,您會(huì)立即知道反射功率比入射功率低40 dB。因此,回波損耗越大,負(fù)載與線路特性阻抗之間的匹配越好。 Γ、VSWR和回波損耗這三個(gè)參數(shù)都是指定負(fù)載與傳輸線匹配程度的不同方法。但是,與同時(shí)具有幅度和相位信息的Γ不同,VSWR和回波損耗僅提供幅度,沒(méi)有相位信息。

失配損耗

讓我們?cè)贆z查一次圖 6 中的配置。除了反射功率之外,我們還對(duì)表征阻抗失配對(duì)傳輸?shù)捷敵鯬的功率量的影響感興趣。首先,假設(shè)RF分量的功率增益是單位(G = 1)。換句話說(shuō),傳遞到RF組件輸入端的相同功率出現(xiàn)在其輸出端。由于阻抗失配會(huì)導(dǎo)致一些反射功率,因此會(huì)降低傳遞到RF組件的功率。G = 1時(shí),輸出功率Po等于入射功率和反射功率之差:

80c830f6-a834-11ed-bfe3-dac502259ad0.png

以分貝表示上述等式可得出:

80da696a-a834-11ed-bfe3-dac502259ad0.png

繼續(xù)使用示例值0.1

80ebf48c-a834-11ed-bfe3-dac502259ad0.png

這意味著輸出功率比入射功率低0.46 dB。換句話說(shuō),信號(hào)的增益為-0.46 dB,或者等效地?fù)p失為+0.46 dB。這種功率損耗被稱為“失配損耗”,因?yàn)樗鼉H源于阻抗失配。失配損耗參數(shù)告訴我們通過(guò)提供完美的阻抗匹配可以獲得多少增益改進(jìn)。在上述示例中,可獲得的增益改進(jìn)為0.46 dB。基于上述討論,用ML表示的失配損耗由以下等式給出:

81050418-a834-11ed-bfe3-dac502259ad0.png

從上面的解釋中可以清楚地看出,小的失配損耗是需要的,并且對(duì)應(yīng)于負(fù)載和線路之間更好的匹配。

兩個(gè)端口不匹配時(shí)的失配損耗

在圖 6 中,我們隱含地假設(shè)信號(hào)源(未顯示)的阻抗與線路特性阻抗匹配。如果不是這種情況,Pr 將重新反射源端的不連續(xù)性并影響入射波Pi。例如,當(dāng)我們通過(guò)傳輸線將源連接到負(fù)載時(shí)(圖 7(a))以及兩個(gè)級(jí)聯(lián)設(shè)備之間的接口(圖 7(b)),就會(huì)遇到這種情況。

811cbafe-a834-11ed-bfe3-dac502259ad0.png

圖 7. 源通過(guò)傳輸線 (a) 和兩個(gè)級(jí)聯(lián)設(shè)備之間的接口 (b) 連接到負(fù)載的示例圖。

在這種情況下,失配損耗(以線性項(xiàng)而不是分貝表示)由等式 8 給出。

812bf08c-a834-11ed-bfe3-dac502259ad0.png

。

上式指定了由于波反射而在輸入和輸出端口之間來(lái)回反彈的輸入功率部分。您可以在G. Gonzalez的“微波晶體管放大器”第 2 章中找到該方程式的推導(dǎo)。例如,假設(shè)圖7(a)中的Γ1 和Γ2分別為0.1和0.2。在這種情況下,我們有 ML = 1.011 的不匹配損失。以 dB 表示,由于兩個(gè)阻抗不連續(xù),我們有 0.05 dB 的損耗。 請(qǐng)注意,Γ 具有幅度和相位信息,并且相位角會(huì)影響等式 8 生成的 ML 值。讓我們重復(fù)上面的示例,其中 Γ1 = 0.1 和 Γ 2 = -0.2。在這種情況下,ML 計(jì)算為1.095 或 0.39 dB。

失配不確定度

上述示例突出了 RF 應(yīng)用中的嚴(yán)峻挑戰(zhàn)。由于等式 8 中的失配損耗取決于反射系數(shù)的相位角,并且注意到在許多實(shí)際情況下,只有反射系數(shù)的大小是已知的,因此對(duì)于實(shí)際從輸入傳輸?shù)捷敵龅墓β视卸嗌俅嬖谝恍┎淮_定性. 例如,知道 |Γ1|= 0.1 和 |Γ2|=0.2,失配損耗介于 0.05 dB 和 0.39 dB 之間。由這些上限和下限指定的范圍稱為失配不確定性。

審核編輯 :李倩

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