本應(yīng)用筆記提供了DS2148/DS21348/DS21Q48/DS213Q48和DS21448的寄存器設(shè)置,用于配置發(fā)送器的脈沖幅度不同于數(shù)據(jù)資料中記錄的線路構(gòu)建(LBO)模式。下表列出了寄存器設(shè)置,并定義了3.3V (DS21348、DS21Q348)和5V (DS2148、DS21Q48)器件的脈沖幅度。
表 1.DS21348、DS21Q348寄存器設(shè)置
工作電壓:3.3V (VSM 引腳有線低電平) 適用器件:DS21348、DS21Q348 適用器件版本:A2、B1、C1 和 C2 (DS21Q348)工作模式:E1
L2 (CCR4.7) |
L1 (CCR4.6) |
L0 (CCR4.5) |
應(yīng)用 |
脈沖幅度的典型 變化 |
回波 損耗(分貝) |
Rt(Ω) |
0 | 1 | 0 | 75Ω 正常 | 比 LBO 設(shè)置 7 增強(qiáng) 0% | KMK | 0 |
0 | 1 | 1 | 120Ω 正常 | 比 LBO 設(shè)置 8 增強(qiáng) 1% | KMK | 0 |
1 | 1 | 0 | 120Ω 正常,高回波損耗 | LBO 設(shè)置 8 的衰減為 5% | 21 | 9.1 |
1 | 1 | 1 | 120Ω 正常,高回波損耗 | LBO 設(shè)置 4 的衰減為 5% | 21 | 10 |
N.M. = 沒(méi)有意義
表 2.DS2148、DS21Q48寄存器設(shè)置
工作電壓:5V (VSM 引腳有線高電平) 適用器件:DS2148、DS21Q48 適用器件版本:A2、B1、C1 和 C2 (DS21Q48)
工作模式:E1
L2 (CCR4.7) |
L1 (CCR4.6) |
L0 (CCR4.5) |
應(yīng)用 |
脈沖幅度的典型 變化 |
回波 損耗(分貝) |
Rt(Ω) |
0 | 1 | 0 | 75Ω 正常 | 比 LBO 設(shè)置 10 增強(qiáng) 0% | KMK | 0 |
0 | 1 | 1 | 120Ω 正常 | 比 LBO 設(shè)置 10 增強(qiáng) 1% | KMK | 0 |
1 | 1 | 0 | 120Ω 正常,高回波損耗 | LBO 設(shè)置 10 的衰減為 5% | 21 | 22 |
1 | 1 | 1 | 120Ω 正常,高回波損耗 | 比 LBO 設(shè)置 10 增強(qiáng) 5% | 21 | 33 |
除了這些設(shè)置之外,還可以通過(guò)設(shè)置測(cè)試寄存器2(地址14h)在以下設(shè)備中獲得額外的脈沖幅度,如表3所示。
表 3.其他脈沖幅度設(shè)置
操作模式 | 適用設(shè)備 | 適用的設(shè)備修訂版 | 測(cè)試2(地址 14H)寄存器設(shè)置 |
脈沖幅度的典型 變化 |
E1 | DS21348、DS21Q348 | C1 | D0 | 與 LBO 設(shè)置 38、0、1 和 2 相比增強(qiáng) 3% |
DS21348, DS21Q348, DS2148, DS21Q48 | C1 | E0 | 與 LBO 設(shè)置 19、0、1 和 2 相比增強(qiáng) 3% | |
T1/J1 | DS21348、DS21Q348 | C1 | D0 | 與 LBO 設(shè)置 38、0、5 和 6 相比增強(qiáng) 7% |
DS21348, DS21Q348, DS2148, DS21Q48 | C1 | E0 | 與 LBO 設(shè)置 19、0、5 和 6 相比增強(qiáng) 7% | |
E1 | DS21448 | 答1 | D0 | 與 LBO 設(shè)置 33、0、1 和 2 相比提高了 3% |
T1/J1 | DS21448 | 答1 | D0 | 與 LBO 設(shè)置 33、0、5 和 6 相比增強(qiáng) 7% |
除上述設(shè)置外,在地址 14h(寄存器 TEST2)中寫(xiě)入十六進(jìn)制 BO 可減少波形振鈴的任何趨勢(shì)。
審核編輯:郭婷
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