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DS2148、DS21348、DS21Q48、DS21Q348和DS21448的附加脈沖幅度設(shè)置

星星科技指導(dǎo)員 ? 來(lái)源:ADI ? 作者:ADI ? 2023-02-13 15:42 ? 次閱讀

本應(yīng)用筆記提供了DS2148/DS21348/DS21Q48/DS213Q48和DS21448的寄存器設(shè)置,用于配置發(fā)送器的脈沖幅度不同于數(shù)據(jù)資料中記錄的線路構(gòu)建(LBO)模式。下表列出了寄存器設(shè)置,并定義了3.3V (DS21348、DS21Q348)和5V (DS2148、DS21Q48)器件的脈沖幅度。

表 1.DS21348、DS21Q348寄存器設(shè)置

工作電壓:3.3V (VSM 引腳有線低電平) 適用器件:DS21348、DS21Q348 適用器件版本:A2、B1、C1 和 C2 (DS21Q348)工作模式:E1

L2
(CCR4.7)
L1
(CCR4.6)
L0
(CCR4.5)
應(yīng)用 脈沖幅度的典型
變化
回波
損耗(分貝)
Rt(Ω)
0 1 0 75Ω 正常 比 LBO 設(shè)置 7 增強(qiáng) 0% KMK 0
0 1 1 120Ω 正常 比 LBO 設(shè)置 8 增強(qiáng) 1% KMK 0
1 1 0 120Ω 正常,高回波損耗 LBO 設(shè)置 8 的衰減為 5% 21 9.1
1 1 1 120Ω 正常,高回波損耗 LBO 設(shè)置 4 的衰減為 5% 21 10

N.M. = 沒(méi)有意義

表 2.DS2148、DS21Q48寄存器設(shè)置

工作電壓:5V (VSM 引腳有線高電平) 適用器件:DS2148、DS21Q48 適用器件版本:A2、B1、C1 和 C2 (DS21Q48)

工作模式:E1

L2
(CCR4.7)
L1
(CCR4.6)
L0
(CCR4.5)
應(yīng)用 脈沖幅度的典型
變化
回波
損耗(分貝)
Rt(Ω)
0 1 0 75Ω 正常 比 LBO 設(shè)置 10 增強(qiáng) 0% KMK 0
0 1 1 120Ω 正常 比 LBO 設(shè)置 10 增強(qiáng) 1% KMK 0
1 1 0 120Ω 正常,高回波損耗 LBO 設(shè)置 10 的衰減為 5% 21 22
1 1 1 120Ω 正常,高回波損耗 比 LBO 設(shè)置 10 增強(qiáng) 5% 21 33

除了這些設(shè)置之外,還可以通過(guò)設(shè)置測(cè)試寄存器2(地址14h)在以下設(shè)備中獲得額外的脈沖幅度,如表3所示。

表 3.其他脈沖幅度設(shè)置

操作模式 適用設(shè)備 適用的設(shè)備修訂版 測(cè)試2(地址 14H)寄存器設(shè)置 脈沖幅度的典型
變化
E1 DS21348、DS21Q348 C1 D0 與 LBO 設(shè)置 38、0、1 和 2 相比增強(qiáng) 3%
DS21348, DS21Q348, DS2148, DS21Q48 C1 E0 與 LBO 設(shè)置 19、0、1 和 2 相比增強(qiáng) 3%
T1/J1 DS21348、DS21Q348 C1 D0 與 LBO 設(shè)置 38、0、5 和 6 相比增強(qiáng) 7%
DS21348, DS21Q348, DS2148, DS21Q48 C1 E0 與 LBO 設(shè)置 19、0、5 和 6 相比增強(qiáng) 7%
E1 DS21448 答1 D0 與 LBO 設(shè)置 33、0、1 和 2 相比提高了 3%
T1/J1 DS21448 答1 D0 與 LBO 設(shè)置 33、0、5 和 6 相比增強(qiáng) 7%

除上述設(shè)置外,在地址 14h(寄存器 TEST2)中寫(xiě)入十六進(jìn)制 BO 可減少波形振鈴的任何趨勢(shì)。

審核編輯:郭婷

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    DS21Q48 接口 - 電信

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    DS21Q43AT 接口 - 電信

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    DS21Q48B 接口 - 電信

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    DS21Q48N 接口 - 電信

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    DS21448 接口 - 電信

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