Rambus宣布推出最新的RCD(registeringclock driver)芯片，傳輸速度可達6400 MT/s，標志著DDR5內存性能的飛躍。隨著CPU頻率和核心數(shù)量的增加，如果內存性能跟不上CPU的性能，就會迅速成為系統(tǒng)瓶頸，Rambus希望通過RCD來解決這個問題。

內存帶寬大小在現(xiàn)代計算中非常重要，在數(shù)據(jù)中心等應用場景下尤為如此。在不久的將來，DDR5內存將提供比DDR4更大的改進，同時可以長期提高內存的理論最大性能。RCD在服務器級內存性能中起著至關重要的作用，使其成為DDR5發(fā)展過程中的一個重要里程碑。

為了更深入地了解最新RCD提供的具體益處，本文采訪了Rambus數(shù)據(jù)中心產品工程副總裁John Eble，以了解這項技術對DDR5 DRAM系統(tǒng)設計的重要性。

我們需要一個更大的DIMM

隨著人們對AI/ML和HPC應用興趣的不斷增加，數(shù)據(jù)中心現(xiàn)在比以往任何時候都更渴望高性能內存。用于計算機內存的DDR4標準正在接近其最大理論傳輸速度。因此，需要DDR5來實現(xiàn)內存的持續(xù)可擴展性。

考慮到CPU市場的趨勢是指向更高數(shù)量的內核，而不是單純提高時鐘頻率，因為后者會降低電源效率。特別是對于HPC應用而言，高性能RAM是確保最大計算效率的必要條件。

“隨著核心數(shù)量的增加，整個芯片不僅需要更大的帶寬，還需要更大的容量。因為每個核心所需的帶寬和容量要么是平穩(wěn)增長，要么是緩慢增長，而且核心數(shù)量也會增加。”

在服務器級應用中，需要在所有操作條件下保持一致的內存性能，這就是RCD可以提供明顯優(yōu)勢的地方。RCD充當CPU和內存模塊之間的中介，有助于確保在不同溫度和計算負載下保持內存速度。

DDR5速度的持續(xù)創(chuàng)新

Rambus最新的RCD實際上是他們的第三代RCD芯片，比Gen1 DDR5設備性能提高了33%。除了6.4 GT/s的驚人內存速度外，RCD電壓僅需1.1 V，有助于提高數(shù)據(jù)中心應用中的電源效率和熱性能。更多信息可參閱DDR5 RCD 6400 MT/s產品簡介。

6400 MT/s RCD可與Rambus的其他DDR5芯片(包括串行存在檢測(SPD)集線器和溫度傳感器)一起使用，以實現(xiàn)“更智能”的內存。當討論包含Rambus硬件的DDR5 DIMM時，Eble表示：“有了集線器和熱傳感器，底板管理控制器(BMC)或CPU可以讀取溫度，并根據(jù)溫度做出改變風扇速度、節(jié)流或提高刷新率等決定?！?/p>

更好，更快，更有效的內存

縱觀HPC的最新進展時，很容易被處理器的計算能力所吸引，而忽略了內存的影響。然而，內存性能會迅速削弱最強大處理器的速度，并最終使系統(tǒng)性能低于標準。正是出于這個原因，Eble相信DDR5內存將成為全球數(shù)據(jù)中心不可或缺的一部分。

用汽車工業(yè)來為例，內存和CPU的設計必須緊密結合在一起，Eble表示“最好提前幾年進行規(guī)劃”。

“這就像我們制造的部件是汽車發(fā)動機的核心部件一樣，內存與CPU緊密耦合。如果制作PCIe卡、CXL卡或SSD，那么可以進行更多的獨立工作，因為后面可以制作插件。但要讓CPU真正發(fā)揮作用，它需要與內存緊密合作。”

通常情況下，內存模塊的整體性能取決于各種因素，所以僅通過Rambus RCD并不能保證6.4 GT/s的性能。然而，Rambus的持續(xù)創(chuàng)新使DIMM制造商看到了能夠穩(wěn)步提高其產品性能的希望。

審核編輯 ：李倩