上節(jié)講了一下反激的RCD吸收電路及大致參數(shù)的選取，RCD吸收電路成本低廉，所以應用最為廣泛，但是也有其局限性，一般用在窄輸入范圍電壓下，因為隨著輸入電壓的變高，初級的峰值電流見小，自然漏感中儲存的能量也會見小，吸收電容上的電壓值就會過低，及鉗位電壓過低，如果鉗位電壓變低，可能導致反折電壓比鉗位電壓大，則原邊鉗位電路就會增加很大的損耗，變換器的整體效率也會變低。

下面介紹一種DD吸收（二極管和TVS，TVS是瞬態(tài)抑制二極管）電路

二極管D和TVS管組成的吸收電路

由于TVS管的擊穿電壓基本都是穩(wěn)定的，而反激變換器隨著輸入電壓變高，原邊電流見小，漏感儲存的能量也會相應的減小，所以加TVS管吸收電路的損耗是隨著輸入電壓升高而降低的，適合寬范圍輸入的反激變換器，而且用到的TVS相比于RCD里的吸收電阻體積較小。

上圖的R1和C1也是可以不加的，加R1和C1的主要作用是：當mos管電壓還未上升到TVS擊穿電壓時，可以有一部分能量被C1儲存起來，加RC的目的主要是為了防止線路上有震蕩，對優(yōu)化EMI有一定的好處，這個參數(shù)要自己實驗得出。有的電路還會在TVS管和二極管D之間加一個小的電阻，也是為了防止震蕩的，對優(yōu)化EMI也有一定的用處，但是這個位置的電阻不能加的過大，否則TVS管就無法導通，導致鉗位失去作用，最終可能造成主功率管損壞。

下面介紹另一種反激變換器吸收電路

三繞組吸收反激電路

三繞組吸收反激電路

這個是利用變壓器多加一個繞組來實現(xiàn)磁復位的，一般繞組的NP和N3的繞組匝數(shù)為1:1，這種方式的效率會稍高，因為在開關管關斷時，變壓器漏感的能量會由N3繞組經(jīng)過二極管回饋到輸入端，所以損耗不大，吸收效果也較好。

但是這種結構也會有缺點，變壓器需要多增加一個繞組，而且要和NP繞組雙股并繞，工藝復雜，變壓器體積和成本都會增加，一般只能工作在占空比小于0.5的時候，當占空比大于0.5，變壓器就不容易復位。