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基于薄膜工藝的W波段LTCC濾波器的研制

jf_tyXxp1YG ? 來(lái)源:中科聚智 ? 2023-03-26 10:57 ? 次閱讀

摘要:本文采用自主開(kāi)發(fā)的低介電常數(shù)低損耗LTCC材料K5研制了一款W波段帶通濾波器。該帶通濾波器采用工作在TE104次模的SIW結(jié)構(gòu),為了減小LTCC印刷導(dǎo)體表面粗糙度大帶來(lái)的損耗,該濾波器在LTCC上下兩個(gè)表面的金屬采用了薄膜工藝進(jìn)行加工。濾波器測(cè)試結(jié)果表明在頻率86.5GHz~91.5GHz范圍內(nèi)插入損耗小于2.7d B(駐波<1.6)。

引言

作為大氣傳播中傳播衰減較小的一個(gè)頻段,W波段已經(jīng)在雷達(dá)、導(dǎo)彈末制導(dǎo)、毫米波對(duì)抗、毫米波通信等領(lǐng)域得到了廣泛的應(yīng)用,而濾波器是這些系統(tǒng)中常用的無(wú)源器件。在 W 頻段常用的濾波器是波導(dǎo)腔體濾波器,它具有插入損耗小、矩形系數(shù)好、易于通過(guò)機(jī)加工實(shí)現(xiàn)等優(yōu)點(diǎn),但該類濾波器最大的缺點(diǎn)是體積比較大,且很難和平面電路進(jìn)行集成,另外隨著頻率的提高,對(duì)濾波器的加工精度要求也提高了。為了和平面電路進(jìn)行集成,也可以在介質(zhì)基板上采用微帶線或帶狀線設(shè)計(jì)濾波器,它的優(yōu)點(diǎn)是可以和其他的有源器件進(jìn)行系統(tǒng)集成,減小體積,但它的缺點(diǎn)也是很明顯的,就是插入損耗比較大,這是由于平面電路本身的特性和所使用的材料決定的。SIW 結(jié)構(gòu)結(jié)合了波導(dǎo)和平面電路的優(yōu)點(diǎn),其性能介于兩者之間,已經(jīng)成為毫米波濾波器設(shè)計(jì)的重要發(fā)展方向。

1、K5 LTCC材料特性

本文基于自主開(kāi)發(fā)的K5 LTCC陶瓷材料進(jìn)行W波段帶通濾波器的設(shè)計(jì)和加工。K5 LTCC陶瓷材料是采用多步固相合成的CaO-B2O3-SiO2體系復(fù)相材料和高硅玻璃二元復(fù)合的材料系統(tǒng),并添加少量析晶抑制劑來(lái)穩(wěn)定材料的相組成。多步固相合成的CaO-B2O3-SiO2體系復(fù)相材料主要由硅灰石等結(jié)晶相組成,減小了玻璃無(wú)規(guī)則網(wǎng)絡(luò)帶來(lái)的毫米波條件下的介電損耗,預(yù)先形成的結(jié)晶相也避免了傳統(tǒng)微晶玻璃在燒結(jié)過(guò)程中析晶相受工藝條件的影響而導(dǎo)致的介電常數(shù)波動(dòng)。析晶抑制劑的加入可以抑制高硅玻璃在LTCC 材料燒結(jié)過(guò)程中形成結(jié)晶石英相而帶來(lái)的介電常數(shù)變化及力學(xué)性能等的變化,從而保證LTCC 材料的介電性能精確可控。K5 LTCC 材料的具體性能參數(shù)如表1所示,其介電特性、物理特性和燒結(jié)溫度都滿足 W 波段電路設(shè)計(jì)和現(xiàn)有的 LTCC 加工工藝要求。

表1 K5低介電材料綜合性能

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2、W波段帶通濾波器設(shè)計(jì)

W波段濾波器指標(biāo):中心頻率:89GHz;相對(duì)帶寬:5%;插入損耗:<3dB;采用 2 階 Chebyshev 濾波器形式。

根據(jù)耦合矩陣?yán)碚?,可以?yōu)化得到設(shè)計(jì)該濾波器的耦合矩陣如式(1)所示。外部品質(zhì)因數(shù):

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其頻率響應(yīng)特性如圖(1)所示。

在設(shè)計(jì)該濾波器時(shí)采用 TE104模,諧振腔的諧振頻率和腔體的物理尺寸關(guān)系如式(2)所示。

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式(2)中,m,n, p分別是諧振腔寬度、高度和長(zhǎng)度方向上的模式,此處m=1,n=0,p=4,Weff,Heff,Leff是等效波導(dǎo)寬度、高度和長(zhǎng)度,它們和SIW結(jié)構(gòu)的物理參數(shù)的關(guān)系如式(3)所示。

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圖 1 基于耦合矩陣的 W 波段濾波器特性

式(3)中,W, L, d,s 分別為SIW諧振腔的寬度、長(zhǎng)度、通孔的直徑以及通孔間的間距,如圖(2)所示。

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圖2 SIW諧振腔結(jié)構(gòu)及尺寸

根據(jù) K5 材料的介電常數(shù),可以計(jì)算出 TE104 模在 89.0GHz 頻率諧振時(shí)的物理尺寸:W=1.5mm,H=0.6mm,L=3.25mm,濾波器輸入輸出端采用共面波導(dǎo)進(jìn)行激勵(lì),兩個(gè)諧振腔之間采用感性耦合窗實(shí)現(xiàn)耦合,耦合系數(shù)通過(guò)公式(4)確定。

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式(4)中,k 是耦合系數(shù),fp1,fp2表示相互耦合的兩諧振器等效電路的對(duì)稱面上分別是理想電壁或理想磁壁將兩個(gè)諧振器隔開(kāi)時(shí)對(duì)應(yīng)與上述兩種情況的單個(gè)諧振器的諧振頻率。耦合系數(shù)的大小和耦合窗的寬度相關(guān),可以通過(guò)仿真和式(4)得到耦合系數(shù)和耦合窗的寬度的關(guān)系曲線,從而獲得該濾波器耦合系數(shù)對(duì)應(yīng)的耦合窗的寬度。

對(duì)于該模型的外部品質(zhì)因數(shù)的提取,需建立其單端口模型,對(duì)其進(jìn)行全波仿真,得到單端口群時(shí)延大小,通過(guò)公式(5)計(jì)算得出其外部品質(zhì)因數(shù)大小。

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根據(jù)上面的仿真和計(jì)算結(jié)果建立如圖 3 所示的濾波器仿真模型,在此基礎(chǔ)上進(jìn)行優(yōu)化,可以得到滿足指標(biāo)要求的濾波器的最終物理尺寸。

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圖3 共面波導(dǎo)激勵(lì)的二階 SIW 濾波器仿真模型

3、W 波段帶通濾波器的制作

在 W 頻段基于常規(guī) LTCC 工藝的濾波器損耗特性是它能否滿足實(shí)際使用需求的關(guān)鍵指標(biāo)。SIW 結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)的濾波器的損耗主要包括了輻射損耗、介質(zhì)損耗和金屬導(dǎo)體損耗。實(shí)際建立仿真模型時(shí),SIW 的側(cè)壁通過(guò)三排的金屬孔來(lái)實(shí)現(xiàn),如圖 3 所示,這三排金屬孔錯(cuò)位放置,這樣既可以減小 SIW 側(cè)壁電磁泄露,又能滿足 LTCC 基板加工的要求。介質(zhì)損耗由 LTCC 材料的介質(zhì)損耗角 tanδ決定,本文設(shè)計(jì)的濾波器采用了自主開(kāi)發(fā)的 K5 LTCC材料的介質(zhì)損耗角為0.0012,屬于損耗比較低的 LTCC 材料;金屬損耗主要取決于所使用的金屬,在LTCC 工藝中通常采用銀或者是金,這兩種材料導(dǎo)電率都比較高,但在常規(guī)的LTCC 工藝中,金屬是以金屬漿料的形式通過(guò)絲網(wǎng)印刷工藝在 LTCC 生瓷上的,金屬漿料內(nèi)摻雜了一些有機(jī)溶劑,在燒結(jié)的過(guò)程中有機(jī)溶劑揮發(fā),導(dǎo)致了金屬導(dǎo)體的表面粗糙度變得非常差(2-3μm),隨著頻率的升高,金屬表面粗糙度將成為影響器件損耗的關(guān)鍵因素。為了降低金屬導(dǎo)體的表面粗糙度,在常規(guī) LTCC 工藝的基礎(chǔ)上增加了薄膜工藝流程,LTCC 基板內(nèi)部的電路還采用常規(guī)的絲網(wǎng)印刷工藝,而在 LTCC 基板表面的金屬,也就是 SIW 結(jié)構(gòu)的上下底面金屬采用薄膜工藝進(jìn)行制作,工藝過(guò)程包括基板的拋光、金屬濺射、電鍍金等流程,最終可以使金屬的表面粗糙度降到 0.2μm,能有效降低濾波器的導(dǎo)體損耗。另外本文設(shè)計(jì)的濾波器為了能夠用探針進(jìn)行電性能測(cè)試,輸入輸出端的共面波導(dǎo)信號(hào)線的線條寬度為75μm,信號(hào)線和地之間的間距為 25μm,這是常規(guī)的 LTCC 絲網(wǎng)印刷工藝不能實(shí)現(xiàn)的,而薄膜工藝可以制作相對(duì)于印刷工藝更細(xì)的線條和線條間距,而且可以把金屬線條以及線條之間間距的精度控制在 1μm以內(nèi)。

4、W 波段帶通濾波器的測(cè)試

采用探針對(duì)制作的 LTCC 濾波器的性能進(jìn)行了測(cè)試,測(cè)試設(shè)備包括 Agilent PNA-X N5245A型矢量網(wǎng)絡(luò)分析儀和一對(duì)OMLWR-10(75GHz~100GHz)括頻模塊以及CASCADE 的 S-GSG100 探針。濾波器的測(cè)試結(jié)果和仿真結(jié)果對(duì)比如圖 4 所示,兩者吻合較好,濾波器在 86.5GHz~91.5GHz 頻率范圍內(nèi)測(cè)試的插入損耗小于2.7dB,滿足設(shè)計(jì)目標(biāo)要求。

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圖4 濾波器測(cè)試和仿真結(jié)果對(duì)比

5、結(jié)論

本文基于自主開(kāi)發(fā)的 K5LTCC 材料采用 SIW 結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)了一款 2 階 W 波段帶通濾波器,在常規(guī)的 LTCC 基板制作工藝基礎(chǔ)上增加了薄膜工藝以降低濾波器表面金屬的粗糙度,從而改善濾波器的損耗特性,制作的濾波器樣品的中心頻率為89GHz,在5%的相對(duì)帶寬內(nèi)測(cè)試插入損耗小于2.7d B,達(dá)到了小于3d B的預(yù)期目標(biāo)。

審核編輯:湯梓紅

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原文標(biāo)題:基于薄膜工藝的W波段LTCC濾波器的研制

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