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深度剖析振蕩器電路中晶體的高穩(wěn)定性

科技觀察員 ? 來源:circuitdigest ? 作者:circuitdigest ? 2023-04-02 10:05 ? 次閱讀

高質量RC振蕩器的穩(wěn)定性預計在0.1%左右,而通常我們可以假設LC振蕩器的穩(wěn)定性高達0.01%。當需要更高水平的穩(wěn)定性時,我們必須使用基于晶體的振蕩器電路。

與LC網(wǎng)絡相比,晶體在振蕩器電路中如此重要的主要原因是其高度的穩(wěn)定性,可確保精確的振蕩頻率,幾乎沒有高輸出幅度。

LC 共振與晶體共振

與LC電路相關的電磁共振相反,我們發(fā)現(xiàn)壓電晶體的機電共振。唯一的區(qū)別是晶體可以簡單地通過機器加工,以獲得接近百萬分之10(ppm)的固有頻率的高精度結果。

晶體中使用哪種材料

許多晶體材料,其中石英恰好是一個主要的例子,具有這些材料在暴露于機械應力時能夠產(chǎn)生電場的特性。另一方面,石英材料一旦暴露在電場中,往往會發(fā)生物理變形。這種現(xiàn)象稱為壓電效應。因此,您可以切割晶體,使其在暴露于交流電場后立即以某個指定頻率進行物理振蕩。

盡管石英是最常用的物質之一,但其他材料,例如鉭酸鋰、氧化鉍鍺、鈮酸鋰和磷酸鋁也應用于多種應用。

此外,您會發(fā)現(xiàn)陶瓷元素,例如用于制造晶體的PZT陶瓷,其中涉及鉛,鋯和鈦的固體溶液。另一個壓電類別包括聚氯乙烯和二氟聚乙烯等聚合物。對于這些材料,壓電特性取決于這些材料的加工方式。

使用上述材料的細塑料薄膜首先加熱,然后受到強大的電場,隨后在室溫下冷卻。這個過程有助于物質的極化,隨后獲得壓電屬性。

晶體電子建模

電子角度來看,如下圖所示的RLC電路可以作為模擬晶體工作的模型來實現(xiàn)。

pYYBAGQo4p-AZvUKAAAv6lIrZw4423.png

電感L可以與石英片的質量進行比較。電容器C與石英片的剛性進行比較。電阻R對應于由于晶體中發(fā)生的物理失真而發(fā)生的能量損失。

另一個電容器Co的行為類似于涂覆在石英材料兩側的導電電極之間的電容。

通常,L可以是非常大的電感,而C的值非常低。例如,在適當切割以200 kHz振動的晶體中,L可以是27 H,C基本上可以是0.024 pF,R可以是2 kΩ,C0可以是9 pF。

像這樣的星等通常在計算機模擬中對晶體行為進行建模時使用。所使用的L與C比非常高,我們可以通過使用真正的電子零件獲得,為晶體提供極高的Q(品質因數(shù))。

晶體的Q因數(shù)通常在100,000左右,而大多數(shù)LC網(wǎng)絡的Q值僅在幾百范圍內。

串聯(lián)和并聯(lián)諧振模式下的工作晶體

您可以在串聯(lián)共振模式或并聯(lián)共振模式下操作晶體。當應用于串聯(lián)諧振模式時,晶體的行為類似于串聯(lián)連接的電容器和電感。晶體阻抗可以最?。▋H對應于R)。

當在并聯(lián)諧振模式下使用時,晶體的工作原理類似于并聯(lián)的電感器和電容器。在這種模式下,晶體的阻抗在施加的諧振頻率下增加到最高水平。

晶體的切割方式通常允許它們在串聯(lián)或并聯(lián)共振模式下以最佳方式運行。

晶體的切割決定了晶體將如何振蕩,振動的方式以及實現(xiàn)所需的晶體薄膜的大小。如果晶體被激發(fā)為縱向振動函數(shù),則可以使用以下給定公式粗略計算諧振頻率。

fo= 2.7 x 103/ 升

這里L表示晶體的大小參數(shù),其中單位將以米為單位。公式中的數(shù)值常數(shù)表示晶體振動的相速度。

因此,如果所需的頻率fo選擇為100 kHz,則L必須為2.7cm。如果 fo 要求為 10 MHz,則 L 為 0.27 mm

晶體基頻和泛音頻

此外,它們的切割方式通常允許它們在基波模式或諧波(泛音)模式下工作。

泛音是晶體基頻的奇次諧波,確保晶體能夠在基波和諧波下工作。例如,如果我們有一個晶體切割以 100 kHz 振蕩,那么它也應該以 300 kHz、500 kHz、700 kHz 和其他更大的諧波振蕩。

晶體限制

我們在晶體中可能發(fā)現(xiàn)的缺點之一是,當晶體被切割成包含較大的基頻時,最終可能會變得非常薄。因此,它很容易受到物理損壞和破損。

基模晶體的最高頻率限制約為 70 Hz。 用于在可能數(shù)百MHz范圍內的頻率下工作的晶體被切割,以便它們獲得略低的基波范圍,但可以在諧波模式下進行控制。

通過這種方法,可以獲得晶體的最大振蕩頻率約為500 MHz。

晶體的熱穩(wěn)定性

熱穩(wěn)定性在某些振蕩器應用中至關重要。溫度系數(shù)由晶體的切割方式?jīng)Q定。例如,流行的AT-cut在?55°C至+105°C的溫度范圍內提供溫度系數(shù)約為±0.002%的晶體。

該溫度系數(shù)范圍相當于大多數(shù)電容器的一定百分比。

為了獲得更高的穩(wěn)定性,晶體通常在“烤箱”中進行處理。在這個過程中,晶體被切割,以便能夠在可能高于室溫的溫度下獲得最小溫度系數(shù)。在這里,烘箱保持在高于室溫的規(guī)定。

由于烤箱中使用的高功率參與,涉及巨大笨重的烤箱以及烤箱加熱所需的時間,您可能會發(fā)現(xiàn)在此過程中的缺點。

然而,我們得到的高度改進的結果是晶體的熱穩(wěn)定性增強,大約是千萬分之±5。

隨著高頻通信信道的增加,以及數(shù)字電路中時鐘速度的提高,晶體逐漸被陶瓷諧振器所取代。這些陶瓷諧振器通常是PZT陶瓷或類似壓電元件的微小圓盤,可有效處理千兆赫茲范圍內的頻率。

振蕩器中的晶體

由于其高穩(wěn)定性,晶體用于替代或部分替代大多數(shù)振蕩器電路中的LC諧振電路級。

例如,Colpitts振蕩器的晶體控制模型包括晶體和電容器,而不是電感L1。

pYYBAGQo4k-AcB7JAAIWmiohClQ055.png

當安裝晶體代替電感器時,頻率設置得更準確。在這種類型的振蕩器電路中,晶體通常以并聯(lián)諧振模式控制,在諧振頻率中具有盡可能高的阻抗,從而產(chǎn)生具有非常高幅度的輸出頻率。

下圖中所示的皮爾斯振蕩器是一個示例,它展示了在串聯(lián)諧振模式下工作的晶體。反饋通過晶體引導,當晶體在串聯(lián)模式下諧振時,它達到最大電平,使用最小阻抗。

poYBAGQo4m6ADp3PAAKWKt76uM4185.png

請注意,該振蕩器可以在需要調諧電路的情況下可靠地工作,只需依靠晶體即可決定其振蕩頻率。晶體振蕩器不僅功能非常準確,而且通常是最快的振蕩器之一。當今的數(shù)字電路需要極快的時鐘來操作它們,頻率可能在數(shù)百兆赫茲之間。

表面聲波器件

您會發(fā)現(xiàn)一些與表面聲波 (SAW) 器件配合使用的最快振蕩器。它們是微小的壓電物質條,其末端鍍有許多電極,如下所示。

在可以是輸入端的一端,當在電極之間施加電場時,會導致帶材的外部變形。該動作產(chǎn)生沿帶材表面積傳播的振動波。這就像一個聲波,能夠以非常高的速度穿過條帶,與大約3000米/秒的聲速一樣快。幾分之一秒后,一旦波涌入延伸到另一端,可以是條帶的輸出,與波有關的電場就會在連接的電極上產(chǎn)生電位差。

pYYBAGQo4oCAHDYHAAKe0hwG0MA503.png

由于兩端電極之間的間隙可以確定哪個頻率會更強烈地饋入SAW并從另一端檢索,因此SAW通常用于帶通濾波器。波穿過條帶所需的時間為濾波器提供了延遲塊單元的特性。

當用作振蕩器的元件時,SAW延遲塊可以完全按照上述方式在相移濾波器的RC網(wǎng)絡中使用。產(chǎn)生180°相移所需的時間非常短,因此,這種振蕩器的頻率非常高。通常,它們的范圍高達2 GHz左右。 在反饋回路中使用介電諧振器的振蕩器甚至可以超出2 GHz范圍。在這個層面上,我們可以有效地進入微波頻譜,它具有自己的特殊特征。

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