電源設(shè)計(jì)人員面臨許多權(quán)衡取舍。需要高效率、大轉(zhuǎn)換比、高功率和良好的熱性能?選擇開關(guān)穩(wěn)壓器。需要低噪音?選擇線性穩(wěn)壓器。需要全部嗎?妥協(xié)。一種折衷方案是采用帶有線性穩(wěn)壓器的開關(guān)穩(wěn)壓器。雖然相對于僅使用開關(guān)穩(wěn)壓器的解決方案,這樣可以清除輸出噪聲,但即使使用鐵氧體磁珠、π濾波器和LC濾波器,也會保留很大一部分傳導(dǎo)和輻射EMI。問題總是可以追溯到開關(guān)穩(wěn)壓器,其中快速dI/dt轉(zhuǎn)換和高開關(guān)頻率會導(dǎo)致高頻EMI,但某些應(yīng)用,尤其是那些具有大轉(zhuǎn)換比的應(yīng)用,需要開關(guān)穩(wěn)壓器。
幸運(yùn)的是,LTM4606 和 LTM4612 μModule 穩(wěn)壓器提供了開關(guān)穩(wěn)壓器的優(yōu)勢,同時(shí)保持了超低的傳導(dǎo)和輻射噪聲。這些μModule降壓穩(wěn)壓器旨在實(shí)現(xiàn)高功率密度并滿足EMC(電磁兼容性)標(biāo)準(zhǔn)。集成的超低噪聲特性允許兩個(gè)器件通過 CISPR 22 輻射發(fā)射限制的 B 類,從而消除了昂貴的 EMI 設(shè)計(jì)和實(shí)驗(yàn)室測試。有關(guān)這兩個(gè)部分的功能比較,請參見表 1。
特征 | LTM4606 | LTM4612 |
V在 | 4.5V 至 28V | 5V 至 36V |
V外 | 0.6V 至 5V | 3.3V 至 15V |
我外 | 6A 直流典型值,8A 峰值 | 5A 直流典型值,7A 峰值 |
符合 CISPR 22 B 類標(biāo)準(zhǔn) | ? | ? |
輸出電壓跟蹤和裕量調(diào)節(jié) | ? | ? |
鎖相環(huán)頻率同步 | ? | ? |
±1.5% 總直流誤差 | ? | ? |
電源良好輸出 | ? | ? |
電流折返保護(hù) | ? | ? |
并聯(lián)/均流 | ? | ? |
低輸入和輸出折合噪聲 | ? | ? |
超快瞬態(tài)響應(yīng) | ? | ? |
電流模式控制 | ? | ? |
可編程軟啟動(dòng) | ? | ? |
輸出過壓保護(hù) | ? | ? |
包 | 15毫米×15毫米×2.8毫米 | 15毫米×15毫米×2.8毫米 |
兩款μModule穩(wěn)壓器均采用節(jié)省空間、扁平和熱增強(qiáng)型15mm×15mm×2.8mm LGA封裝,因此可以放置在印刷電路板底部的未使用空間上,以實(shí)現(xiàn)高精度負(fù)載點(diǎn)調(diào)節(jié)。這對于需要笨重冷卻系統(tǒng)的線性穩(wěn)壓器來說是不可能的。幾乎所有支持元件都集成在μModule封裝中,因此布局設(shè)計(jì)相對簡單,只需要幾個(gè)輸入和輸出電容。
為了獲得更大的輸出功率,兩個(gè)器件可以很容易地并聯(lián),由于電流模式控制結(jié)構(gòu),輸出電流自動(dòng)共享。
采用超低噪聲μ模塊穩(wěn)壓器的簡單電源設(shè)計(jì)
利用幾個(gè)外部輸入和輸出電容器,LTM4612 能夠提供 4.5A 的 DC 輸出電流,而 LTM4606 能夠提供 6A 的電流。LTM4612 的可編程輸出可在 3.3V 至 15V 輸入的 4.5V 至 36V 范圍內(nèi)精確調(diào)節(jié);LTM4606 能夠在一個(gè) 0.6V 至 5V 范圍內(nèi)產(chǎn)生 4.5V 至 28V 的電壓。通過電流模式控制和優(yōu)化的內(nèi)部補(bǔ)償,即使在面對顯著的負(fù)載瞬變時(shí),也能提供穩(wěn)定的輸出。
圖 1 示出了 LTM4606 的簡化框圖,其輸入范圍為 4.5V 至 28V 和 2.5V/6A 輸出。圖2顯示了CCM模式下12V輸入電壓下的效率測試曲線。利用 LTM92 在 4606kHz 開關(guān)頻率下運(yùn)行,在滿負(fù)載時(shí)可實(shí)現(xiàn)約 900% 的效率。
圖1.LTM4606 的簡化框圖 (LTM4612 與此類似)。只需幾個(gè)電容和電阻即可構(gòu)建完整的寬輸入范圍穩(wěn)壓器。
圖2.LTM4606 在采用一個(gè) 12V 輸入時(shí)的效率。
圖3顯示了一個(gè)完整的18V–36V V在, 12V/4.5A V外采用 LTM4612 進(jìn)行設(shè)計(jì)。圖 4 顯示了效率。
圖3.幾個(gè)電容器和電阻器完善了 18V–36V 輸入、12V/4.5A 輸出設(shè)計(jì)。
圖4.圖3所示電路的效率。
兩款器件均具有良好的熱性能和較大的輸出負(fù)載電流。圖 5 示出了 LTM4606 的熱圖像,具有 24V 輸入和 3.3V 輸出 (在 6A 負(fù)載電流下)。最高外殼溫度僅為73.5°C,輸出功率為20W。
圖5.LTM4606 的熱圖像具有 24V 輸入和 3.3V 輸出 (在 6A) 時(shí)。
兩者都包括許多內(nèi)置功能,例如可控軟啟動(dòng)、RUN 引腳控制、輸出電壓跟蹤和裕量調(diào)節(jié)、PGOOD 指示器、頻率調(diào)整和外部時(shí)鐘同步。通過向 DRV 施加外部柵極驅(qū)動(dòng)器電壓,可以進(jìn)一步提高效率抄送引腳,尤其是在高 V 時(shí)在應(yīng)用??梢詥⒂梅沁B續(xù)模式操作以提高輕負(fù)載效率。
降低傳導(dǎo)電磁干擾
當(dāng)穩(wěn)壓器以高頻工作時(shí),開關(guān)穩(wěn)壓器的傳導(dǎo)輸入和輸出噪聲(又稱紋波)通常是一個(gè)問題,這在空間受限的應(yīng)用中很常見。LTM4606 和 LTM4612 通過集成一個(gè)高頻電感器來降低輸入端的峰峰值紋波,如圖 6 所示。V處的外部輸入電容D和 V在引腳構(gòu)成高頻輸入π濾波器。這有效地減少了模塊和主輸入總線之間的導(dǎo)電EMI耦合。
圖6.輸入π濾波器可降低高頻輸入噪聲。
由于大多數(shù)輸入均方根電流流入電容C3,電壓為VD引腳,C3應(yīng)具有足夠的容量來處理RMS電流。建議使用 10μF 陶瓷電容器。為了有效衰減EMI,請將C3放置在盡可能靠近V的位置D針。陶瓷電容器C2主要決定紋波噪聲衰減,因此可以改變電容器值以滿足不同的輸入紋波要求。僅當(dāng)輸入源阻抗受到長電感引線或走線的影響時(shí),才需要C1。
由于這些μModule穩(wěn)壓器用于降壓電路拓?fù)?,因此由輸出電感L和電容C形成的低通濾波器外同樣可以降低傳導(dǎo)輸出EMI。
為了顯示這些μModule穩(wěn)壓器的相對噪聲衰減,將一個(gè)不具有低噪聲特性的類似模塊與LTM4606的輸入和輸出噪聲進(jìn)行比較,如圖7和圖8所示。兩個(gè)模塊均在 5V 輸入至 1.2V 輸出(5A)和阻性負(fù)載下進(jìn)行了測試。比較中使用相同的電路板布局和I/O電容器。結(jié)果表明,與圖4606所示的類似模塊相比,LTM10產(chǎn)生的輸入和輸出噪聲要低得多,峰峰值輸入噪聲降低了近3×輸出噪聲,輸出噪聲降低了7×以上。
圖7.輸入和輸出噪聲與無低噪聲特性的同類μModule穩(wěn)壓器相同。
圖8.LTM4606 μModule 穩(wěn)壓器的輸入和輸出噪聲明顯低于圖 7 中的穩(wěn)壓器。
圖 9 示出了采用 4612V V 電壓的 LTM24 的傳導(dǎo) EMI 測試結(jié)果在, 12V/5A V外,適用于 EMI 標(biāo)準(zhǔn) CISPR 25 5 級。該測試的輸入電容來自 4 × 個(gè) 10μF/50V 陶瓷和一個(gè) 150μF/50V 電解。
圖9.LTM4612 的傳導(dǎo) EMI 測試通過了 EMI 標(biāo)準(zhǔn) CISPR 25 5 級。
降低輻射電磁干擾
開關(guān)穩(wěn)壓器還會產(chǎn)生輻射EMI,這是由高效穩(wěn)壓器固有的高dI/dt信號引起的。輸入π濾波器有助于限制由直接模塊區(qū)域中的高 dI/dt 環(huán)路引起的輻射 EMI,但為了進(jìn)一步衰減輻射 EMI,LTM4606 和 LTM4612 包括一個(gè)用于 MOSFET 的優(yōu)化柵極驅(qū)動(dòng)器和一個(gè)噪聲消除網(wǎng)絡(luò)。
為了測試輻射EMI,在10米屏蔽室中測試了幾種設(shè)置,如圖10所示。為了確保低基線輻射噪聲,輸入端使用線性直流電源,輸出端采用阻性負(fù)載。通過電源直接向阻性負(fù)載提供直流電流來檢查基線噪聲?;€發(fā)射掃描結(jié)果如圖11所示。圖中有兩條跡線,一條用于接收天線的垂直和水平方向。
圖 10.設(shè)置輻射發(fā)射掃描。
圖 11.基線噪聲的輻射發(fā)射掃描(無開關(guān)穩(wěn)壓器模塊)。
圖 12 顯示了沒有集成低噪聲特性的 μModule 降壓穩(wěn)壓器 — 而不是 LTM4606 或 LTM4612 的峰值掃描結(jié)果。掃描結(jié)果表明,與基線噪聲水平相比,μModule開關(guān)穩(wěn)壓器產(chǎn)生的噪聲低于350MHz。此處的輻射EMI不符合CISPR 22(準(zhǔn)峰值)輻射發(fā)射限制的B類。
圖 12.沒有低噪聲特性的典型模塊的輻射發(fā)射峰值掃描。
相比之下,圖13顯示了低噪聲LTM4606模塊的峰值掃描結(jié)果。為了確保在不同工作條件下有足夠的裕量達(dá)到準(zhǔn)峰值限值,使用準(zhǔn)峰值測量檢查六個(gè)最高噪聲點(diǎn),如圖13表所示。結(jié)果表明,該器件的裕量比CISPR 12(準(zhǔn)峰值)輻射發(fā)射限值B級低22dBμV以上。
圖 13.LTM4606 的輻射 EMI 測試通過了 EMI 標(biāo)準(zhǔn) CISPR 22 B 類。
頻率( 兆赫) |
天線 極化 |
被測設(shè)備 方位角 (度) |
天線 高度 (厘米) |
未校正 幅度 (dBμV) |
ACF (分貝/米) |
前置放大器 增益 (dB) |
立方比 (分貝) |
直流頻率 (分貝) |
校正 幅度 (dBμV) |
限值 (dBμV) |
裕量 (分貝) |
134.31 | H | 354 | 364 | 1.3 | 11.428 | 0 | 1.532 | 0 | 14.26 | 30 | 15.74 |
119.96 | V | 184 | 110 | 3.5 | 12.694 | 0 | 1.456 | 0 | 17.65 | 30 | 12.35 |
160.02 | H | 0 | 354 | 0.5 | 10.499 | 0 | 1.793 | 0 | 12.792 | 30 | 17.208 |
174.37 | H | 0 | 100 | 1.2 | 9.638 | 0 | 1.944 | 0 | 12.782 | 30 | 17.218 |
224.28 | V | 0 | 100 | –1.87 | 10.586 | 0 | 2.044 | 0 | 10.76 | 30 | 19.24 |
263.63 | H | 0 | 371 | –4.72 | 12.6 | 0 | 2.385 | 0 | 10.265 | 37 | 26.735 |
圖 14 顯示了 LTM4612 在 22V 下滿足 CISPR 24 輻射發(fā)射限值 B 類的結(jié)果在, 12V/5A V外.
圖 14.LTM4612 的輻射 EMI 測試通過了 EMI 標(biāo)準(zhǔn) CISPR 22 B 類。
結(jié)論
LTM4606 和 LTM4612 μModule 穩(wěn)壓器提供了開關(guān)穩(wěn)壓器的所有高性能優(yōu)勢,但消除了噪聲問題。超低噪聲優(yōu)化設(shè)計(jì)可產(chǎn)生輻射EMI性能,其裕量低于CISPR 22限制的B類,以簡化噪聲敏感環(huán)境中的應(yīng)用。
卓越的熱性能進(jìn)一步簡化了設(shè)計(jì),從而實(shí)現(xiàn)高效率和緊湊的外形。扁平的 15mm × 15mm × 2.8mm 封裝幾乎包含所有支持元件——只需少量輸入和輸出電容即可完成設(shè)計(jì)。多個(gè)μModule穩(wěn)壓器可輕松并聯(lián)運(yùn)行,以獲得更大的輸出功率。這些器件的多功能性通過軟啟動(dòng)、RUN 引腳控制、輸出電壓跟蹤和裕量調(diào)節(jié)、PGOOD 指示器、頻率調(diào)整和外部時(shí)鐘同步等可選功能得到完善。
審核編輯:郭婷
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