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碳化硅“備戰(zhàn)”光伏市場(chǎng)

安森美 ? 來(lái)源:未知 ? 2023-04-20 07:15 ? 次閱讀

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本文來(lái)源:中國(guó)電子報(bào)

在能源電子產(chǎn)業(yè)加速發(fā)展的背景下,全球光伏裝機(jī)量持續(xù)攀升,為碳化硅帶來(lái)可觀的市場(chǎng)增量。Yole研報(bào)預(yù)計(jì),應(yīng)用于光伏發(fā)電及儲(chǔ)能的碳化硅市場(chǎng)規(guī)模將在2025年達(dá)到3.14億美元,2019—2025年復(fù)合增長(zhǎng)率為17%。同時(shí),光伏組件功率密度的持續(xù)提升,也對(duì)碳化硅器件性能提出了更高的要求。

要抓住光伏帶來(lái)的市場(chǎng)機(jī)遇,碳化硅廠(chǎng)商還需要在產(chǎn)品綜合性能、制備良率、供應(yīng)鏈協(xié)作等多個(gè)維度發(fā)力。

碳化硅高度契合光伏逆變器演進(jìn)方向

光伏逆變器將光伏面板產(chǎn)生的直流電轉(zhuǎn)化為交流電以用于電網(wǎng),是太陽(yáng)能光伏發(fā)電系統(tǒng)的核心部件。光伏逆變器的轉(zhuǎn)化效率,直接影響整個(gè)光伏系統(tǒng)的發(fā)電效率。寬禁帶半導(dǎo)體的長(zhǎng)處正是更高的能源轉(zhuǎn)化效率,其性能優(yōu)勢(shì)與光伏逆變器的迭代需求有著較高的契合度。

華為發(fā)布的智能光伏十大趨勢(shì)顯示,光伏電站向大功率、高可靠性發(fā)展已成為趨勢(shì)。以光伏逆變器為例,直流電壓已經(jīng)由1100V提升到1500V。通過(guò)碳化硅、氮化鎵等新材料的應(yīng)用,以及將數(shù)字技術(shù)與電力電子技術(shù)、熱管理技術(shù)等充分結(jié)合,預(yù)計(jì)未來(lái)5年逆變器的功率密度將再提升50%。

安森美(onsemi)應(yīng)用市場(chǎng)工程師賈鵬向《中國(guó)電子報(bào)》表示,基于碳化硅的光伏逆變系統(tǒng)能夠在效率、體積和重量上做得更好。寬禁帶材料的優(yōu)異特性允許基于其制造的半導(dǎo)體器件在高頻高溫高壓下工作,高頻意味著更小的電感體積和高頻條件下仍能接受的損耗,高溫意味著更好的散熱能力和更加緊湊的系統(tǒng)布局,高壓則代表著更高的母線(xiàn)電壓,將更大的傳輸功率或更小的由傳輸電流帶來(lái)的線(xiàn)路損耗變?yōu)榭赡堋?/span>

對(duì)標(biāo)光伏需求提升多項(xiàng)技術(shù)指標(biāo)

面向光伏逆變器功率更大、效率更高、體積更小、成本更低,以及組串式逆變器配置靈活、易于安裝的發(fā)展方向,碳化硅供應(yīng)商從多個(gè)技術(shù)指標(biāo)入手,持續(xù)提升器件性能。

提升光伏逆變器的最大直流母線(xiàn)電壓,將提升光伏變電站的成本效益,這對(duì)碳化硅功率器件的電壓等級(jí)提出了更高的要求。在1100 V的直流系統(tǒng)中,功率級(jí)別一般在8kW—150kW之間,100kW的低功率和中功率系統(tǒng)通常使用1200V和650V開(kāi)關(guān)。當(dāng)光伏逆變器從1100V做到1500V,功率器件的工作電壓也隨之提升。

例如安森美的EliteSiC系列(包括碳化硅MOSFET、碳化硅二極管),耐壓范圍為650V-1700V,可以覆蓋目前的1100V和1500V的光伏逆變器系統(tǒng)。其中1700V SiC MOSFET對(duì)應(yīng)1500V直流母線(xiàn)的光伏逆變器產(chǎn)品。

此外,縮小體積以降低成本也是光伏逆變器的演進(jìn)趨勢(shì),尤其體現(xiàn)在微型逆變器和組串式逆變器上,碳化硅器件也需要做得更加緊湊并解決由此帶來(lái)的散熱問(wèn)題。

安森美推出了首款TOLL封裝650V SiC MOSFET,適配小尺寸高功率密度的產(chǎn)品,TOLL封裝的尺寸僅為9.9mm×11.68mm,比D2PAK封裝的PCB面積節(jié)省30%,同時(shí)具有更好的散熱和寄生電感。

抓住市場(chǎng)增量考驗(yàn)廠(chǎng)商綜合能力

要抓住光伏帶來(lái)的市場(chǎng)機(jī)遇,碳化硅廠(chǎng)商需要在產(chǎn)品綜合性能、制備良率、供應(yīng)鏈協(xié)作等多個(gè)維度發(fā)力。

賈鵬向記者指出,碳化硅是世界上第三硬的復(fù)合材料,且非常易碎,因此要注重碳化硅制備過(guò)程中的良率和質(zhì)量。

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“隨著碳化硅技術(shù)的不斷成熟和降本,大部分光伏逆變器中的超結(jié)MOSFET和IGBT會(huì)被替代,這對(duì)于整條碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈來(lái)說(shuō)是一個(gè)巨大的市場(chǎng)。然而,在擴(kuò)大量產(chǎn)能力的同時(shí)保持良率和質(zhì)量對(duì)于任何一家半導(dǎo)體公司都是一種挑戰(zhàn),因此半導(dǎo)體企業(yè)會(huì)持續(xù)投資建廠(chǎng)或與龍頭客戶(hù)簽訂長(zhǎng)期供應(yīng)協(xié)議。如安森美等提供從晶圓到方案的碳化硅供應(yīng)商,除了做好生產(chǎn)供應(yīng)之外,還需要和客戶(hù)一起研究實(shí)際應(yīng)用中碰到的問(wèn)題,比如碳化硅替代后的散熱方案以及高頻工作帶來(lái)的其它干擾等等?!辟Z鵬說(shuō)。


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原文標(biāo)題:碳化硅“備戰(zhàn)”光伏市場(chǎng)

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