描述

NY8A051F是以EPROM作為記憶體的 8 位元微控制器，專為多IO產(chǎn)品的應(yīng)用而設(shè)計，例如遙控器、風(fēng)扇/燈光控制或是遊樂器周邊等等。採用CMOS製程並同時提供客戶低成本、高性能等顯著優(yōu)勢。NY8A051F核心建立在RISC精簡指令集架構(gòu)可以很容易地做編輯和控制，共有 55 條指令。除了少數(shù)指令需要 2 個時序，大多數(shù)指令都是 1 個時序即能完成，可以讓使用者輕鬆地以程式控制完成不同的應(yīng)用。因此非常適合各種中低記憶容量但又複雜的應(yīng)用。

在I/O的資源方面，NY8A051F有 6 根彈性的雙向I/O腳，每個I/O腳都有單獨的暫存器控制為輸入或輸出腳。而且每一個I/O腳位都有附加的程式控制功能如上拉或下拉電阻或開漏極(Open-Drain) 輸出。此外針對紅外線搖控的產(chǎn)品方面，NY8A051F內(nèi)建了可選擇頻率的紅外載波發(fā)射口。

NY8A051F有兩組計時器，可用系統(tǒng)頻率當(dāng)作一般的計時的應(yīng)用或者從外部訊號觸發(fā)來計數(shù)。另外NY8A051F提供 1組 8 位元解析度的PWM輸出或者蜂鳴器輸出，可用來驅(qū)動馬達、LED、或蜂鳴器等等。NY8A051F採用雙時鐘機制，高速振盪或者低速振盪都由內(nèi)部RC振盪輸入。在雙時鐘機制下，NY8A051F可選擇多種工作模式如正常模式(Normal)、慢速模式(Slow mode)、待機模式(Standby mode) 與睡眠模式(Halt mode)可節(jié)省電力消耗延長電池壽命。

在省電的模式下如待機模式(Standby mode)與睡眠模式(Halt mode)中，有多種事件可以觸發(fā)中斷喚醒NY8A051F進入正常操作模式(Normal) 或 慢速模式(Slow mode) 來處理突發(fā)事件。

產(chǎn)品特點

寬廣的工作電壓：

2.0V ~ 5.5V @系統(tǒng)頻率≦8MHz。

2.2V ~ 5.5V @系統(tǒng)頻率＞8MHz。

寬廣的工作溫度：

-40°C ~ 85°C。

高 達 ±5KV 的ESD。

內(nèi)建 11 階準(zhǔn)確的低電壓偵測電路LVD)

有需要詳細資料或樣品測試可加+V:runzexin-18

在NY8A051F中有一個由WDT使用的片上自由運行的振蕩器。由于該振蕩器獨立于其他振蕩電路，WDT在備用模式和停止模式下仍可以繼續(xù)工作。WDT可以通過一個配置字來啟用或禁用。當(dāng)WDT通過配置字啟用時，在程序執(zhí)行過程中仍然可以通過寄存器位WDTEN(PCON[7])來控制其操作。此外，WDT超時后的機制可以重置NY8A051F或發(fā)出由另一個配置字決定的中斷請求。同時，在WDT超時后，將注冊位/TO（狀態(tài)[4]）清除為0。WDT超時時間的基線可為3.5ms、15ms、60ms或250ms，由兩個配置字決定。如果將前置計算器0分配給WDT，則可以延長超時時間。通過寫入1來注冊位PS0WDT，將前置服務(wù)器0分配給WDT。WDT的預(yù)計算器0的劃分速率由寄存器位PS0SEL[2：0]決定，并取決于WDT的超時機制。如果WDT超時將重置NY8A051F，則除法速率從1：1到1：128；如果WDT超時將中斷NY8A051F，則除法速率從1：2到1：256

NY8A051F將通過寫0來注冊位自我控制來進入慢速模式。在慢速模式下，選擇FLOSC作為系統(tǒng)振蕩，以節(jié)省功耗，但仍能保持IC運行。但是，NY8A051F不會自動禁用FHOSC。因此，用戶可以寫0，以慢速模式注冊位stphosc(OSCCR[1])，以進一步降低功耗。但需要注意的是，禁止進入慢模式，同時停止FHOSC，必須先進入慢模式，然后禁用FHOSC，否則程序可能會掛起。

審核編輯黃宇