全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM(以下簡稱“ROHM”)將650V耐壓的GaN(Gallium Nitride：氮化鎵)HEMT*1“GNP1070TC-Z”、“GNP1150TCA-Z”投入量產(chǎn)，這兩款產(chǎn)品非常適用于服務(wù)器和AC適配器等各種電源系統(tǒng)。

據(jù)悉，電源和電機(jī)的用電量占全世界用電量的一大半，為實(shí)現(xiàn)無碳社會(huì)，如何提高它們的效率已成為全球性的社會(huì)問題。而功率元器件是提高它們效率的關(guān)鍵，SiC (Silicon Carbide：碳化硅)和GaN等新材料在進(jìn)一步提升各種電源效率方面被寄予厚望。2022年，ROHM將柵極耐壓高達(dá)8V的150V耐壓GaN HEMT投入量產(chǎn);2023年3月，又確立了能夠更大程度地發(fā)揮出GaN性能的控制IC技術(shù)。此次，為了助力各種電源系統(tǒng)的效率提升和小型化，ROHM又推出器件性能達(dá)到業(yè)界超高水平的650V耐壓GaN HEMT。

新產(chǎn)品是ROHM與Delta Electronics, Inc. (以下簡稱“臺(tái)達(dá)電子”)的子公司——專注于GaN元器件開發(fā)的Ancora Semiconductors Inc.(以下簡稱“碇基半導(dǎo)體”)聯(lián)合開發(fā)而成的，在650V GaN HEMT的器件性能指數(shù)(RDS(ON)×Ciss / RDS(ON)×Coss*2)方面，達(dá)到了業(yè)界超高水平。因此，新產(chǎn)品可以大大降低開關(guān)損耗，從而能夠進(jìn)一步提高電源系統(tǒng)的效率。另外，新產(chǎn)品還內(nèi)置ESD*3保護(hù)器件，將抗靜電能力提高至3.5kV，這將有助于提高應(yīng)用產(chǎn)品的可靠性。不僅如此，新產(chǎn)品還具有GaN HEMT器件的優(yōu)勢——高速開關(guān)工作，從而有助于外圍元器件的小型化。詳細(xì)信息可以通過www.ameya360.com進(jìn)行了解！

ROHM將有助于應(yīng)用產(chǎn)品的節(jié)能和小型化的GaN器件命名為“EcoGaN?系列”，并不斷致力于進(jìn)一步提高器件的性能。另外，除了元器件的開發(fā)，ROHM還積極與業(yè)內(nèi)相關(guān)企業(yè)建立戰(zhàn)略合作伙伴關(guān)系并推動(dòng)聯(lián)合開發(fā)，通過助力應(yīng)用產(chǎn)品的效率提升和小型化，持續(xù)為解決社會(huì)問題貢獻(xiàn)力量。

什么是EcoGaN?

EcoGaN?是通過更大程度地發(fā)揮GaN的性能，助力應(yīng)用產(chǎn)品進(jìn)一步節(jié)能和小型化的ROHM GaN器件，該系列產(chǎn)品有助于應(yīng)用產(chǎn)品進(jìn)一步降低功耗、實(shí)現(xiàn)外圍元器件的小型化、減少設(shè)計(jì)工時(shí)和元器件數(shù)量等。

審核編輯：湯梓紅