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使用紅外LED和NPN光電晶體管構(gòu)建光耦合器

星星科技指導(dǎo)員 ? 來(lái)源:ADI ? 作者:Antoniu Miclaus 和 D ? 2023-05-29 14:23 ? 次閱讀

光耦合器或光隔離器是一種電子器件,通過(guò)發(fā)射光穿過(guò)其輸入和輸出之間的電氣隔離柵來(lái)傳輸電子信號(hào)。光耦合器的主要目的是防止隔離柵一側(cè)的高電壓或電壓尖峰損壞組件或干擾傳輸?shù)搅硪粋?cè)的信號(hào)。市售光耦合器可以承受3 kV至10 kV的輸入-輸出電壓,以及速度高達(dá)10 kV/μs的電壓瞬變。該器件一般在一端集成紅外LED作為輸入,在另一端集成光電探測(cè)器(例如光電二極管或光電晶體管),并在兩者之間加設(shè)隔離柵,如圖1所示。當(dāng)LED關(guān)閉時(shí),也就是不發(fā)光時(shí),沒(méi)有光電流進(jìn)入晶體管基極,晶體管關(guān)閉。當(dāng)LED中有電流流過(guò)時(shí),就會(huì)發(fā)光,會(huì)有足夠的光電流進(jìn)入晶體管基極,晶體管開啟。

wKgaomR0TzWAaLApAAANxZXFT6c734.png

圖1.NPN型晶體管光耦合器。

構(gòu)建指南

本實(shí)驗(yàn)的第一步是使用 ADALP2000 模擬部件套件中的紅外LED和NPN光電晶體管構(gòu)建自己的光耦合器。如果您不使用部件套件來(lái)進(jìn)行實(shí)驗(yàn),可以使用相似器件來(lái)代替,但實(shí)驗(yàn)結(jié)果會(huì)因選擇的器件而異。

首先,將LED和光電晶體管的引線彎曲90°,這樣插入無(wú)焊試驗(yàn)板時(shí),它們彼此相對(duì)且處于同一高度。為了保證它們正確對(duì)齊,并阻止雜散環(huán)境光進(jìn)入,最好使用短管或切割到合適寬度的黑色絕緣膠帶,纏繞LED和光電晶體管組合體,如圖4所示。

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圖4.構(gòu)建好的耦合器

材料

ADALM2000 主動(dòng)學(xué)習(xí)模塊

無(wú)焊試驗(yàn)板

跳線

兩個(gè)2.2 k?電阻

一個(gè)單通道運(yùn)算放大器,例如 OP27

說(shuō)明

在無(wú)焊試驗(yàn)板上構(gòu)建圖5所示的電路。注意,NPN光電晶體管配置為電流吸收器,其發(fā)射極接地。注意,光電晶體管的兩根引線中,較長(zhǎng)的是集電極,兩根LED引線中較短的一根接地。仔細(xì)查看組件數(shù)據(jù)手冊(cè),確保連接正確。

wKgZomR0TyOAdkCgAAAklzEWmXU706.png

圖5.光耦合器輸入-輸出特性電路。

硬件設(shè)置

配置波形發(fā)生器生成100 Hz三角波,峰峰值幅度為3 V,偏移為2.5 V。兩個(gè)示波器通道均應(yīng)設(shè)置為每格1 V。

程序步驟

示波器通道1用于測(cè)量電阻R1兩端的電壓,從而測(cè)得LED的輸入電流。示波器通道2用于測(cè)量電阻R2兩端的電壓,從而測(cè)得NPN型晶體管的輸出集電極電流。電流傳輸比(CTR)就是這兩個(gè)電流的比值。CTR用于衡量器件的增益、效率或靈敏度。

圖7.光耦合器Scopy圖波形。

Directions

現(xiàn)在,將示波器通道1的1–輸入移動(dòng)到接地。然后,將示波器通道2的2+輸入移動(dòng)到光電晶體管的集電極,將示波器輸入2–移動(dòng)到接地。

配置波形發(fā)生器生成5 kHz方波,峰峰值幅度為5 V,偏移為2.5 V。兩個(gè)示波器通道均應(yīng)設(shè)置為每格1 V。

程序步驟

示波器通道1現(xiàn)在測(cè)量輸入信號(hào),示波器通道2測(cè)量輸出信號(hào)。光耦合器的速度可以通過(guò)輸入和輸出波形之間的延遲進(jìn)行表征。衡量器件速度的另一個(gè)指標(biāo)是輸出波形的上升和下降時(shí)間。測(cè)試光耦合器的頻率響應(yīng)還有一種方法:使用Scopy軟件中的網(wǎng)絡(luò)分析儀。將頻率掃描范圍設(shè)置為10 Hz至100 kHz。將AWG峰峰值幅度設(shè)置為2 V,AWG偏移設(shè)置為3 V,或者直流偏移作為耦合器電路的輸出信號(hào)中心時(shí)的電壓。

使用電壓-電流轉(zhuǎn)換器驅(qū)動(dòng)LED

將LED置于作為電壓-電流轉(zhuǎn)換器的運(yùn)算放大器的反饋回路中,可以大大降低LED的非線性帶來(lái)的影響。

說(shuō)明

調(diào)整您的無(wú)焊試驗(yàn)板,使其電路與圖8所示的電路相似。注意,NPN光電晶體管現(xiàn)在配置為電流源,其集電極連接至正5 V電源Vp。這是為了表明:如何配置晶體管端子上的電壓其實(shí)無(wú)關(guān)緊要。

wKgZomR0TwaAT5akAAA6GHq-51Y352.png

圖8.電壓-電流LED驅(qū)動(dòng)器。

硬件設(shè)置

配置波形發(fā)生器生成100 Hz三角波,峰峰值幅度為3 V,偏移為2.5 V。兩個(gè)示波器通道均應(yīng)設(shè)置為每格1 V。

程序步驟

對(duì)圖5中由電阻驅(qū)動(dòng)的簡(jiǎn)單電路版本執(zhí)行相同的測(cè)量操作。將AWG波形切換為方波,然后測(cè)量延遲、上升和下降時(shí)間,并記錄在實(shí)驗(yàn)報(bào)告中。將AWG波形切換為正弦波(與之前一樣,1 kHz頻率),再次測(cè)量諧波失真。注意調(diào)整AWG幅度和偏移,以得到和之前電路相似的輸出波形。

wKgaomR0Tv6AQpEsAAG1W8ZRFwo115.png

圖9.電壓-電流LED驅(qū)動(dòng)試驗(yàn)板連接。

wKgZomR0RNqAWhutAABtKLViq5o161.jpg

圖10.電壓-電流LED驅(qū)動(dòng)器示波器波形。

模擬隔離放大器

要構(gòu)建線性度更高的放大器,可以使用兩個(gè)匹配的光耦合器。最好在此電路中使用集成版本。

之前的電壓-電流配置降低了LED的非線性度。如果我們?cè)诜答伝芈分性黾右粋€(gè)光電晶體管,即可降低光電晶體管的光電轉(zhuǎn)換特性導(dǎo)致的非線性影響。

材料

兩個(gè)NPN光耦合器(參見附錄查看具體器件選項(xiàng))

一個(gè)0.0047 μF電容(472)

一個(gè)470 ?電阻

說(shuō)明

在無(wú)焊試驗(yàn)板上構(gòu)建圖11所示的電路。光耦合器的實(shí)際布線可能因使用的封裝類型而異(4引腳封裝或6引腳封裝等)。圖中所示的引腳數(shù)量一般是4引腳封裝的標(biāo)準(zhǔn)數(shù)量。注意參考制造商數(shù)據(jù)手冊(cè)了解如何正確連接器件。

wKgaomR0TvOAByc_AABMkh18fnU937.png

圖11.單極性電壓輸入。

wKgaomR0Tu2AWek6AABRfBRj41A662.png

圖12.雙極性電壓輸入。

硬件設(shè)置

與之前的兩種配置一樣,先設(shè)置波形發(fā)生器生成100 Hz三角波,峰峰值幅度為4.8 V,偏移為2.5 V。兩個(gè)示波器通道均應(yīng)設(shè)置為每格1 V。

程序步驟

重復(fù)對(duì)之前兩個(gè)電路版本執(zhí)行的相同測(cè)量操作。將AWG波形切換為方波,然后測(cè)量延遲、上升和下降時(shí)間。將AWG波形切換為正弦波(與之前一樣,1 kHz頻率),再次測(cè)量諧波失真。注意調(diào)整AWG幅度和偏移,以得到與之前電路相似的輸出波形。

審核編輯:郭婷

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