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核磁共振碳譜研究

冬至子 ? 來源:化學(xué)筆記 ? 作者:化學(xué)筆記 ? 2023-06-01 14:39 ? 次閱讀

在我們對核磁共振的基本原理以及核磁共振氫譜有了一定認(rèn)識后,再去研究核磁共振碳譜,就比較容易了。碳譜所測原子核為^13^C,其天然豐度只占1.108%,因此相對于^1^H而言信號較弱。但是碳譜分辨率要高,化學(xué)位移范圍大,一般在0300 ppm區(qū)間,而氫譜化學(xué)位移一般在010 ppm區(qū)間。由于碳譜積分面積不能準(zhǔn)確反應(yīng)碳的數(shù)目,我們一般不進(jìn)行積分(當(dāng)然有時也可以通過積分說明一些問題)。

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在碳譜中,直接相連的碳?xì)湓优己鲜亲钪匾呐己献饔?,偶合常?shù)一般為120~320Hz。而這個偶合常數(shù)一般與雜化軌道中s軌道占比有關(guān),s軌道占比越大,偶合常數(shù)越大。例如sp雜化的碳原子與氫的偶合常數(shù)一般要大于sp3雜化的碳?xì)溟g偶合常數(shù)。這主要是因?yàn)閟軌道占比越大,C與H的之間電子分布越集中,即相互作用越強(qiáng)。^1^J(^1^H-^13^C)同時也受取代基電負(fù)性影響,隨取代基電負(fù)性增大,碳核的有效核電荷增加,偶合常數(shù)增大。其與鍵角、脂環(huán)烴大小也有密切關(guān)系。

既然碳與氫存在偶合作用,理論上碳的峰型也應(yīng)該會像氫譜一樣發(fā)生裂分。事實(shí)上也確實(shí)是這樣,碳譜裂分同樣符合2nI+1規(guī)則(n為氫原子個數(shù),I為氫的自旋量子數(shù)1/2),只是由于與碳相連的氫原子較多,偶合作用復(fù)雜,裂分峰數(shù)目也會很多,為了方便分析譜圖,我們平時所測的碳譜都會屏蔽掉這些偶合作用導(dǎo)致的裂分,也就是去偶的,通常為質(zhì)子寬帶去偶。

1.質(zhì)子寬帶去偶

采用寬頻的電磁輻射照射所有H核使之飽和,此時H對C的偶合全部被消除。在分子中沒有對稱因素和不含F(xiàn)、P等元素時,每個C都會顯示一個單峰,互不重疊。

2.偏共振****去偶

偏共振去偶的目的是降低^1^J,去掉氫核對碳核的遠(yuǎn)程偶合^2^JCH和^3^JCH,改善因偶合產(chǎn)生的譜線重疊,同時保留了部分偶合信息,從而能夠確定碳原子級數(shù)。

3.質(zhì)子選擇性去偶

選擇特定的質(zhì)子作為對象,用去偶頻率照射該質(zhì)子,使被照射的質(zhì)子對C的偶合去掉,C成為單峰,以確定信號歸屬。

圖片

從上圖我們更能容易看出四種譜圖的區(qū)別:未去偶的譜圖,伯、仲、叔、季碳原子受氫原子影響按n+1規(guī)則正常裂分,而質(zhì)子寬帶去偶會將偶合全部消除,呈現(xiàn)單一峰;偏共振去偶使C與H間偶合常數(shù)變小,裂分峰間距變小;質(zhì)子選擇性去偶則可以選擇性去掉亞甲基C與H的偶合,使其呈現(xiàn)單一峰。

4.門控去偶

為了得到真正的一鍵或遠(yuǎn)程偶合, 需要對質(zhì)子不去偶。但一般偶合譜費(fèi)時太長,需要累加很多次。為此采用帶NOE的不去偶技術(shù),叫門控去偶法。采用特殊脈沖技術(shù),測得的C譜既保留C與H的偶合信息,又有NOE增強(qiáng)效應(yīng),可節(jié)省測試時間。

5.反門控去偶:

此技術(shù)去除了偶合作用,抑制NOE效應(yīng),與門控去偶完全相反。反門控去偶得到的全去偶譜圖具有較小的NOE影響,譜線高度正比于碳原子數(shù)目,使得各類碳的數(shù)目之比有了定量意義,也稱為定量碳譜。

6.APT法(連氫實(shí)驗(yàn))

APT法是通過C核與H核之間的標(biāo)量偶合(^1^JCH)作用,對質(zhì)子寬帶去偶的C信號進(jìn)行調(diào)制而實(shí)現(xiàn)的。在這種譜圖中,伯碳和叔碳顯示正向峰,仲碳和季碳顯示倒置峰。

7.DEPT法(無畸變極化轉(zhuǎn)移增強(qiáng))

通過改變照射1H核的脈沖寬度(或設(shè)定不同的馳豫時間),使不同類型C信號在譜圖上呈單峰,并分別呈現(xiàn)正向峰或倒置峰極化轉(zhuǎn)移技術(shù)。

在做DEPT-45時,伯仲叔碳均為正向峰,季碳為倒置峰;在做DEPT-90時,只有叔碳原子出峰,且只顯示正向峰;在做DEPT-135時,季碳原子不出峰,伯、叔碳原子顯示正向峰,仲碳原子顯示倒置峰。

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影響碳譜化學(xué)位移的因素與H NMR中影響H化學(xué)位移的因素相似,總的原則是凡是使原子核周圍電子增多的效應(yīng)都會使化學(xué)位移減小。

1.誘導(dǎo)效應(yīng)

有電負(fù)性取代基、雜原子以及烷基連接的碳,都能使其C的化學(xué)位移變大,位移的大小隨取代基電負(fù)性的增大而增加。

2.共軛效應(yīng)

共軛效應(yīng)會引起電子分布不均勻,從而導(dǎo)致的碳化學(xué)位移發(fā)生改變。

3.超共軛效應(yīng)

X(O、N、F)與C相連時,化學(xué)鍵鍵短,X的孤對電子與C的p軌道電子重疊,導(dǎo)致C電子密度增加,化學(xué)位移減小。

4.重原子效應(yīng)

鹵素取代氫后,除誘導(dǎo)效應(yīng)外,碘(溴)還存在重原子效應(yīng)。隨著原子序數(shù)的增加,重原子的核外電子數(shù)增多,屏蔽效應(yīng)增加,位移減小。

下表為常見基團(tuán)中碳原子的化學(xué)位移:

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最后分享一篇文獻(xiàn),里面列出了各種氘代試劑中殘留溶劑的化學(xué)位移,在我們解譜時可供查閱,如下圖。不方便下載的可以私信我。

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