晶體管的結(jié)構(gòu)特點(diǎn)和伏安特性
今天為大家介紹晶體管由兩個(gè)PN結(jié)構(gòu)成，分為NPN型和PNP型兩類(lèi)，根據(jù)使用材料的不同，將晶體管分為NPN型鍺管和NPN型硅管，PNP型鍺管和PNP型硅管。
晶體管結(jié)構(gòu)與分類(lèi)
晶體管由兩個(gè)PN結(jié)構(gòu)成，分成三層，按照P型和N型排列的順序不同，可分為NPN型和PNP型兩類(lèi)，結(jié)構(gòu)示意圖和電路符號(hào)如下圖。
根據(jù)所使用的材料不同，晶體管又分為NPN型鍺管和NPN型硅管，PNP型鍺管和PNP型硅管。
可知，兩類(lèi)晶體管都分成基區(qū)、發(fā)射區(qū)、集電區(qū)，分別引出的電極稱(chēng)為基極（B）、發(fā)射極（E）、集電極（C）。
基區(qū)和發(fā)射區(qū)之間的結(jié)稱(chēng)為發(fā)射結(jié)；基區(qū)和集電區(qū)之間的結(jié)稱(chēng)為集電結(jié)。NPN型和PNP型符號(hào)的區(qū)別是發(fā)射極的箭頭方向不同。
晶體管內(nèi)部結(jié)構(gòu)特點(diǎn)：發(fā)射區(qū)雜質(zhì)濃度最高，即多子濃度最高，體積較大；基區(qū)很薄且雜質(zhì)濃度極低；集電區(qū)體積最大，雜質(zhì)濃度較發(fā)射區(qū)低。這是晶體管具有電流放大作用的內(nèi)部條件。
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