普通ESD和回掃ESD特性對比
普通ESD和回掃ESD對比
如今是5G時代，相比4G線路程控設(shè)備等，5G信號的傳輸速度更快，IC的敏感度更高，在電磁兼容的靜電防護(hù)需求就提升到了一個更高的高度。
可回掃ESD以往在普通IC中發(fā)揮不了很大的應(yīng)用區(qū)別，但目前在華為等電信設(shè)備商的測試需求中，專門強(qiáng)調(diào)了防靜電ESD的回掃特性(snapback)。
那什么是靜電器件的回掃特性呢?
可以對比下以下圖片。
圖一普通ESD的特性曲線
圖二Snapback 回掃特性曲線ESD曲線
圖三回掃ESD的特性參數(shù)
從以上圖片的區(qū)別看出，回掃ESD最大的特點是在Vt觸發(fā)電壓之后，芯片會在瞬間降低ESD兩端的鉗位電壓，這個電壓Vh范圍在工作電壓和觸發(fā)電壓之間，然后在隨著電流的增大，而電壓逐步增加。在同樣Ipp電流的情況下，Vc鉗位電壓比常規(guī)的ESD器件低30%以上，極大的保證了被保護(hù)IC乃至整個電路的安全。
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