1.ROM(Read-only memory)

ROM是一種非易失性存儲器，制造后內(nèi)部儲存不能進(jìn)行電子修改，斷電后儲存依然保留。這類存儲器可用于存儲電子設(shè)備壽命內(nèi)極少更改的軟件，比如查表數(shù)據(jù)或boot代碼。當(dāng)然，如需修復(fù)錯誤或者升級代碼，只能通過更換硬件實(shí)現(xiàn)。

嚴(yán)格意義上來說，ROM是指硬連接的存儲器，例如二極管矩陣或掩模ROM集成電路（IC），只能在制造階段寫入。為了便于用戶更改，又出現(xiàn)了可重復(fù)擦除和寫入的EPROM、EEPROM，這類存儲器速度相對較慢，擦除或?qū)懭胍话阈枰厥夤に?，可重?fù)次數(shù)也有一定限制。

2.EPROM(Erasable Programmable Read-Only Memory)

EPROM是基于浮柵結(jié)構(gòu)的ROM，一般指UV-EPROM。該存儲器燒寫后，可以通過將其暴露在強(qiáng)紫外光下進(jìn)行擦除。所以這類器件封裝都有透窗，很容易辨認(rèn)。

3.EEPROM(Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory)

EEPROM設(shè)計(jì)為支持電子修改，通過開始信號，就可以對其進(jìn)行燒寫和擦除。最初的EEPROM僅限于單字節(jié)操作，導(dǎo)致速度較慢，現(xiàn)代EEPROM允許page/block操作（FLASH）。EEPROM的重復(fù)擦除和寫入次數(shù)最高可達(dá)一百萬次以上。

4.FLASH

FLASH是一種專為高速讀取和大容量存儲設(shè)計(jì)的EEPROM，特點(diǎn)是大block/page寫入（一般512字節(jié)以上）和有限的寫入周期數(shù)（一般為10,000次）。根據(jù)位線和字線是否拉高或拉低，F(xiàn)LASH分為 NOR FLASH和NAND FLASH兩種類型。

NAND FLASH可以按block/page進(jìn)行擦除、寫入和讀取，NOR FLASH允許將單字寫入、位置或讀取。FLASH設(shè)備通常由一個或多個FLASH chip以及一個單獨(dú)的閃存控制器芯片組成。FLASH具有快速的讀取訪問時間，但一般不如靜態(tài)RAM或ROM快，并且單block/page寫入次數(shù)壽命較少。

FLASH與EEPROM沒有明確區(qū)分，一般“EEPROM”通常用于定義具有小block（小至一個字節(jié)）和長壽命（通常為1,000,000 次）的非易失性存儲器。近年來，F(xiàn)LASH已經(jīng)大規(guī)模替代了EEPROM，并且部分FLASH成本已經(jīng)低于EEPROM。

5.RAM(Random-Access Memory)

RAM是一種斷電即丟失的存儲形式。RAM可以按任何順序讀取和更改，允許在幾乎相同的時間內(nèi)讀取或?qū)懭霐?shù)據(jù)，而與存儲物理位置無關(guān)?；谶@一特點(diǎn)常用來存放工作數(shù)據(jù)和對實(shí)時性要求高的代碼。有時ROM或FLASH中代碼，先被復(fù)制到RAM中然后再運(yùn)行，以提高運(yùn)行速度。

RAM包含多路復(fù)用和多路分解電路，用于將數(shù)據(jù)線連接到尋址存儲以讀取或?qū)懭霔l目。RAM往往有多條數(shù)據(jù)線，一般按照“8位”或“16位”等分類。RAM根據(jù)實(shí)現(xiàn)電路不同分為SRAM、DRAM、SDRAM、SGRAM等型號。

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