FRAM是一種非易失性存儲器，因?yàn)樗Y(jié)合了ram和非易失性存儲器的優(yōu)點(diǎn)。相對于閃存/EEPROM的寫入優(yōu)勢和非易失性使其非常適合在斷電情況下存儲數(shù)據(jù)。具有高讀寫耐久性和快速寫入速度。英尚微存儲芯片供應(yīng)商可提供產(chǎn)品測試及技術(shù)支持。

功能比較

串行FRAM與EEPROM/閃存

與傳統(tǒng)的非易失性存儲器如EEPROM和Flash相比，F(xiàn)RAM具有寫入速度更快、耐用性更高和功耗更低的優(yōu)勢。使用FRAM代替EEPROM和Flash更有優(yōu)勢；

性能改進(jìn)

由于寫入速度快，即使在突然斷電的情況下，鐵電存儲器也能以寫入方式存儲數(shù)據(jù)。不僅如此，F(xiàn)RAM可以比EEPROM和Flash存儲器更頻繁地記錄數(shù)據(jù)。寫入數(shù)據(jù)時(shí)，EEPROM和閃存需要高電壓，因此比FRAM消耗更多功率。因此，通過使用FRAM，可以延長電池供電的小型設(shè)備的電池壽命?？傊?，F(xiàn)RAM是；

·能夠在突然斷電時(shí)以寫入方式存儲數(shù)據(jù)

·可以進(jìn)行頻繁的數(shù)據(jù)記錄

·能夠延長電池供電設(shè)備的電池壽命

總成本降低

在工廠對每個(gè)產(chǎn)品進(jìn)行參數(shù)寫入的情況下，鐵電存儲器有助于降低制造成本，因?yàn)榕cEEPROM和閃存相比，F(xiàn)RAM可以縮短寫入時(shí)間。此外，F(xiàn)RAM可以給您一個(gè)芯片解決方案，而不是多芯片解決方案，例如2個(gè)芯片由EEPROM+Flash組成，或者3個(gè)設(shè)備由EEPROM+SRAM+電池組成。

·縮短出廠參數(shù)寫入時(shí)間

·減少最終產(chǎn)品中使用的零件數(shù)量

并行FRAM與SRAM

具有并行接口的鐵電存儲器，兼容電池備份SRAM，可以替代SRAM。通過將SRAM替換為FRAM，客戶希望獲得以下優(yōu)勢。

總成本降低

使用SRAM的系統(tǒng)需要保持電池狀態(tài)檢查。通過更換為FRAM，客戶可以從電池檢查的維護(hù)負(fù)擔(dān)中解脫出來。此外，F(xiàn)RAM不需要SRAM所需的電池插座和防回流二極管及其空間。FRAM的單芯片解決方案可以減少空間和成本。

·免維護(hù)；無需更換電池

·設(shè)備小型化；可以減少最終產(chǎn)品的許多零件

環(huán)保產(chǎn)品

廢舊電池成為工業(yè)廢棄物。通過用FRAM替換SRAM+電池，可以減少不必要的備用電池。