隨著5G網(wǎng)絡(luò)、物聯(lián)網(wǎng)等終端應(yīng)用不斷進行優(yōu)化與技術(shù)升級，整體方案呈現(xiàn)小型化、功能系統(tǒng)化發(fā)展趨勢。集成度更高、能效更高的芯片方案也成為終端應(yīng)用的優(yōu)先選擇。本期小編將為大家重點推介矽力杰超小封裝模擬信號鏈產(chǎn)品系列方案。

矽力杰工業(yè)級高精度功率監(jiān)測器方案SQ52204采用超小CSP1.39×1.68-12封裝,適用于手機、筆記本、IoT等高性能、高集成度設(shè)備。極低的輸入偏置電流允許使用較大阻值的電阻器進行電流檢測，從而實現(xiàn)μA級別的精密電流測量；同時極低的輸入失調(diào)電壓允許使用較小阻值的電阻器進行電流檢測以降低功耗，并保證檢測精度。

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SQ52204

內(nèi)置積分器的電流/電壓/功率監(jiān)控器

◆ 總線檢測電壓范圍: 0~36V

◆支持高側(cè)或低側(cè)檢測

◆ 集成16位ADC

◆ 電流、電壓和功率檢測報警功能

◆ 內(nèi)置積分器用于能量和平均功耗計算

◆ 高精度：

?0.45%增益誤差(最大值)

?±10μV差分失調(diào)電壓(最大值)

◆ 超低偏置電流：1nA（最大值）

◆ 可配置的平均次數(shù)

◆ 靈活報警觸發(fā)機制

◆ 16個可編程地址

◆ 兼容高速I2C模式和SMBus模式

◆ 采用2.7~5.5V單電源供電

◆ 工作溫度范圍：–40°C~125°C

◆ 緊湊型封裝：CSP1.39×1.68-12

SQ82968采用CSP2.605×2.605-16封裝，是一款低功耗、高驅(qū)動能力（30mA）的16位DAC芯片，內(nèi)置高精度基準（5ppm/°C），滿足光模塊對激光器偏壓控制芯片小尺寸的要求。

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SQ82968

8通道16位電壓輸出DAC

◆ 低功耗，小尺寸8通道16位DAC

◆ 片上1.25V/2.5V, 5ppm/°C基準

◆ 3種省電模式。當(dāng)省電開啟時，DAC在3V電壓下電流低至200nA，在5V電壓下電流低至400nA。

◆ 上電復(fù)位至0V或中間電平

◆ 電源電壓：2.7~5.5V

◆ 設(shè)計保證具有單調(diào)性

◆ /CLR支持DAC輸出復(fù)位到軟件預(yù)先指定幅度

◆ 軌對軌輸出

◆ 緊湊型封裝：CSP2.605×2.605-16

SQ52110采用DFN2x2-10封裝，產(chǎn)品內(nèi)置可選響應(yīng)時間及可編程閾值的電流檢測比較器，使其適用于過流診斷的應(yīng)用；超小封裝有助于提升系統(tǒng)功率密度，廣泛應(yīng)用于筆記本電腦、高性能電源、電池充電器等場合。

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SQ52110

高精度電流檢測比較器

◆寬共模范圍：0V~36V

◆可選響應(yīng)時間：10μs、50μs、100μs

◆可編程閾值：

?使用單個電阻進行調(diào)整

?可編程范圍為 0 mV~250 mV

◆精度：

?偏移電壓：±500μV（最大值）

?偏移漂移：0.5μV/°C（最大值）

◆可選擇遲滯：2 mV、4 mV、8 mV

◆有源靜態(tài)電流：135μA（典型值）

◆可選禁用模式

?禁用靜態(tài)電流：1.2μA（最大值）

?禁用輸入偏置電流：500nA（最大值）

◆具有鎖存模式的漏極開路輸出

◆緊湊型封裝：DFN2x2-10

矽力杰ESD靜電保護芯片方案采用業(yè)界超小DFN封裝，尺寸僅為0.6×0.3mm。在實現(xiàn)更快瞬態(tài)響應(yīng)、更高集成度的同時，大大節(jié)省PCB空間，為智能穿戴、數(shù)據(jù)中心、通信設(shè)備等提供了理想的高頻數(shù)據(jù)保護方案，滿足更高帶寬的USB接口和更輕薄的移動設(shè)備的需求。

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SYT31A01

超低電容靜電保護

◆應(yīng)用于Thunderbolt3.0/4.0, USB4.0等高速數(shù)據(jù)線的靜電保護

◆ IEC61000-4-2(靜電)±15kV(空氣/接觸)

◆ IEC61000-4-2(浪涌)6A(8/20μs)

◆ 超低電容：0.17pF

◆ 超低殘壓：4V@6A(8/20μs浪涌),

4.8V@16A(10/100ns TLP)

◆針對高速線路優(yōu)化的超小封裝:

?DFN0.6×0.3-2

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SYT11M05

超低電容靜電保護

◆ 應(yīng)用于智能手機，TWS耳機靜電保護

◆ IEC61000-4-2(靜電)±30kV(空氣/接觸)

◆ IEC61000-4-2(浪涌)9A(8/20μs)

◆ 低殘壓：7.5V@9A(8/20μs浪涌),

8V@16A(10/100ns TLP)

◆針對高速線路優(yōu)化的超小封裝:

?DFN0.6×0.3-2

?DFN1.0×0.6-2