1. 碳化硅具有耐高溫、高壓等優(yōu)勢，滲透率提升空 間大

近年來，第三代半導(dǎo)體發(fā)展迅速。由于第一代及第二代半導(dǎo)體材料自身的物理性能局 限，越來越無法滿足新型領(lǐng)域如新能源汽車、智能電網(wǎng)、5G 通信等。根據(jù) Yole（悠樂咨 詢《全球碳化硅市場 2022 年度報告》）數(shù)據(jù)，2022 年全球第三代半導(dǎo)體材料碳化硅（SiC） 滲透率為 3%。 1) 第一代半導(dǎo)體材料以硅（Si）、鍺（Ge）為代表，廣泛應(yīng)用于低壓、低頻、低功率 的晶體管和探測器中，90%以上的半導(dǎo)體產(chǎn)品是用硅基材料制作的； 2) 第二代半導(dǎo)體材料以砷化鎵（GaAs）、磷化銦（InP）為代表，相對硅基器件具有 高頻、高速的光電性能，廣泛應(yīng)用于光電子和微電子領(lǐng)域； 3) 第三代半導(dǎo)體材料以碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN）、氧化鋅（ZnO）、氮化鋁 （AlN）、金剛石（C）為代表。因具有大禁帶寬度、高電導(dǎo)率、高熱導(dǎo)率、高抗輻射能力 等優(yōu)點，更適合在高壓、高頻、高功率、高溫以及高可靠性領(lǐng)域中應(yīng)用，例如射頻通信、 雷達(dá)、電源管理、汽車電子、電力電子等。

與第一代半導(dǎo)體材料 Si 相比，碳化硅具備更高的擊穿電場強度、飽和電子漂移速率、 熱導(dǎo)性和熱穩(wěn)定性。根據(jù)艾瑞咨詢數(shù)據(jù)： 1）寬禁帶：高穩(wěn)定性+高擊穿電場強度。碳化硅的禁帶寬度是硅的 3 倍，使得其具有 更好的穩(wěn)定性，寬禁帶同時也有助于提高擊穿電場強度，使其具有更好的耐熱性和耐高壓 性、高頻性。2）熱導(dǎo)率：散熱性能好。SiC 熱導(dǎo)率是 Si 的 2-3 倍，熱阻更低，更耐高溫（工作結(jié)溫 更高可達(dá) 200℃以上，極限工作結(jié)可達(dá) 600℃，而 Si 的工作極限溫度為 150℃），產(chǎn)生的 熱量更容易傳輸?shù)缴崞骱铜h(huán)境中。 3）高飽和電子漂移速率：能量損耗更低。碳化硅的飽和電子漂移速率為硅的 2-3 倍， 導(dǎo)通電阻更低，能夠大幅度降低導(dǎo)通損耗，同時有更高的切換頻率。在 1kV 電壓等級下， SiC 基單極性器件的導(dǎo)通電阻是 Si 基器件的 1/60。

碳化硅器件更高效節(jié)能、更能實現(xiàn)系統(tǒng)小型化。根據(jù)羅姆官網(wǎng)數(shù)據(jù)，相同規(guī)格下 SiC 器 件體積約為硅基器件的 1/10。

2．縱觀產(chǎn)業(yè)鏈，襯底與外延占據(jù) 70%的成本

碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈主要分為襯底、外延、器件和應(yīng)用四大環(huán)節(jié)，襯底與外延占據(jù) 70%的碳 化硅器件成本。根據(jù)中商產(chǎn)業(yè)研究院數(shù)據(jù)，碳化硅器件的成本構(gòu)成中，襯底、外延、前段、 研發(fā)費用和其他分別占比為 47%，23%，19%，6%，5%，襯底+外延合計約 70%，是碳 化硅產(chǎn)業(yè)鏈制造的重要組成部分。 襯底和外延層的缺陷水平的降低、摻雜的精準(zhǔn)控制及摻雜的均勻性對碳化硅器件的應(yīng) 用至關(guān)重要。受制于材料端的制備難度大，良率低，產(chǎn)能小，目前碳化硅襯底及外延層的 價值量高于硅材料。 碳化硅襯底分為導(dǎo)電型和半絕緣型襯底。在導(dǎo)電型碳化硅襯底上生長碳化硅外延層， 可制成二極管、MOSFET 等功率器件，主要應(yīng)用于新能源汽車、光伏發(fā)電等領(lǐng)域；在半絕 緣型碳化硅襯底上生長氮化鎵外延層，可制成 HEMT 等微波射頻器件，主要應(yīng)用于 5G 通 訊、衛(wèi)星等領(lǐng)域。

2.1 襯底：晶體生長是核心難點，PVT 為主流方法

碳化硅襯底經(jīng)多個工序，PVT 為碳化硅晶體生長的主流方法。碳化硅襯底制備目前主 要以高純碳粉、硅粉為原料合成碳化硅粉，采用物理氣相傳輸法（PVT 法），在單晶爐中 生長成為晶體，隨后經(jīng)過切片、研磨、拋光、清洗等步驟制成單晶薄片作為襯底。

晶體生長是核心難點，國內(nèi)襯底良率偏低。1）SiC 晶棒生長速度慢。長度約 2cm 的 SiC 晶棒大約需要 7-10 天的生長時間（天科合達(dá)招股說明書數(shù)據(jù)），生長速度僅為 Si 晶棒 的幾十分之一；2）晶體生長對各種參數(shù)要求高，工藝復(fù)雜。在晶體生長過程中需要精確控 制硅碳比、生長溫度梯度等參數(shù)，并且生長過程不可見。 我們認(rèn)為長晶難點在于工藝而非設(shè)備本身，目前部分碳化硅襯底廠商選擇自研長 晶設(shè)備，也有部分廠商選擇外購模式。 根據(jù)公司年報及招股說明書，天科合達(dá)成立沈陽分公司生產(chǎn)擁有自主知識產(chǎn)權(quán)的碳化 硅單晶生長爐，2019 年對外銷售 23 臺。天岳先進(jìn)的碳化硅單晶生長爐主要找北方華創(chuàng)采 購，但熱場設(shè)計、控制軟件以及組裝調(diào)試工作均由公司自行完成，并且擁有“碳化硅單晶 大直徑、高厚度、低缺陷制備技術(shù)”專利。

根據(jù)晶升股份招股說明書，預(yù)計北方華創(chuàng)占國內(nèi)碳化硅廠商采購份額 50%以上，晶升 股份市占率約為 27.47%-29.01%，二者占國內(nèi)長晶爐超 77%。

2.2 外延：處產(chǎn)業(yè)鏈中間環(huán)節(jié)，設(shè)備交付周期長

外延是指在碳化硅襯底上，經(jīng)過外延工藝生長出特定單晶薄膜。1）隨著器件耐壓性能 的提高，對應(yīng)的外延層厚度增加，對厚度和電阻率均勻性以及缺陷密度的控制就變得困難。 根據(jù)今日半導(dǎo)體數(shù)據(jù)，一般電壓 600V 左右時，所需外延層厚度約在 6 微米；電壓在 1200-1700V 時，所需外延層厚度達(dá) 10-15 微米；若電壓達(dá)到一萬伏以上時，可能需要 100 微米以上的外延層厚度。2）CVD（化學(xué)氣相沉積）是外延生長中最常用的方法。國內(nèi)碳化 硅外延技術(shù)在高壓應(yīng)用領(lǐng)域受限制，厚度和參雜濃度均勻性是關(guān)鍵的參數(shù)。 外延層對器件性能影響大，處產(chǎn)業(yè)鏈中間環(huán)節(jié)。外延缺陷會對器件擊穿電壓造成影響， 使得器件良率提升難度大；同時，外延層的質(zhì)量又受到晶體和襯底加工質(zhì)量的影響，處產(chǎn) 業(yè)鏈中間環(huán)節(jié)。

碳化硅外延市場由 Wolfspeed 和昭和電工（Showa Denko）雙寡頭壟斷。根據(jù) Yole 數(shù)據(jù)，2020 年全球碳化硅外延市場中，Wolfspeed 占 52%，昭和電工占 43%，CR2 共占 95%。

國內(nèi)各廠商加快生產(chǎn)線建設(shè)。天域半導(dǎo)體建設(shè)碳化硅外延材料研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化項目，預(yù) 計 2025 年竣工并投產(chǎn)，實現(xiàn)營收 8.7 億元，2028 年全面達(dá)產(chǎn)產(chǎn)能 100 萬片/年；瀚天天 成二期 22 年 3 月竣工驗收，23 年達(dá)產(chǎn)產(chǎn)能為 20 萬/年；三期于 22 年啟動建設(shè)，預(yù)計達(dá) 產(chǎn)產(chǎn)能 140 萬片/年。

外延設(shè)備是核心，國外廠商壟斷。外延設(shè)備被行業(yè)四大龍頭企業(yè)德國的 Aixtron、意大 利的 LPE、日本的 TEL 和 Nuflare 所壟斷，主流 SiC 高溫外延設(shè)備交付周期已拉長至 1.5-2 年左右（TEL 因價格和技術(shù) IP 問題，較少出現(xiàn)在國內(nèi)市場；Nuflare 設(shè)備多數(shù)交付給 Wolfspeed 和 II-VI）。 德國 Aixtron：多片機產(chǎn)能較大，缺點是控制難度較高；意大利 LPE：單片機，生長 速率最高，缺點是需要經(jīng)常降溫清理腔體。日本 TEL：雙腔體，對提高產(chǎn)量有一定的作用； 日本 Nuflare：垂直機臺，高速旋轉(zhuǎn)可達(dá)到一分鐘 1000 轉(zhuǎn)，保證均勻性控制較好的同時 可以避免一些顆粒物的產(chǎn)生，缺陷較低。 根據(jù)公司年報及官網(wǎng)，北方華創(chuàng) SiC 外延爐已實現(xiàn)量產(chǎn)，截至 2022 年 9 月累計訂單 數(shù)超 100 臺；中微公司目前已啟動外延生產(chǎn)設(shè)備的開發(fā)，預(yù)計 2023 年將交付樣機至客戶 端開展生產(chǎn)驗證。

3. 競爭格局集中，國內(nèi)襯底廠商奮起直追

襯底市場競爭格局集中，海內(nèi)外廠商發(fā)展模式差異大。國外企業(yè)多以 IDM 模式布局全 產(chǎn)業(yè)鏈，如 Wolfspeed、羅姆及意法半導(dǎo)體等，而國內(nèi)企業(yè)傾向?qū)Ｗ⒂趩蝹€環(huán)節(jié)制造，如 襯底領(lǐng)域的天科合達(dá)、天岳先進(jìn)，外延領(lǐng)域的瀚天天成、東莞天域半導(dǎo)體。

3.1 碳化硅襯底市場規(guī)?？焖僭鲩L，導(dǎo)電型 CR3 約 89%

碳化硅襯底的市場規(guī)模有望快速增長。根據(jù)中商產(chǎn)業(yè)研究院數(shù)據(jù)，2022 年全球?qū)щ娦?碳化硅襯底和半絕緣型碳化硅襯底市場規(guī)模分別為 5.12 和 2.42 億美元，預(yù)計到 2023 年市 場規(guī)模將分別達(dá)到6.84 和2.81 億美元。2022-2025年，導(dǎo)電型碳化硅襯底CAGR 達(dá)34%。 根據(jù)中商產(chǎn)業(yè)研究院數(shù)據(jù)，海外廠商壟斷碳化硅襯底市場。2020 年碳化硅襯底中海外 廠商市占率達(dá) 86%，其中 Wolfspeed 市占率達(dá) 45%，Rohm（收購 SiCrystal）排名第二， 占 20%的市場份額。國內(nèi)企業(yè)天科合達(dá)、天岳先進(jìn)分別占據(jù)了 5%、3%。

分導(dǎo)電型和半絕緣型市場看：1）2020 年全球?qū)щ娦吞蓟枰r底市場中，Wolfspeed 市占率達(dá) 62%，CR3 約 89%，國內(nèi)份額最大的天科合達(dá)僅占 4%；2）2020 年全球半絕緣 型碳化硅襯底市場中，Wolfspeed、II-VI 分別占 33%、35%的市場份額，CR2 約 68%， 國內(nèi)天岳先進(jìn)占 30%。

國外壟斷廠商運用先發(fā)優(yōu)勢繼續(xù)擴產(chǎn)。Wolfspeed 位于紐約的莫霍克谷工廠現(xiàn)已投產(chǎn) （8 英寸），預(yù)計 2023-2024 年產(chǎn)能達(dá) 72 萬片/年（相當(dāng)于 150 萬片 6 英寸）。此外， Wolfspeed 一期建設(shè)投資 13 億美元在北卡羅來納州查塔姆縣建造的 8 英寸碳化硅生產(chǎn)工 廠，預(yù)計2024 年完工后帶來超10 倍產(chǎn)能擴充；II-VI 建設(shè)美國賓夕法尼亞州伊斯頓的工廠， 預(yù)計 2027 年產(chǎn)能達(dá) 100 萬片/年 6 英寸；日本羅姆預(yù)計 2025 年襯底產(chǎn)能擴展至 30-40 萬 /年。

3.2 國內(nèi)襯底廠商加速布局

國內(nèi)廠商奮起直追。預(yù)計天科合達(dá) 2025 年底，6 英寸有效產(chǎn)能達(dá) 55 萬片/年；預(yù)計天 岳先進(jìn)的上海臨港工廠，2026 年達(dá)產(chǎn)產(chǎn)能為 30 萬片/年。 我們認(rèn)為國產(chǎn)襯底廠商進(jìn)展超預(yù)期。2023 年 4 月，天岳先進(jìn) 2022 年年報披露與博世 集團簽署長期協(xié)議；5 月，英飛凌宣布與天科合達(dá)和天岳先進(jìn) 2 家 SiC 襯底廠商簽訂長期 協(xié)議，并預(yù)計 2 家供應(yīng)量均將占到英飛凌長期需求量的兩位數(shù)份額。這是國產(chǎn) SiC 的里程 碑事件，體現(xiàn)國產(chǎn) SiC 襯底龍頭獲國際器件大廠認(rèn)可，襯底良率和性能提升超預(yù)期。 23 年 6 月，意法半導(dǎo)體宣布將與三安光電在中國成立 200mm 碳化硅器件制造合資企 業(yè)公司，三安光電將建造并單獨運營一座新的 200 毫米碳化硅襯底制造廠，使用自己的碳 化硅襯底工藝來滿足合資企業(yè)的需求。

4.重點公司分析

4.1 天岳先進(jìn)：半絕緣型碳化硅襯底龍頭，產(chǎn)能逐步向?qū)щ娦?切換

天岳先進(jìn)是半絕緣型碳化硅襯底龍頭，全球市占率保持前三。公司主營業(yè)務(wù)是半絕緣 型和導(dǎo)電型碳化硅襯底以及晶棒、不合格襯底等其他業(yè)務(wù)。截至 2020 年，公司半絕緣型襯 底占銷售收入的 82%（招股說明書數(shù)據(jù)）。 凈利潤波動較大。2020-2022 年，公司凈利潤分別是-6.42、0.90 和-1.75 億元，2021 年凈利潤為正，主要系行業(yè)景氣度較高、公司經(jīng)營規(guī)模擴大、盈利能力增強。2022 年凈利 潤為負(fù)，主要系產(chǎn)線、設(shè)備調(diào)整等導(dǎo)致臨時性產(chǎn)能下滑，以及公司為新建產(chǎn)能投產(chǎn)所招聘 的人員數(shù)量較大，導(dǎo)致薪酬支出大幅上升，對凈利潤影響較大。 根據(jù)年報，公司濟南工廠導(dǎo)電型產(chǎn)品產(chǎn)能產(chǎn)量正快速爬坡。截至 2022 年末，濟南工 廠導(dǎo)電型產(chǎn)品的產(chǎn)量已超過半絕緣型。

研發(fā)費用率持續(xù)提升。2022 年公司研發(fā)投入占營業(yè)收入占比提升 15.66pct，主要系 公司大尺寸及 N 型產(chǎn)品研發(fā)投入、前沿技術(shù)研發(fā)投入等加大，導(dǎo)致研發(fā)費用上升。 凈利率、毛利率有所收窄。凈利率方面，2021 年，公司凈利率由負(fù)轉(zhuǎn)正，從-151%上 升至 18%，主要系 2021 年公司經(jīng)營規(guī)模擴大、盈利能力增強。毛利率方面，2019-2021 年近三年內(nèi)毛利率基本穩(wěn)定；2022 年毛利率為-6%，主要系由疫情及國際形勢變化影響公 司新建產(chǎn)能進(jìn)度。

4.2 天科合達(dá)：2020 年導(dǎo)電型襯底全球市占率達(dá) 4%

公司主營業(yè)務(wù)為碳化硅晶片、其他碳化硅產(chǎn)品（籽晶、晶體）和碳化硅單晶生長爐， 其中，碳化硅晶片是公司的核心產(chǎn)品。公司專注碳化硅晶體生長和晶片加工技術(shù)，掌握“設(shè) 備研制—原料合成—晶體生長—晶體切割—晶片加工—清洗檢測”碳化硅晶片生產(chǎn)全流 程關(guān)鍵技術(shù)和工藝。 公司營業(yè)收入快速增長，凈利潤由負(fù)轉(zhuǎn)正。2017-2019 年，公司營業(yè)收入 CAGR 達(dá) 153.92%。凈利潤方面，公司自 2018 年開始轉(zhuǎn)正，凈利潤達(dá) 194.4 萬元，主要系產(chǎn)品良 率大幅提高、新增設(shè)備產(chǎn)能釋放、市場需求增長迅猛。

公司研發(fā)費用率總體穩(wěn)定，毛利率、凈利率提升。公司毛利自 2018 年以來轉(zhuǎn)正，主要 系技術(shù)工藝的提升和規(guī)模效應(yīng)帶動生產(chǎn)成本下降；凈利率方面，2018-2019 年，公司凈利 率分別為 2.49%、19.36%，盈利能力持續(xù)提升。

4.3 東尼電子：1Q23 碳化硅業(yè)務(wù)收入達(dá) 2563 萬元

東尼電子子公司東尼半導(dǎo)體于 2023 年 1 月與下游客戶 T 簽訂《采購合同》，約定東 尼半導(dǎo)體 2023 年向該客戶交付 6 英寸碳化硅襯底 13.5 萬片，含稅銷售金額合計人民幣 6.75 億元。根據(jù)公告，公司 5 月份開始交付。 根據(jù)公司公告，1Q23 碳化硅業(yè)務(wù)收入達(dá) 2563萬元，毛利率 2.87%，凈利率為-43.61%。

4.4 三安光電：具備 SiC 全產(chǎn)業(yè)鏈一體化布局

公司 6 月 7 日公告，湖南三安與意法半導(dǎo)體將共同設(shè)立一家專門從事碳化硅外延、芯 片生產(chǎn)的合資代工公司-三安意法半導(dǎo)體重慶有限公司，合資公司預(yù)計投入總金額為 32 億 美元。 本次合作體現(xiàn)了公司碳化硅業(yè)務(wù)在國際市場的實力。 根據(jù)公告，新的 SiC 制造廠計劃 于 2025 年完成階段性建設(shè)并逐步投產(chǎn)，2028 年達(dá)產(chǎn)，規(guī)劃達(dá)產(chǎn)后生產(chǎn) 8 寸碳化硅晶圓 4 萬片/月。同時，三安光電將利用自有 SiC 襯底工藝，單獨建造和運營一個新的 8 英寸 SiC 襯底制造廠，以滿足該合資廠的襯底需求。該合資廠將采用 ST 的 SiC 專利制造工藝技術(shù)， 專注于為 ST 生產(chǎn) SiC 器件，湖南三安持股比例為 51%，意法半導(dǎo)體持股比例為 49%。 根據(jù)年報，公司 2022 年底湖南三安碳化硅產(chǎn)能 1.2 萬片/月，目前產(chǎn)能爬坡至 1.5 萬 片/月。湖南三安二期工程將于 2023 年貫通，達(dá)產(chǎn)后配套年產(chǎn)能將達(dá)到 3 萬片/月，銷售 收入正隨著產(chǎn)能釋放實現(xiàn)。