為了分析AD9246S等器件的HDR性能，在暴露于HDR輻射之前，該器件在ATE（自動(dòng)測(cè)試設(shè)備）解決方案上進(jìn)行測(cè)試，然后在輻射暴露后在ATE上再次測(cè)試。目標(biāo)是檢查設(shè)備性能是否有任何明顯的變化。在這種情況下，將設(shè)備在VPT RAD下照射至100 kRads總電離劑量。執(zhí)行TID測(cè)試時(shí)，ADI公司會(huì)生成一份測(cè)試報(bào)告，詳細(xì)說(shuō)明測(cè)試條件，并提供照射前和照射后的性能摘要。

對(duì)于AD9246S，在TM129條件A規(guī)定的測(cè)試條件下，使用Cobalt100的總電離劑量為60 Rad/s，測(cè)試期間的總電離劑量為1019 kRad。該測(cè)試于2016年<>月在VPT RAD進(jìn)行。您可能會(huì)注意到這一點(diǎn)和最近的產(chǎn)品發(fā)布日期的一件事是時(shí)間增量。謹(jǐn)慎的做法是在產(chǎn)品開(kāi)發(fā)過(guò)程的早期對(duì)給定設(shè)備進(jìn)行輻射測(cè)試，以更好地了解設(shè)備的性能，并就可能需要進(jìn)行的任何輻射性能改進(jìn)做出決策。如果給定產(chǎn)品的TID性能較差，則除非可以進(jìn)行適當(dāng)?shù)妮椛湫阅茉鰪?qiáng)（當(dāng)然，在時(shí)間和預(yù)算限制范圍內(nèi)！

數(shù)據(jù)在報(bào)表中呈現(xiàn)有兩種方式;數(shù)據(jù)以表格形式和性能圖表的形式呈現(xiàn)。該報(bào)告長(zhǎng)達(dá)數(shù)頁(yè)（確切地說(shuō)是110頁(yè)），但我們僅快速瀏覽一下高速ADC通常觀察到的幾個(gè)關(guān)鍵參數(shù)。請(qǐng)注意，下表中顯示了 SNR、SINAD、ENOB、二次諧波、三次諧波和 SFDR?？偣灿形鍌€(gè)單元，四個(gè)輻照單元和一個(gè)控制單元，根據(jù)提供的輻射前和輻射后暴露的ATE測(cè)試結(jié)果進(jìn)行測(cè)試。

ATE限值在最后一行給出，統(tǒng)計(jì)數(shù)據(jù)根據(jù)測(cè)試的設(shè)備（最小值、最大值、平均值、標(biāo)準(zhǔn)偏差、平均值+ 3西格瑪和平均值 – 3西格瑪）顯示。如您所見(jiàn)，AD9246S在這些方面表現(xiàn)非常出色。此處顯示的所有性能參數(shù)都很容易滿足數(shù)據(jù)手冊(cè)中的限值，即使在TID測(cè)試中暴露了100 kRad之后也是如此。我想指出的是，2德·諧波顯示平均值 – 小于限值的 3 西格瑪值。這是由于一個(gè)單元，其中 2德·諧波遠(yuǎn)小于導(dǎo)致西格瑪值偏斜的典型值。這不是問(wèn)題，因?yàn)闇y(cè)量值遠(yuǎn)低于極限，它只是由于較大的增量而使sigma值略有偏斜。

AD9246S 交流性能指標(biāo)的制表數(shù)據(jù)

除了我在這里展示的內(nèi)容之外，還有許多其他測(cè)試在ADC上執(zhí)行TID測(cè)試。該器件在性能上沒(méi)有明顯變化，被指定為100 kRADs TID產(chǎn)品。除了表格數(shù)據(jù)外，還顯示了許多不同的性能圖，給出了ATE解決方案中測(cè)試的所有參數(shù)的輻射前和輻射后平均值。我再次選擇了一些常用參數(shù)。我選取了幾個(gè)圖并將它們組合成一個(gè)圖像，以便我們可以查看此處給出的表格結(jié)果中顯示的相同參數(shù)。

AD9246S交流性能指標(biāo)的性能圖

提供性能圖可提供輻射暴露前和輻射后性能的可視化表示。平均圖顯示了在TID測(cè)試期間暴露100 kRad后ADC的平均性能如何變化?？梢钥闯?，對(duì)于所示的每個(gè)參數(shù)，偏移非常小。同樣，在 3 kRads 曝光后，平均值 + 3 西格瑪和平均值 – 100 西格瑪偏移也非常小。再次注意，2 的非常低的值德·在其中兩個(gè)單位上測(cè)量的諧波使西格瑪偏斜，使得平均值 – 3 西格瑪超出限制。再一次，這里沒(méi)有問(wèn)題，因?yàn)槲鞲瘳斨械钠眮?lái)自明顯低于極限的測(cè)量值，這是朝著性能的積極方向移動(dòng)。

有一些與測(cè)試程序相關(guān)的特定方法，我不會(huì)在這里介紹TID測(cè)試?；A(chǔ)知識(shí)是在輻射暴露之前在ATE上測(cè)試設(shè)備，然后在輻射暴露后在特定時(shí)間和一組特定條件下在ATE上測(cè)試設(shè)備。在ATE上執(zhí)行的所有測(cè)試都記錄下來(lái)，并在此處的報(bào)告中顯示。該報(bào)告可幫助潛在用戶確定ADC是否適合其空間應(yīng)用。

接下來(lái)，我們將繼續(xù)研究高速ADC的輻射效應(yīng)，同時(shí)研究各種單事件效應(yīng)（SEE）。就測(cè)試難度而言，檢查設(shè)備的TID性能比檢查SEE性能要簡(jiǎn)單得多。之所以如此，主要是因?yàn)樵赥ID的輻射暴露期間沒(méi)有進(jìn)行測(cè)試評(píng)估。當(dāng)測(cè)試SEE效應(yīng)時(shí)，在輻射暴露期間進(jìn)行測(cè)試評(píng)估。

審核編輯：郭婷