半導體同時具有“導體”的特性，因此允許電流通過，而絕緣體則不允許電流通過。離子注入工藝將雜質(zhì)添加到純硅中，使其具有導電性能。我們可以根據(jù)實際需要使半導體導電或絕緣。 重復光刻、刻蝕和離子注入步驟會在晶圓上創(chuàng)建無數(shù)半導體電路。必須從外部施加電信號，才能使這些電路正常工作。金屬互連沿半導體電路設(shè)計圖形鋪設(shè)，以便電信號通過電路傳輸。

金屬互連：鋪設(shè)電氣高速路

金屬互連工藝是為了利用金屬的導電特性。在此步驟中，根據(jù)半導體的電路設(shè)計圖形沉積金屬線。但并非所有金屬都可以用于金屬互連。為了提高半導體芯片的質(zhì)量，金屬必須滿足以下條件：

沉積時，易于在晶圓上形成薄膜并具有較強的附著力。

低阻抗以減少損耗。

高化學和熱穩(wěn)定性以保證穩(wěn)定的電氣特性。

易于形成電路圖形，適用于刻蝕等工藝。

即使在極小尺寸下仍具有高可靠性。

成本低廉以滿足大規(guī)模量產(chǎn)需求。

滿足上述條件的金屬包括鋁(AI)、鈦(Ti)和鎢(W)。那么金屬互連是如何形成的呢？

鋁是在半導體芯片金屬互連工藝里最常見的材料，因為鋁可以很好地粘附在氧化層(二氧化硅)上，易于加工。 但是，鋁(Al)和硅(Si)在相遇時往往會發(fā)生混合。這意味著在硅晶圓上鋪設(shè)鋁線時，接合面可能會被破壞。為了防止這種情況發(fā)生，沉積了另一種金屬作為鋁和晶圓之間的屏障。這種金屬稱為阻擋金屬(Barrier metal)。通過形成雙層薄膜，可以防止接合面被破壞。 金屬線的鋪設(shè)使用沉積工藝進行。將金屬放置在真空室中并在低壓下煮沸或電擊，從而將金屬變成氣體。將晶圓放置在真空室中，從而在晶圓上形成一層薄金屬膜。 通過不斷的研究和開發(fā)，半導體工藝越來越完善。例如，在金屬互連工藝中正在向化學氣相沉積(CVD)過渡，以在較小的區(qū)域上形成更均勻的薄膜。 我們已經(jīng)研究了晶圓制造以及設(shè)計和創(chuàng)建半導體芯片過程中的電路圖形所涉及的工藝。接下來，我們將研究生產(chǎn)完美半導體產(chǎn)品之旅的最后步驟：測試和封裝。

審核編輯：湯梓紅