6月26-27日，由NE時(shí)代主辦的2023第三屆全球xEV驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)技術(shù)暨產(chǎn)業(yè)大會(huì)在上海嘉定如期召開(kāi)。本次大會(huì)圍繞“雙循環(huán) · 新格局”的主題，重點(diǎn)聚焦國(guó)內(nèi)外新能源汽車行業(yè)發(fā)展業(yè)態(tài)。大會(huì)吸引了來(lái)自新能源汽車電驅(qū)動(dòng)整車廠、驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)產(chǎn)業(yè)鏈、相關(guān)材料、設(shè)備、測(cè)試等上下游應(yīng)用廠商，以及行業(yè)機(jī)構(gòu)、科研院校、園區(qū)等的近千名嘉賓參與。業(yè)界大咖齊聚一堂，就“電驅(qū)產(chǎn)業(yè)‘雙循環(huán)，新格局’ ”、“電驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)和關(guān)鍵部件技術(shù)”、“電機(jī)控制和關(guān)鍵器件技術(shù)”、“驅(qū)動(dòng)電機(jī)新技術(shù)和新工藝”等話題展開(kāi)熱烈討論。

派恩杰半導(dǎo)體受邀并攜公司650V-1700V碳化硅器件及功率模塊亮相，引起與會(huì)技術(shù)專家和客戶的廣泛關(guān)注。憑借國(guó)際領(lǐng)先的技術(shù)水平和卓越的性能表現(xiàn)，贏得業(yè)內(nèi)專家和客戶的一致認(rèn)可和高度贊譽(yù)。

HPD 封裝SiC模塊

派恩杰1200V/400A SiC 模塊PAAC12400CM，采用Press-fit技術(shù)與驅(qū)動(dòng)板進(jìn)行連接，使得裝配過(guò)程更加可靠，派恩杰HPD封裝SiC模塊最大持續(xù)工作電流為400A，采用Pin-Fin結(jié)構(gòu)利用水道進(jìn)行散熱，顯著提高功率模塊散熱效率，提高模塊的功率密度。派恩杰HPD模塊專門為800V電機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)開(kāi)發(fā)，滿足車規(guī)級(jí)要求。

同時(shí)，派恩杰設(shè)計(jì)專用模塊測(cè)試評(píng)估板對(duì)模塊進(jìn)行動(dòng)態(tài)參數(shù)設(shè)計(jì)，通過(guò)外部控制信號(hào)對(duì)模塊進(jìn)行雙脈沖測(cè)試，驅(qū)動(dòng)能力高達(dá)±30A，該評(píng)估板可直接壓接在HPD封裝模塊上，板子尺寸為168mm*93mm，六路獨(dú)立的驅(qū)動(dòng)電源和驅(qū)動(dòng)芯片可以輕松驅(qū)動(dòng)PAAC12400CM。

作為一家主營(yíng)車規(guī)級(jí)碳化硅功率器件的半導(dǎo)體公司，派恩杰致力于為客戶提供穩(wěn)定可靠的產(chǎn)品，并提供優(yōu)質(zhì)的服務(wù)。派恩杰的碳化硅MOSFET，除通過(guò)AEC-Q101車規(guī)級(jí)測(cè)試認(rèn)證外，還進(jìn)行多個(gè)內(nèi)外部測(cè)試。

例如SiC MOSFET AC BTI 可靠性研究，1000h的AC BTI試驗(yàn)Rdson變化率結(jié)果顯示，派恩杰測(cè)試器件的Rdson變化率均小于1%，且不隨時(shí)間推移變化，性能穩(wěn)定，幾乎達(dá)到硅MOSFET可靠性水平。

馬拉松性能測(cè)試，派恩杰的P3M12080K3產(chǎn)品在柵壓條件Vgs = 25V，環(huán)境溫度175℃的條件下，能夠很好地消除SiC材料的失效風(fēng)險(xiǎn)，PPM為個(gè)位數(shù)，與國(guó)際競(jìng)品廠商論文及報(bào)告中的器件可靠性接近。這也意味著派恩杰產(chǎn)品不僅能通過(guò)嚴(yán)苛的車規(guī)測(cè)試，也可以很好地適用于新能源和光伏等領(lǐng)域。

1000h SiC MOSFET體二極管可靠性報(bào)告，在Vgs=-5V，Isd=5A的測(cè)試條件下，殼溫達(dá)到130℃左右，P3M12080K3體二極管經(jīng)過(guò)1000h直流可靠性測(cè)試，器件的性能退化均比較小，器件參數(shù)變化率遠(yuǎn)低于20%的失效標(biāo)準(zhǔn)。

展會(huì)精彩瞬間

派恩杰半導(dǎo)體始終堅(jiān)持自主研發(fā)，致力于推動(dòng)碳化硅器件國(guó)產(chǎn)替代。截至目前，派恩杰半導(dǎo)體量產(chǎn)產(chǎn)品已在電動(dòng)汽車、IT設(shè)備電源、光伏逆變器、儲(chǔ)能系統(tǒng)、工業(yè)應(yīng)用等領(lǐng)域廣泛使用，為各個(gè)應(yīng)用領(lǐng)域頭部客戶持續(xù)穩(wěn)定供貨并廣受好評(píng)。面向未來(lái)，派恩杰期待以領(lǐng)先的技術(shù)以及對(duì)行業(yè)的深刻理解為客戶帶來(lái)質(zhì)量穩(wěn)定和安全可靠的功率芯片，為實(shí)現(xiàn)低碳節(jié)能、綠色可持續(xù)發(fā)展做出貢獻(xiàn)。

第三代寬禁帶半導(dǎo)體材料前沿技術(shù)探討交流平臺(tái)，幫助工程師了解SiC/GaN全球技術(shù)發(fā)展趨勢(shì)。所有內(nèi)容都是SiC/GaN功率器件供應(yīng)商派恩杰半導(dǎo)體創(chuàng)始人黃興博士和派恩杰工程師原創(chuàng)。

黃興博士

派恩杰 總裁 &技術(shù)總監(jiān)

美國(guó)北卡州立大學(xué)博士，師承Dr. B. Jayant Baliga（IEEE終身會(huì)員，美國(guó)科學(xué)院院士，IGBT發(fā)明者，奧巴馬授予國(guó)家技術(shù)創(chuàng)新獎(jiǎng)?wù)拢┡cDr. Alex Q. Huang（IEEE Fellow, 發(fā)射極關(guān)斷晶閘管（ETO）的發(fā)明者）。10余年碳化硅與氮化鎵功率器件經(jīng)驗(yàn)，在世界頂尖碳化硅實(shí)驗(yàn)室參與美國(guó)自然科學(xué)基金委FREEDM項(xiàng)目、美國(guó)能源部Power America項(xiàng)目，曾任職于Qorvo Inc.、聯(lián)合碳化硅。2018年成立派恩杰半導(dǎo)體，立志于幫助中國(guó)建立成熟的功率器件產(chǎn)業(yè)鏈。

派恩杰半導(dǎo)體

成立于2018年9月的第三代半導(dǎo)體功率器件設(shè)計(jì)和方案商，國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)委員會(huì)JC-70會(huì)議的主要成員之一，參與制定寬禁帶半導(dǎo)體功率器件國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)。發(fā)布了100余款650V/1200V/1700V SiC SBD、SiC MOSFET、GaN HEMT功率器件，其中SiC MOSFET芯片已大規(guī)模導(dǎo)入國(guó)產(chǎn)新能源整車廠和Tier 1，其余產(chǎn)品廣泛用于大數(shù)據(jù)中心、超級(jí)計(jì)算與區(qū)塊鏈、5G通信基站、儲(chǔ)能/充電樁、微型光伏、城際高速鐵路和城際軌道交通、家用電器以及特高壓、航空航天、工業(yè)特種電源、UPS、電機(jī)驅(qū)動(dòng)等領(lǐng)域。