功率MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管電參數(shù)指標(biāo)中規(guī)定的電參數(shù)一般分為三大類：直流參數(shù)、交流參數(shù)和極限參數(shù)。直流參數(shù)包括：漏源擊穿電壓BVDSS，靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻RDS(on)，柵閾值電壓VGS(th)，正向跨導(dǎo)gfs等;交流參數(shù)包括：輸入電容Ciss、輸出電容Coss，反向傳遞電容Crss，開(kāi)關(guān)時(shí)間ton、ts、tf等；極限參數(shù)包括：連續(xù)電流ID和脈沖漏電流IDM，最大耗散功率PD，柵源電壓VGS，單脈沖雪崩耐量EAS等。

功率MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管的設(shè)計(jì)任務(wù)就是根據(jù)用戶使用要求，確定主要電學(xué)參數(shù)指標(biāo)，設(shè)計(jì)出滿足參數(shù)指標(biāo)要求的縱向參數(shù)、橫向參數(shù)和熱學(xué)參數(shù)。

功率MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管在實(shí)際設(shè)計(jì)過(guò)程中，主要從以下幾個(gè)方面進(jìn)行設(shè)計(jì)：功率MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)、功率MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管的主要電參數(shù)設(shè)計(jì)、功率MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管的工藝設(shè)計(jì)以及功率MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管的零部件設(shè)計(jì)。

由產(chǎn)品電參數(shù)指標(biāo)可知，該產(chǎn)品具有漏源擊穿電壓（BVDSS）、導(dǎo)通電阻低、電流容量高、耗散功率大、抗靜電擊穿能力強(qiáng)等特點(diǎn)。產(chǎn)品具有電壓控制、快開(kāi)關(guān)速度、易并聯(lián)以及電參數(shù)溫度穩(wěn)定性高。非常適合應(yīng)用于開(kāi)關(guān)電源、馬達(dá)驅(qū)動(dòng)、逆

變器、斬波器、音頻放大器以及高能量脈沖電路。

表1 產(chǎn)品電參數(shù)指標(biāo)（25℃）

外延區(qū)電阻率：

漏源擊穿電壓越大，外延層摻雜濃度越小 （電阻率越大），對(duì)于平行平面結(jié)，外延層摻雜濃度為：

但是，在實(shí)際VDMOS結(jié)構(gòu)中，PN結(jié)并不是理想的平行平面結(jié)，采用平面擴(kuò)散或離子注入工藝制備的PN結(jié)邊緣為柱面結(jié)或球面結(jié)，由于不可避免的邊緣效應(yīng)，盡管有各種終端結(jié)構(gòu)，仍不能避免PN結(jié)提前擊穿。因此，在設(shè)計(jì)中我們必須留出充分的余量，在計(jì)算中將BV乘以一個(gè)系數(shù)K。通常當(dāng)漏源擊穿電壓大于200V時(shí)，K取0.7。所以上式變?yōu)椋?/p>

產(chǎn)品電參數(shù)指標(biāo)給出的漏源擊穿電壓的下限為500V，考慮20％的裕量，設(shè)計(jì)漏源擊穿電壓值為600V，帶入（2）式計(jì)算得到N外延層摻雜濃度Nb=3.24×1014 cm-3。

根據(jù)摻雜濃度與電阻率的關(guān)系，外延層電阻率設(shè)計(jì)為：

所設(shè)計(jì)的外延層電阻率的范圍為：

14Ω.cm＜ρ＜16Ω.cm