隨著新能源汽車、光伏和儲能等市場的快速發(fā)展，國內(nèi)的碳化硅產(chǎn)業(yè)正迅速進入商業(yè)化階段。國際功率半導(dǎo)體巨頭對該產(chǎn)業(yè)表達了濃厚的興趣，并與國內(nèi)企業(yè)合作，積極追趕更先進的8英寸工藝節(jié)點。

當(dāng)前，碳化硅襯底在功率元器件中的成本占比接近50%。因此，國際巨頭紛紛涉足碳化硅產(chǎn)業(yè)，并爭相搶占8英寸制造技術(shù)的先機，甚至將量產(chǎn)時間提前至今年。

明確的行業(yè)趨勢是從6英寸擴徑到8英寸。如果國內(nèi)設(shè)備制造商仍然大幅提高6英寸襯底設(shè)備產(chǎn)能，將面臨“投產(chǎn)即落后”的問題。

盡管目前主流芯片技術(shù)仍以6英寸為主，但美國的Wolfspeed公司已經(jīng)開始商業(yè)化生產(chǎn)8英寸襯底。國內(nèi)少數(shù)廠家可以進行8英寸襯底的示范或小規(guī)模供貨，但尚未形成大規(guī)模供貨能力。就成熟度和價格而言，8英寸碳化硅技術(shù)相對于6英寸技術(shù)還不具備競爭優(yōu)勢，其發(fā)展前景主要取決于未來新能源汽車等市場的需求規(guī)模。

據(jù)報道，國內(nèi)已有十余家企業(yè)和機構(gòu)正在進行8英寸碳化硅襯底的研發(fā)工作。這些企業(yè)包括爍科晶體、晶盛機電、天岳先進、南砂晶圓、同光股份、中科院物理所、山東大學(xué)、天科合達、科友半導(dǎo)體和乾晶半導(dǎo)體等。

與傳統(tǒng)的6英寸襯底相比，8英寸襯底的面積增加了約78%。由于邊緣損耗減少，在相同的條件下，從一塊8英寸襯底上切割出的芯片數(shù)量將提高近90%。因此，隨著尺寸的增大，碳化硅晶片的利用面積也隨之增加。從產(chǎn)品使用效率來看，目前可用面積方面，6英寸和8英寸之間相差約1.78倍。換句話說，采用8英寸制造技術(shù)將在很大程度上降低碳化硅的應(yīng)用成本。這一趨勢對于推動碳化硅產(chǎn)業(yè)發(fā)展具有重要意義。

編輯：黃飛