和消費,工業(yè)MCU不一樣,汽車MCU芯片內(nèi)部的Flash一般會分PFlash(Program Flash),DFlash(Data Flash);一般還會通過Data Flash模擬EEPROM;另外一點不一樣的是說,汽車MCU基本都是Embedded Flash,基本很少采用XIP(eXecute In Place)的方式;
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PFlash和DFlash的參數(shù) - Endurance,Page Size
如下圖是TC336LP的PFlash和DFlash的Endurance(耐力),一般默認(rèn)DFlash配置是Single ended sensing 模式(Complment 模式DFlash的可用大小減半),這個情況下, DFlash的擦除操作是PFlash的46倍以上;
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PFlash的參數(shù) - Wait Cycle
很久之前,小二學(xué)習(xí)單片機時候,發(fā)現(xiàn)程序經(jīng)常跑飛,后面定位到原來是芯片的Flash Wait Cycle莫名被修改導(dǎo)致的;
CPU速率很高,比如TC336,最高可以跑300MHz,但是諸如PFlash的速率是不夠的,需要有響應(yīng)時間,否則讀取的結(jié)果就是錯誤的;這就是Wait Cycle的由來;
如下圖
可以看到,本地訪問PSRR是0等待,也就是單周期執(zhí)行,對于時間敏感的一些程序,就會放到PSPR里面跑;
同理,如下圖,數(shù)據(jù)讀寫也是一個道理
這篇文章,估計大家也了解了為什么單獨的提高主頻對于計算性能的影響是有限的
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原文標(biāo)題:汽車MCU芯片內(nèi)的Flash特性
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