陶瓷電容器非常適合管理紋波電流,因為它們可以濾除開關(guān)模式電源產(chǎn)生的大電流。通常并聯(lián)使用不同尺寸和值的陶瓷電容器以達到最佳效果。在這種情況下,每個電容器應滿足其允許的紋波電流額定值。
在這篇文章中,我將以降壓轉(zhuǎn)換器為例來演示如何選擇陶瓷電容器以滿足紋波電流要求。(請注意,鋁電解電容器或鉭電容器等大容量電容器具有較高的等效串聯(lián)電阻(ESR)。當與陶瓷電容器并聯(lián)時,這些大容量電容器的設計不能承受較大的紋波電流。因此,我不會在這里討論它們。
圖1所示為降壓轉(zhuǎn)換器的基本電路。轉(zhuǎn)換器輸入電流,iIN_D,由大紋波電流 Δi 組成IN_D.
圖1:降壓轉(zhuǎn)換器的基本電路
降壓轉(zhuǎn)換器參數(shù)為:
輸入電壓(V在) = 12V。
允許輸入紋波電壓(ΔV在) 《 0.36V。
輸出電壓(V或) = 1.2V。
輸出電流(I或) = 12A。
電感峰峰值紋波電流 (ΔIpp) = 3.625A。
開關(guān)頻率(F西 南部) = 600KHz。
陶瓷電容器的溫升極限《10°C。
圖2顯示了輸入紋波電流波形。
圖 2:輸入紋波電流波形
為了滿足紋波電壓要求,陶瓷電容器的有效電容應大于公式1計算的電容:
配合轉(zhuǎn)換器參數(shù)和要求,Cce_total應大于 5μF。
所選的陶瓷電容器還必須滿足紋波電流限制。公式2計算紋波電流的均方根(RMS)值:
鑒于我或= 12A,ΔIpp = 3.625A 和 D = 10%,輸入紋波的RMS值為3.615A有效值。
表1列出了具有適當額定電壓的可用陶瓷電容器的特性。這些電容器的容差為10%。
表 1:電容器特性
雖然一塊電容器A提供足夠的有效電容來滿足紋波電壓要求,但其紋波電流額定值為3.24A有效值略小于轉(zhuǎn)換器產(chǎn)生的值。雖然增加另一塊電容器A可以滿足要求,但它比其他較小的電容器占用更多的空間和成本。問題是應該添加哪種電容器或電容器。為了回答這個問題,我對紋波電流分布進行了分析。圖3是兩個電容與交流電流源并聯(lián)的簡化原理圖。
圖3:紋波電流分布示意圖
根據(jù)歐姆定律,電流分布應遵循公式3:
陶瓷電容器具有小的ESR。圖 4 顯示了兩個示例。
圖4:陶瓷電容器阻抗 |Z|和 ESR R 頻率變化
對于低于1MHz的頻率,您可以近似于陶瓷電容器的阻抗XC,由 XC=
1/(jωC)。因此,公式3簡化為公式4。根據(jù)公式4,紋波電流與有效電容成正比:
當多個電容器并聯(lián)時,允許紋波電流與有效電容比最低的電容器,I有效值-over-C,將首先達到紋波電流額定值。假設 C1 具有較低的
I有效值-超過C2,公式5估計總允許紋波電流,I∑_RMS_Allow:
當C1達到其允許紋波電流額定值時,通過C2的紋波電流不會超過其允許紋波電流,如公式6所示:
為了擁有我∑_RMS_Allow≥ IIN_AC_RMS,附加電容應大于公式7計算的電容:
托爾。是這些陶瓷電容器的電容容差。當計算中包括容差時,瓶頸電容器的最差情況下紋波電流不會超過其額定值。
我列出了 I有效值--C比作為表2中的參數(shù)。
表 2:電容器特性
電容器A在12VDC偏見。為了滿足紋波電流要求,應添加一個或多個額外的電容器以滿足紋波電流要求。由于電容器 A 具有最低的
I有效值-C比,增加的有效電容,C附加,應大于用公式 8 計算得出的數(shù)值:
有兩種選擇。第一種選擇是添加一塊電容器B。第二種選擇是添加一塊電容器C和兩塊電容器D。兩種選擇都提供足夠的額外有效電容,并占用類似的印刷電路板(PCB)區(qū)域。由于后一種選擇更具成本效益,因此我選擇了第二種選擇。
為了驗證我的假設,我進行了PSPICE模擬;圖5顯示了我使用的電路。我還在典型情況下使用了電容器的標稱值。
圖5 紋波電流分布模擬電路
圖6顯示了電容紋波電流的仿真波形和RMS值,即:
圖 6:各陶瓷電容器的仿真紋波電流波形
然后,我使用了電容值,這些值會使電容A(瓶頸電容)出現(xiàn)最壞情況。
電容器紋波電流的RMS值為:
每個電容器都符合其允許的紋波電流額定值。
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