CMOS器件是一種采用CMOS技術制造的電子器件，具有低功耗、耐電磁干擾、高噪聲免疫性等優(yōu)點，被廣泛應用于現(xiàn)代電子領域。本文將介紹cmos動態(tài)功耗公式以及和cmos動態(tài)功耗有關的電路參數(shù)。

cmos動態(tài)功耗公式

動態(tài)功耗包括：開關功耗或稱為反轉功耗、短路功耗或者稱為內(nèi)部功耗；

開關功耗：電路在開關過程中對輸出節(jié)點的負載電容充放電所消耗的功耗。比如對于下面的CMOS非門中：

當Vin=0時，PMOS管導通，NMOS管截止；VDD對負載電容進行充電；

當Vin=1時，PMOS管截止，NMOS管導通；VDD對負載電容進行放電；

這樣開關的變化，電源的充放電，形成了開關功耗，開關功耗的計算公式如下：

在上式中，VDD為供電電壓，Cload為后級電路等效的電容負載大小，Tr為輸入信號的翻轉率；

cmos動態(tài)功耗和哪些電路參數(shù)有關

CMOS的動態(tài)功耗和電路的開關電流和短路電流有關。

CMOS使用注意事項：

1、COMS電路時電壓控制器件，它的輸入總抗很大，對干擾信號的捕捉能力很強。所以，不用的管腳不要懸空，要接上拉電阻或者下拉電阻，給它一個恒定的電平。

2、輸入端接低內(nèi)組的信號源時，要在輸入端和信號源之間要串聯(lián)限流電阻，使輸入的電流限制在1mA之內(nèi)。

3、當接長信號傳輸線時，在COMS電路端接匹配電阻。

4、當輸入端接大電容時，應該在輸入端和電容間接保護電阻。電阻值為R=V0/1mA.V0是外界電容上的電壓。

5、COMS的輸入電流超過1mA，就有可能燒壞COMS。