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羅姆推出650VGaN HEMT和柵極驅(qū)動器

行家說三代半 ? 來源:行家說三代半 ? 2023-07-23 15:08 ? 次閱讀

羅姆面向數(shù)據(jù)中心電源等領(lǐng)域,推出了全新的氮化鎵IC——集成了650VGaN HEMT柵極驅(qū)動器,相比硅器件,這款I(lǐng)C體積縮小了減少99%,功耗降低55%,而且外圍器件也減少大約89%,非常方便易用。

羅姆的EcoGaN究竟是如何做到的?對此,“行家說三代半”采訪了羅姆半導體(上海)有限公司技術(shù)中心副總經(jīng)理周勁

羅姆ECOGaN:

器件體積減少99%,功耗降低55%

在理想情況下,65%的硅基功率器件應用都可以采用氮化鎵進行替代,但由于GaN功率器件具有開關(guān)速度快、柵極擊穿電壓低、反向續(xù)流損耗大等特點,傳統(tǒng)驅(qū)動芯片無法高效可靠地驅(qū)動GaN功率器件。因此,工程師在采用GaN HEMT進行電源設計時并不輕松。

通常GaN Hemt驅(qū)動存在2個難題:驅(qū)動電壓低,容易誤啟動;柵極耐電壓低,柵極容易損耗,因此需要專門的驅(qū)動器,不僅增加了設計復雜度,也額外增加了系統(tǒng)成本。

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在這種的背景下,周勁告訴“行家說三代半”,羅姆通過結(jié)合自身所擅長的功率和模擬2種核心技術(shù)優(yōu)勢,開發(fā)出了集650V GaN HEMT和柵極驅(qū)動器于一體的Power Stage IC——BM3G0xxMUV-LB,這款產(chǎn)品能夠幫助電源工程師輕輕松松解決GaN器件的應用難題。

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首先,外圍器件減少89%

目前市場上的常見GaN Hemt驅(qū)動是將柵極驅(qū)動電壓精準控制在6V以下,并通過增設電容來解決過充的額定電壓。據(jù)周勁介紹,這種方式通常需要外置9顆器件,導致工程師增加了額外的設計工作,系統(tǒng)成本也較高。

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為解決此問題,羅姆透過獨家研發(fā)技術(shù),將GaN的閘極–源極額定電壓提升至8V,此設計將既有的額定電壓容限擴大一倍,可避免GaN元件受過充電壓影響,從而強化產(chǎn)品可靠性,而且,羅姆Power Stage IC的外置相關(guān)器件只有1顆,相比其他廠商減少大約88.88%,所以有助于降低設計工作負擔與電容增設成本。

其次,與Si MOSFET相比,羅姆Power Stage IC的器件體積可減少約99%,功率損耗可降低約55%,因此可同時實現(xiàn)更低損耗和更小體積。

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第三,在高功率密度電源系統(tǒng)應用中,如何降低系統(tǒng)EMI噪聲和損耗是GaN驅(qū)動面臨的一個重要挑戰(zhàn)。

羅姆半導體采用專用的柵極驅(qū)動器,并通過新增EMI控制、LDO和溫度保護等新功能,有效降低了dV/dt及開關(guān)損耗,并解決了柵極振蕩、誤導通、EMI噪聲等可靠性問題。

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第四,羅姆的EcoGaN還具有更寬的驅(qū)動電壓范圍(2.5V~30V)、啟動時間短、傳輸延遲時間短等特點,因此能夠很好地支持各種一次側(cè)電源電源,例如反激式、交錯式PFC、半橋拓撲和圖騰柱PFC等。

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羅姆表示,未來他們內(nèi)置650V GaN Hemt的EcoGaN Power Stage IC的產(chǎn)品陣容還將持續(xù)多大,預計2024年Q1推出準諧振AC-DC產(chǎn)品和功率因數(shù)改善產(chǎn)品,2024年Q2推出半橋GaN產(chǎn)品,從而讓工程師借此縮短產(chǎn)品開發(fā)周期,加快產(chǎn)品上市步伐。

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中國數(shù)據(jù)中心將增長70%

能耗或超3個三峽電站

人工智能、云計算、大數(shù)據(jù)等技術(shù)拉動之下,尤其是ChatGPT的“聲名大噪”,進步一推動了全球數(shù)據(jù)中心建設爆發(fā)式增長。

以中國為例,2022年底,全國在用標準機架總數(shù)超過650萬架,預計2025年機架總數(shù)將超過1100萬,相比2022年增長超過69%。

然而,數(shù)據(jù)中心是能耗大戶——2021年我國數(shù)據(jù)中心能耗總量為1116億千瓦時,約等于三峽電站1年的發(fā)電量;預計到2030年能耗總量將達到約3800億千瓦時,約等于3個三峽電站的全年發(fā)電量。

為了迫使數(shù)據(jù)中心降低能耗,工信部要求新建大型、超大型數(shù)據(jù)中心的電能使用效率值達到1.4以下。

據(jù)不完全統(tǒng)計,傳統(tǒng)服務器中大約有三分之一能量在功率轉(zhuǎn)換中被消耗,目前硅基功率器件特性已接近理論極限,阻礙了服務器電源系統(tǒng)效率的進一步提升,所以亟需向氮化鎵技術(shù)靠攏,以實現(xiàn)更好的成本效益、能效效益。

據(jù)測算,氮化鎵功率芯片可以為數(shù)據(jù)中心減少高達10%的用電量,如果再配合推進數(shù)據(jù)中心UPS電源及制冷系統(tǒng)的電源替代,其節(jié)能效果有望達到20%

編輯:黃飛

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原文標題:外圍電路減少89%!這款GaN破解驅(qū)動難題

文章出處:【微信號:SiC_GaN,微信公眾號:行家說三代半】歡迎添加關(guān)注!文章轉(zhuǎn)載請注明出處。

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