電子發(fā)燒友網(wǎng)報道(文/李誠)服務(wù)器電源在服務(wù)器設(shè)備中扮演著不可或缺的角色,對服務(wù)器設(shè)備的穩(wěn)定運(yùn)行起到了至關(guān)重要的作用。那么服務(wù)器電源在長期服役的狀態(tài)下,是如何保證電源供給穩(wěn)定性的呢?
為探明這一問題,筆者近日對華為的一款750W服務(wù)器電源EPW750-12進(jìn)行了拆解,并對其內(nèi)部構(gòu)造進(jìn)行了解析。
外觀及基本參數(shù)
服務(wù)器電源EPW750-12采用了長條形板磚樣式設(shè)計(jì),機(jī)身外殼采用全金屬材質(zhì)進(jìn)行包裹。在外觀上,前端設(shè)有一個3插電源母座和一個小型散熱風(fēng)扇。設(shè)備的末端則是用于電源輸出的金手指接口。
通過機(jī)殼銘牌了解到,該電源通過了80 PLUS鉑金標(biāo)準(zhǔn),系統(tǒng)效率能夠達(dá)到96%以上。支持100V~240V寬壓輸入,能夠適應(yīng)不同地區(qū)的電網(wǎng)電壓標(biāo)準(zhǔn)。同時,支持12V恒壓輸出,最高輸出電流可達(dá)62.5A。
與此同時,該電源還內(nèi)置了12V、2.5A輔助電源,用于為電源內(nèi)部電路供電(包括散熱風(fēng)扇),以此實(shí)現(xiàn)電源供給的內(nèi)外兼顧,確保服務(wù)器運(yùn)行的穩(wěn)定性。
在尺寸方面,該電源的長寬高分別為19.5*8.5*4 cm,以總功率750W計(jì)算,相當(dāng)于1.13W/cm3,功率密度并不是很高。
電源內(nèi)部結(jié)構(gòu)
拆開電源機(jī)殼可以看到,電源內(nèi)部十分緊湊,采用了PCB橫、豎拼接的方式,將有限的空間利用率提至最高,并塞滿元器件。兩側(cè)拼板分別為電源的主控制板及輔助電源板。
由于大功率電源要輸出高電流和高頻率的信號,會產(chǎn)生較強(qiáng)的電磁輻射和干擾,因此在大功率電源應(yīng)用中消除電磁干擾是一個不可避免的問題。
通過拆解發(fā)現(xiàn),這款華為750W服務(wù)器電源的走線布局,經(jīng)過了消除電磁干擾的精心設(shè)計(jì),各個器件間的走線非常簡潔,都在盡可能降低因走線長度和電流回路面積,所帶來的電磁干擾減少能量損耗和電壓波動,確保高效、穩(wěn)定的電源輸出。
當(dāng)然,走線布局只是解決電磁干擾問題的一部分。在這款電源的輸入端還分別使用了一個尺寸在2厘米左右的共模電感和一個470μF大電容,用來限制共模電流的路徑,減少電磁輻射和干擾的產(chǎn)生,降低輸入端的噪聲和波動。
并且,這顆大電容并不簡單,是來自日本三大電容巨頭之一Chemi-Con(貴彌勒)450V 470μF的鋁制電解電容。通過電子元器件商城查詢,單顆售價就達(dá)到了20元。由此也能看出,華為在服務(wù)器領(lǐng)域?qū)υO(shè)備品質(zhì)的追求。
瘋狂堆料的初次級電路
通過器件布局可以確定,該電源所采用的電源架構(gòu)為PFC。其中,PFC的具體拓?fù)錇閮上嘟诲e式圖騰柱PFC。然而,此類電源拓?fù)浯蠖鄳?yīng)用在大功率且對系統(tǒng)效率要求較高的企業(yè)級設(shè)備中,沒想到華為竟然將其下放到了僅有750W的電源上。
兩相交錯式圖騰柱PFC由兩顆二極管和兩顆MOS管組成,其中二極管是來自ST的STTH15L06FP,最高可承受600V高壓和20A大電流。MOS管同樣來自ST,具體型號為21N65M5,是一款650V N溝道MDmesh? V功率MOSFET。據(jù)ST官方提供數(shù)據(jù)顯示,該MOS管最大導(dǎo)通電阻僅有0.179Ω,導(dǎo)通損耗非常低。
散熱片的背面是由4顆MOS管組成的移相全橋電路(主開關(guān)),所使用的MOS管與PFC電路一致,均為ST的21N65M5。盡管,所使用的MOS管材料并非當(dāng)下正火的氮化鎵,但它們在可靠性和低導(dǎo)通電阻方面均有著不錯的表現(xiàn)。
PFC升壓和主開關(guān)的控制電路位于電源側(cè)面的拼板上,是由一顆DSP主控和一顆四路2輸入正與門邏輯芯片構(gòu)成的純數(shù)字控制電路。
DSP主控芯片型號為TI的TMS320系列。TMS320是一顆強(qiáng)大的數(shù)字信號處理器(DSP)芯片,具有高性能和靈活的數(shù)字信號處理能力。它在電源控制中被用于運(yùn)算、調(diào)節(jié)和監(jiān)測功率因數(shù)校正和其他相關(guān)功能。
邏輯芯片的型號為LVC08A,這是一款四路2輸入正與門邏輯芯片。它可用于實(shí)現(xiàn)數(shù)字邏輯控制功能,如信號處理、邏輯運(yùn)算和控制信號的生成等。
通過這樣的純數(shù)字控制電路,可以精確地控制PFC升壓和主開關(guān)的工作狀態(tài)和參數(shù),以實(shí)現(xiàn)更高效、穩(wěn)定的電源輸出。
主電源控制電路和前級升壓開關(guān)電路芯片在用料方面相同,都采用了TI的TMS320+LVC08A芯片方案。然而,在芯片數(shù)量方面有所不同。由于主電源控制電路需要承擔(dān)更多的功能和任務(wù),需要更多的邏輯資源來完成各種控制和監(jiān)測操作。因此,主電源控制電路使用的邏輯芯片數(shù)量比升壓開關(guān)電路多兩顆,共計(jì)三顆芯片。
主電源部分由橫跨前后級電路的變壓器負(fù)責(zé)降壓。
為了消除同步整流后電壓中夾雜的紋波和噪聲,還在輸出端設(shè)計(jì)了一個電感和兩顆容值為16V 1500μF的電容用于濾波,保證負(fù)載端所需電源質(zhì)量的穩(wěn)定性。
側(cè)板上的輔助電源在本質(zhì)上與手機(jī)充電器類似,采用了直連電源的方式與前級輸入端相連。該輔助電源的板子上,包含有單獨(dú)的變壓器、主控芯片和反饋光耦等電路。
通過觀察了解到,輔助電源所采用的電源架構(gòu)為低壓應(yīng)用常見的QR電源架構(gòu)。其中,主控芯片為英飛凌的ICE2QR2280G 800V PWM控制器。由于ICE2QR2280G內(nèi)置了MOS管,所以高壓電路設(shè)計(jì)得十分簡潔。
結(jié)語
綜合來看,這款服務(wù)器最大的亮點(diǎn)在于,為保證電源供給的穩(wěn)定性,電源內(nèi)部所使用的物料,并沒有因?yàn)槌杀径龀鲎尣?,所使用的器件均來自頭部國際大廠,瘋狂堆料。例如,Chemi-Con(貴彌勒)的鋁制電容、ST、NXP的二極管和MOS管,TI、英飛凌的主控芯片,無一不在彰顯著華為對產(chǎn)品品質(zhì)的執(zhí)著。
為探明這一問題,筆者近日對華為的一款750W服務(wù)器電源EPW750-12進(jìn)行了拆解,并對其內(nèi)部構(gòu)造進(jìn)行了解析。
外觀及基本參數(shù)
服務(wù)器電源EPW750-12采用了長條形板磚樣式設(shè)計(jì),機(jī)身外殼采用全金屬材質(zhì)進(jìn)行包裹。在外觀上,前端設(shè)有一個3插電源母座和一個小型散熱風(fēng)扇。設(shè)備的末端則是用于電源輸出的金手指接口。
通過機(jī)殼銘牌了解到,該電源通過了80 PLUS鉑金標(biāo)準(zhǔn),系統(tǒng)效率能夠達(dá)到96%以上。支持100V~240V寬壓輸入,能夠適應(yīng)不同地區(qū)的電網(wǎng)電壓標(biāo)準(zhǔn)。同時,支持12V恒壓輸出,最高輸出電流可達(dá)62.5A。
與此同時,該電源還內(nèi)置了12V、2.5A輔助電源,用于為電源內(nèi)部電路供電(包括散熱風(fēng)扇),以此實(shí)現(xiàn)電源供給的內(nèi)外兼顧,確保服務(wù)器運(yùn)行的穩(wěn)定性。
在尺寸方面,該電源的長寬高分別為19.5*8.5*4 cm,以總功率750W計(jì)算,相當(dāng)于1.13W/cm3,功率密度并不是很高。
電源內(nèi)部結(jié)構(gòu)
拆開電源機(jī)殼可以看到,電源內(nèi)部十分緊湊,采用了PCB橫、豎拼接的方式,將有限的空間利用率提至最高,并塞滿元器件。兩側(cè)拼板分別為電源的主控制板及輔助電源板。
由于大功率電源要輸出高電流和高頻率的信號,會產(chǎn)生較強(qiáng)的電磁輻射和干擾,因此在大功率電源應(yīng)用中消除電磁干擾是一個不可避免的問題。
通過拆解發(fā)現(xiàn),這款華為750W服務(wù)器電源的走線布局,經(jīng)過了消除電磁干擾的精心設(shè)計(jì),各個器件間的走線非常簡潔,都在盡可能降低因走線長度和電流回路面積,所帶來的電磁干擾減少能量損耗和電壓波動,確保高效、穩(wěn)定的電源輸出。
當(dāng)然,走線布局只是解決電磁干擾問題的一部分。在這款電源的輸入端還分別使用了一個尺寸在2厘米左右的共模電感和一個470μF大電容,用來限制共模電流的路徑,減少電磁輻射和干擾的產(chǎn)生,降低輸入端的噪聲和波動。
并且,這顆大電容并不簡單,是來自日本三大電容巨頭之一Chemi-Con(貴彌勒)450V 470μF的鋁制電解電容。通過電子元器件商城查詢,單顆售價就達(dá)到了20元。由此也能看出,華為在服務(wù)器領(lǐng)域?qū)υO(shè)備品質(zhì)的追求。
瘋狂堆料的初次級電路
通過器件布局可以確定,該電源所采用的電源架構(gòu)為PFC。其中,PFC的具體拓?fù)錇閮上嘟诲e式圖騰柱PFC。然而,此類電源拓?fù)浯蠖鄳?yīng)用在大功率且對系統(tǒng)效率要求較高的企業(yè)級設(shè)備中,沒想到華為竟然將其下放到了僅有750W的電源上。
兩相交錯式圖騰柱PFC由兩顆二極管和兩顆MOS管組成,其中二極管是來自ST的STTH15L06FP,最高可承受600V高壓和20A大電流。MOS管同樣來自ST,具體型號為21N65M5,是一款650V N溝道MDmesh? V功率MOSFET。據(jù)ST官方提供數(shù)據(jù)顯示,該MOS管最大導(dǎo)通電阻僅有0.179Ω,導(dǎo)通損耗非常低。
散熱片的背面是由4顆MOS管組成的移相全橋電路(主開關(guān)),所使用的MOS管與PFC電路一致,均為ST的21N65M5。盡管,所使用的MOS管材料并非當(dāng)下正火的氮化鎵,但它們在可靠性和低導(dǎo)通電阻方面均有著不錯的表現(xiàn)。
PFC升壓和主開關(guān)的控制電路位于電源側(cè)面的拼板上,是由一顆DSP主控和一顆四路2輸入正與門邏輯芯片構(gòu)成的純數(shù)字控制電路。
DSP主控芯片型號為TI的TMS320系列。TMS320是一顆強(qiáng)大的數(shù)字信號處理器(DSP)芯片,具有高性能和靈活的數(shù)字信號處理能力。它在電源控制中被用于運(yùn)算、調(diào)節(jié)和監(jiān)測功率因數(shù)校正和其他相關(guān)功能。
邏輯芯片的型號為LVC08A,這是一款四路2輸入正與門邏輯芯片。它可用于實(shí)現(xiàn)數(shù)字邏輯控制功能,如信號處理、邏輯運(yùn)算和控制信號的生成等。
通過這樣的純數(shù)字控制電路,可以精確地控制PFC升壓和主開關(guān)的工作狀態(tài)和參數(shù),以實(shí)現(xiàn)更高效、穩(wěn)定的電源輸出。
主電源控制電路和前級升壓開關(guān)電路芯片在用料方面相同,都采用了TI的TMS320+LVC08A芯片方案。然而,在芯片數(shù)量方面有所不同。由于主電源控制電路需要承擔(dān)更多的功能和任務(wù),需要更多的邏輯資源來完成各種控制和監(jiān)測操作。因此,主電源控制電路使用的邏輯芯片數(shù)量比升壓開關(guān)電路多兩顆,共計(jì)三顆芯片。
主電源部分由橫跨前后級電路的變壓器負(fù)責(zé)降壓。
經(jīng)過變壓器降壓后的電源會通過4顆NXP PSMN2R0 MOS管進(jìn)行同步整流。MOS耐壓值為60V,導(dǎo)通電阻3.9Ω,能夠在導(dǎo)通狀態(tài)下承受高達(dá)130A的最大導(dǎo)通電流,為降壓后的電源提供了充足的裕量。
為了消除同步整流后電壓中夾雜的紋波和噪聲,還在輸出端設(shè)計(jì)了一個電感和兩顆容值為16V 1500μF的電容用于濾波,保證負(fù)載端所需電源質(zhì)量的穩(wěn)定性。
側(cè)板上的輔助電源在本質(zhì)上與手機(jī)充電器類似,采用了直連電源的方式與前級輸入端相連。該輔助電源的板子上,包含有單獨(dú)的變壓器、主控芯片和反饋光耦等電路。
通過觀察了解到,輔助電源所采用的電源架構(gòu)為低壓應(yīng)用常見的QR電源架構(gòu)。其中,主控芯片為英飛凌的ICE2QR2280G 800V PWM控制器。由于ICE2QR2280G內(nèi)置了MOS管,所以高壓電路設(shè)計(jì)得十分簡潔。
結(jié)語
綜合來看,這款服務(wù)器最大的亮點(diǎn)在于,為保證電源供給的穩(wěn)定性,電源內(nèi)部所使用的物料,并沒有因?yàn)槌杀径龀鲎尣?,所使用的器件均來自頭部國際大廠,瘋狂堆料。例如,Chemi-Con(貴彌勒)的鋁制電容、ST、NXP的二極管和MOS管,TI、英飛凌的主控芯片,無一不在彰顯著華為對產(chǎn)品品質(zhì)的執(zhí)著。
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