本文提出一種兩步等溫?cái)U(kuò)增微流控芯片，其中，預(yù)擴(kuò)增進(jìn)行 RPA 擴(kuò)增，第二次擴(kuò)增采用 LAMP 擴(kuò)增。

本文可在 40 min 內(nèi)實(shí)現(xiàn)超 16 重檢測(cè)。

圖 1 所示為16 重 檢測(cè)微流控芯片。

圖1

第一階段使用所有目標(biāo)引物在 37 °C 下進(jìn)行 10–20 min 的 RPA 等溫?cái)U(kuò)增。第一階段的擴(kuò)增子然后分布在各個(gè) LAMP 反應(yīng)腔中，每個(gè)反應(yīng)腔都針對(duì)一個(gè)目標(biāo)，并在 60–65 °C 下作為第二階段 LAMP 反應(yīng)的模板持續(xù) 30 min。

LAMP 采用非特異性嵌入熒光染料或比色染料進(jìn)行實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè)。

擴(kuò)增產(chǎn)物檢測(cè)方法見常見等溫?cái)U(kuò)增產(chǎn)物檢測(cè)方法。

圖 2

圖 2 所示為 4 重芯片結(jié)構(gòu)圖。其中第一階段 RPA 反應(yīng)的主腔體積為 25uL，第二階段 LAMP 反應(yīng)具有 4 個(gè)分支腔，每個(gè)腔體積為 15uL。

采用石蠟密封 RPA 反應(yīng)腔和 LAMP 反應(yīng)腔之間的接口，一旦芯片溫度超過 60°C，石蠟便會(huì)熔化。RPA 擴(kuò)增期間(37 °C) ，石蠟保持固態(tài)將 RPA 腔與LAMP 腔分開。

當(dāng)芯片溫度升至 65 °C 時(shí)，石蠟熔化，打開通道，一階段 RPA 產(chǎn)物擴(kuò)散到 LAMP 腔中，作為第二階段 LAMP 擴(kuò)增的模板。

審核編輯：劉清