近日,睿創(chuàng)微納全資子公司英飛睿研制成功K波段衛(wèi)通相控陣平板天線子陣試驗(yàn)樣機(jī),實(shí)現(xiàn)了雙波束衛(wèi)星相控陣子陣的工程化突破。
雙波束控制的實(shí)現(xiàn),使得終端設(shè)備可以更好地滿足與星座系統(tǒng)中多顆衛(wèi)星保持鏈接的需求,增強(qiáng)設(shè)備聯(lián)通效率,擴(kuò)展網(wǎng)絡(luò)覆蓋,降低通信延遲。
△樣機(jī)暗室測試
△樣機(jī)實(shí)物圖
該子陣樣機(jī)已完成暗室校準(zhǔn)測試工作,子陣設(shè)計(jì)為圓極化,通過對子陣垂直極化和水平極化的方向圖校準(zhǔn)測試,合成圓極化方向圖。通過測試和校準(zhǔn)軸比,達(dá)到了設(shè)計(jì)指標(biāo)要求。
1. | 工作頻率 | 17.7GHz~21.2GHz |
2. | 極化方式 | 右旋圓極化(可調(diào)) |
3. | 掃描范圍 | ±60° |
4. | 陣列規(guī)模 | 8 x 8 |
5. | 有源通道數(shù) | 64 RX |
6. | 波束數(shù) | 2 |
7. | 工作體制 | 連續(xù)波 |
8. | 接收通道增益 | ≥20dB |
9. | 接收G/T值 | ≥-6.5dB/K(法向) |
10. | 第一旁瓣(法向) | 方位角≤-13dB(不加權(quán));俯仰角≤-13dB(不加權(quán)) |
11. | 波束寬度 | 方位≤13°±0.5°;俯仰≤13°±0.5° |
12. | 軸比 | ≤2(0°);≤3(30°);≤6(60°) |
13. | 電壓駐波比 | ≤2 |
14. | 重量 | ≤85g |
15. | 陣面最大尺寸 | 60mm×60mm×6mm |
△天線子陣技術(shù)指標(biāo)
△圓極化方位掃描方向圖
△19.1GHz 垂直/水平/圓極化H面掃描方向圖
△垂直/水平/圓極化 (法向)
此次突破的核心是采用睿創(chuàng)微納子公司芯揚(yáng)聚陣研制的K波段8通道雙波束模擬相控陣接收芯片。該芯片在多通道、多波束、小尺寸、低功耗等方面實(shí)現(xiàn)了技術(shù)突破,性能已達(dá)到國內(nèi)先進(jìn)水平,為后續(xù)產(chǎn)品的研制開發(fā)奠定了堅(jiān)實(shí)基礎(chǔ)。FA8261 K波段8通道
模擬相控陣接收芯片技術(shù)指標(biāo)
接收通道路數(shù):8路/線極化
輸出波束路數(shù):2波束
信號(hào)頻率范圍:17.5~21.2GHz
溫度傳感器精度:±2.5°C
單路輸入P-1dB:-28dBm
單路增益:12~25.5dB可調(diào)
增益溫度穩(wěn)定性:±2dB@-45~125°C
帶內(nèi)雜散:≤-70dBc
噪聲系數(shù):≤4dB
移相范圍:360°
移相精度:5.625°
移相RMS誤差:≤2°
衰減范圍:0~15.5dB@0.5dB步進(jìn)
RMS衰減精度:0.3dB
通道間相位一致性:≤5°
通道隔離度:≥30dB
控制接口:SPI
控制響應(yīng)時(shí)間:1.5ns
工作電壓:2V
芯片功耗:0.41W/雙波束工作狀態(tài)
芯片尺寸:6.4mm×5.2mm
英飛睿是睿創(chuàng)微納全資子公司,業(yè)務(wù)主要布局微波T/R組件和相控陣天線子陣,具備完整的研發(fā)和生產(chǎn)能力??上蚩蛻籼峁┫盗形⒉?、毫米波T/R組件和相控陣天線子陣產(chǎn)品,主要覆蓋X、Ku、K、Ka波段,可廣泛應(yīng)用于相控陣?yán)走_(dá)、衛(wèi)通地面終端、衛(wèi)星載荷及5G/6G NTN通信等領(lǐng)域。公司擁有T/R組件自動(dòng)化制造與檢驗(yàn)平臺(tái)、近遠(yuǎn)場微波暗室等配套設(shè)施,目前批量產(chǎn)能可達(dá)20萬通道/年,核心技術(shù)自主可控,產(chǎn)品性能達(dá)到國內(nèi)領(lǐng)先水平。 英飛睿將繼續(xù)加大衛(wèi)星通信領(lǐng)域的投入,積極參與產(chǎn)業(yè)建設(shè),推進(jìn)技術(shù)創(chuàng)新,以開放合作的態(tài)度,與更多伙伴一起攜手,共同推動(dòng)行業(yè)蓬勃發(fā)展。
審核編輯:彭菁
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原文標(biāo)題:大航天時(shí)代,開啟新征程!睿創(chuàng)微納雙波束衛(wèi)通相控陣平板天線子陣完成試驗(yàn)樣機(jī)研制
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