RM新时代网站-首页

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評(píng)論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習(xí)在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會(huì)員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識(shí)你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

MOS開(kāi)啟電壓一般為多少?

工程師鄧生 ? 來(lái)源:未知 ? 作者:劉芹 ? 2023-09-02 11:14 ? 次閱讀

MOS開(kāi)啟電壓一般為多少?

MOS(金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管)是一種常見(jiàn)而重要的半導(dǎo)體器件。在電子行業(yè)中,MOS被廣泛應(yīng)用于電路設(shè)計(jì)、功率放大、數(shù)字信號(hào)處理、高速數(shù)據(jù)傳輸和電子設(shè)備控制等方面。在MOS的工作過(guò)程中,電壓的作用是非常重要的。那么,MOS開(kāi)啟電壓一般為多少呢?下面我們將詳細(xì)探討這個(gè)問(wèn)題。

MOS開(kāi)啟電壓是指在外部斷電下,當(dāng)某一電極加上一定的電壓后,MOS管的電流開(kāi)始流動(dòng)的電壓值。MOS管的開(kāi)啟電壓也被稱為控制電壓或閾值電壓。MOS管有兩個(gè)極性:N型和P型。我們將分別討論它們的工作原理和開(kāi)啟電壓的規(guī)定。

1. N型MOS管的開(kāi)啟電壓

N型MOS管是由P型襯底、N型源和漏極、以及在源漏極之間形成的氧化物局域和電極組成的。當(dāng)漏極正向偏置,源極接地時(shí),通過(guò)氧化層的場(chǎng)效應(yīng)產(chǎn)生的空間電荷區(qū)會(huì)形成一個(gè)導(dǎo)電通道,電流就會(huì)流過(guò)MOS管。當(dāng)外部的電控信號(hào)加在柵極上,就可以控制通道中的電阻,從而控制MOS管的電流大小。當(dāng)需要關(guān)閉MOS管時(shí),只需去除柵極信號(hào),空間電荷區(qū)會(huì)消失,電導(dǎo)通道也會(huì)關(guān)閉。

在N型MOS管中,開(kāi)啟電壓低于0.8V,當(dāng)它達(dá)到0.7V時(shí),電荷被打破并形成了導(dǎo)電通道。當(dāng)它達(dá)到1V時(shí),導(dǎo)電通道就會(huì)足夠?qū)?,并且可以傳遞最大電流。這也是N型MOS管的標(biāo)準(zhǔn)電流源的參考值。在實(shí)際電路設(shè)計(jì)中,為了提高電路的魯棒性和穩(wěn)定性,有時(shí)會(huì)設(shè)置更高的開(kāi)啟電壓,例如2V或3V。

2. P型MOS管的開(kāi)啟電壓

P型MOS管同樣是由N型襯底、P型源和漏極,以及在源漏極之間形成的氧化層和電極組成的。當(dāng)源極正向偏壓,漏極接地時(shí),如果柵極接一個(gè)負(fù)電壓,就會(huì)形成一個(gè)電荷累積區(qū),這個(gè)區(qū)能夠限制電流,導(dǎo)致MOS管關(guān)閉。當(dāng)柵極加上一個(gè)正電壓時(shí),累積區(qū)被中和,導(dǎo)電通道打開(kāi),電流就可以流過(guò)MOS管。

P型MOS管的開(kāi)啟電壓低于-0.8V, 當(dāng)它達(dá)到-0.7V時(shí),電荷被打破并形成了導(dǎo)電通道。當(dāng)它達(dá)到-1V時(shí),導(dǎo)電通道就會(huì)足夠?qū)?,并且可以傳遞最大電流。同樣,在實(shí)際電路設(shè)計(jì)中,可使用更高的開(kāi)啟電壓,例如-2V或-3V。

總之,MOS管的開(kāi)啟電壓是保證其正常工作的一個(gè)條件。因此,在進(jìn)行電路設(shè)計(jì)時(shí),需根據(jù)具體要求準(zhǔn)確規(guī)定它的大小。為了確保電路穩(wěn)定,有時(shí)需要設(shè)置較高的開(kāi)啟電壓。同時(shí),應(yīng)注意不同類型的MOS管有不同的開(kāi)啟電壓規(guī)定,因此應(yīng)根據(jù)具體情況而定。

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問(wèn)題,請(qǐng)聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
收藏 人收藏

    評(píng)論

    相關(guān)推薦

    開(kāi)關(guān)MOS管發(fā)熱的一般原因

    、電機(jī)控制及信號(hào)處理等領(lǐng)域。然而,MOS管在工作過(guò)程中,尤其是在開(kāi)關(guān)狀態(tài)下,可能會(huì)產(chǎn)生顯著的發(fā)熱現(xiàn)象。這種發(fā)熱不僅會(huì)降低電路的效率,還可能加速元件的老化,甚至導(dǎo)致系統(tǒng)失效。因此,深入探討開(kāi)關(guān)MOS管發(fā)熱的一般原因,對(duì)于優(yōu)化電路設(shè)
    的頭像 發(fā)表于 10-10 10:58 ?604次閱讀

    退耦電容一般用多大

    的工作頻率范圍。一般來(lái)說(shuō),隨著頻率的升高,需要的退耦電容容量會(huì)逐漸減小。例如,在低頻電路中,可能需要較大容量的退耦電容來(lái)確保直流偏置電壓的穩(wěn)定;而在高頻電路中,較小容量的電容就能起到良好的退耦效果。 負(fù)載情況 :電
    的頭像 發(fā)表于 09-26 11:28 ?430次閱讀

    高壓開(kāi)關(guān)分合閘線圈一般工作電壓是多少

    高壓開(kāi)關(guān)分合閘線圈的工作電壓并不是個(gè)固定的值,而是根據(jù)其所配套的斷路器的電壓等級(jí)以及操作要求來(lái)確定的。一般來(lái)說(shuō),高壓斷路器分合閘線圈的電壓
    的頭像 發(fā)表于 09-26 10:27 ?827次閱讀

    電壓檢測(cè)芯片一般用什么型號(hào)

    電壓檢測(cè)芯片的型號(hào)多種多樣,選擇哪種型號(hào)主要取決于具體的應(yīng)用場(chǎng)景、檢測(cè)范圍、精度要求、功耗限制等因素。以下是些常見(jiàn)的電壓檢測(cè)芯片型號(hào)及其特點(diǎn): 1. FS7050/FS7033 特點(diǎn)
    的頭像 發(fā)表于 09-18 17:20 ?590次閱讀

    mos管柵極電壓控制多少最好

    影響電流的流動(dòng)和信號(hào)的放大。 柵極電壓控制的一般原則 閾值電壓(Vth) : 閾值電壓MOS管從截止?fàn)顟B(tài)到導(dǎo)通狀態(tài)所需的柵源
    的頭像 發(fā)表于 09-18 09:42 ?893次閱讀

    一般的峰值檢測(cè)電路電容是只能充電,需要用MOS加個(gè)放電回路的,OPA615電路需要加嗎?

    幾個(gè)問(wèn)題: 一般的峰值檢測(cè)電路電容是只能充電,需要用MOS加個(gè)放電回路的,OPA615電路需要加嗎?可能前個(gè)脈沖幅度比較高,后個(gè)比較低 OTA的輸入偏置電流最大為1.7uA,也就是
    發(fā)表于 09-12 07:51

    一般繼電器需要多少電流才能驅(qū)動(dòng)

    一般繼電器所需的驅(qū)動(dòng)電流會(huì)根據(jù)其型號(hào)、規(guī)格和額定工作電壓等因素有所不同。通常,繼電器需要定的電流來(lái)驅(qū)動(dòng)其線圈產(chǎn)生磁場(chǎng),從而使觸點(diǎn)閉合或斷開(kāi)。以下是對(duì)繼電器驅(qū)動(dòng)電流的一般性說(shuō)明:
    的頭像 發(fā)表于 09-05 15:18 ?2799次閱讀

    MOS開(kāi)啟電壓測(cè)試方法及步驟

    MOS(金屬氧化物半導(dǎo)體)是種廣泛應(yīng)用于電子設(shè)備中的半導(dǎo)體器件,具有許多重要特性,如高輸入阻抗、低功耗、易于集成等。MOS開(kāi)啟電壓(Vt
    的頭像 發(fā)表于 08-01 09:23 ?2565次閱讀

    滯回比較器與一般電壓比較器相比有何優(yōu)點(diǎn)

    比較器的工作原理 2.1 一般電壓比較器的工作原理 一般電壓比較器主要由運(yùn)算放大器構(gòu)成。當(dāng)輸入電壓大于參考
    的頭像 發(fā)表于 07-30 14:34 ?841次閱讀

    其利天下技術(shù)·如何讓MOS管快速開(kāi)啟和關(guān)閉?·BLDC驅(qū)動(dòng)方案開(kāi)發(fā)

    關(guān)于MOS管驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì),本文談談如何讓MOS管快速開(kāi)啟和關(guān)閉。一般認(rèn)為MOSFET(MOS
    的頭像 發(fā)表于 07-22 11:26 ?729次閱讀
    其利天下技術(shù)·如何讓<b class='flag-5'>MOS</b>管快速<b class='flag-5'>開(kāi)啟</b>和關(guān)閉?·BLDC驅(qū)動(dòng)方案開(kāi)發(fā)

    mos開(kāi)啟電壓怎么測(cè)試

    MOS(Metal-Oxide-Semiconductor,金屬氧化物半導(dǎo)體)是種廣泛應(yīng)用于電子器件的半導(dǎo)體材料,其開(kāi)啟電壓(Threshold Voltage,簡(jiǎn)稱Vth)是指使
    的頭像 發(fā)表于 07-14 11:30 ?1366次閱讀

    MOS管柵極前加100Ω電阻原理分析

    在MOSFET的柵極前增加個(gè)電阻? MOS管是電壓型控制器件,一般情況下MOS管的導(dǎo)通,只需要控制柵極的
    發(fā)表于 04-11 12:43 ?1052次閱讀
    <b class='flag-5'>MOS</b>管柵極前加100Ω電阻原理分析

    X2電容容量一般多大 X2電容的額定電壓是多少?

    較高的容量,一般在0.001微法(μF)至10微法(μF)之間。容量的大小決定了電容器可以存儲(chǔ)的電荷量。較大的容量意味著電容器可以存儲(chǔ)更多的電荷。在電子設(shè)備中,X2電容主要用于消除電源中的噪聲和干擾。 X2電容的額定電壓通常2
    的頭像 發(fā)表于 03-14 15:46 ?1304次閱讀

    DC-DC寬電壓LED降壓恒流驅(qū)動(dòng)器AP5191一般說(shuō)明

    電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《DC-DC寬電壓LED降壓恒流驅(qū)動(dòng)器AP5191一般說(shuō)明》資料免費(fèi)下載
    發(fā)表于 01-19 09:17 ?1次下載

    車載UPS與一般UPS區(qū)別在哪里?車載有哪些優(yōu)勢(shì)特點(diǎn)?

    這些差別以及車載UPS的優(yōu)勢(shì)和特點(diǎn)。 首先,車載UPS與一般的UPS主要區(qū)別在于它們的應(yīng)用環(huán)境和使用條件。一般的UPS主要設(shè)計(jì)用于工業(yè)、商業(yè)和家庭環(huán)境,在穩(wěn)定電壓和供電的同時(shí),提供對(duì)電子設(shè)備的保護(hù)。而車載UPS則是專門
    的頭像 發(fā)表于 01-11 14:43 ?1309次閱讀
    RM新时代网站-首页