單向可控硅最簡(jiǎn)單電路圖(一)
觸摸一下金屬片開(kāi),SCR1導(dǎo)通,負(fù)載得電工作。觸摸一下金屬片關(guān),SCR2導(dǎo)通,繼電器J得電工作,K斷開(kāi),負(fù)載失電,SCR2關(guān)斷后,電容對(duì)繼電器J放電,維持繼電器吸合約4秒鐘,故電路動(dòng)作較為準(zhǔn)確。如果將負(fù)載換為繼電器,即可控制大電流工作的負(fù)載。
單向可控硅最筒單電路圖(二)
觸摸式臺(tái)燈電路原理圖
觸摸式臺(tái)燈電路見(jiàn)圖,它分四檔控制燈泡的亮度。通電后燈泡不亮,第一次輕輕觸摸一下燈罩外殼,燈泡便發(fā)出低亮度的光,第二次觸摸燈泡發(fā)出中亮度的光,第三次觸摸燈泡變?yōu)槿?,第四次觸摸燈泡熄滅,依次循環(huán)。此電路易出現(xiàn)的故障是雙向可控硅97A6壞及燈罩金屬外殼與電路觸摸輸入端子之間接觸不良。
小編調(diào)試電路時(shí),TT6061用GS6061代替,1N4004用1N4007代替,其余元件與圖中相同。經(jīng)驗(yàn)證,電路工作可靠,能實(shí)現(xiàn)方中所述功能。但雙向可控硅易損壞,建議讀者制作時(shí)在可控硅兩端并聯(lián)一電阻電容串聯(lián)所組成的保護(hù)電路。
單向可控硅最筒單電路圖(三)
可控硅交流調(diào)壓器由可控整流電路和觸發(fā)電路兩部分組成,其電路原理圖如下圖所示。從圖中可知,二極管D1—D4組成橋式整流電路,雙基極二極管T1構(gòu)成張弛振蕩器作為可控硅的同步觸發(fā)電路。當(dāng)調(diào)壓器接上市電后,220V交流電通過(guò)負(fù)載電阻RL經(jīng)二極管D1—D4整流,在可控硅SCR的A、K兩端形成一個(gè)脈動(dòng)直流電壓,該電壓由電阻R1降壓后作為觸發(fā)電路的直流電源。在交流電的正半周時(shí),整流電壓通過(guò)R4、W1對(duì)電容C充電。
當(dāng)充電電壓Uc達(dá)到T1管的峰值電壓Up時(shí),T1管由截止變?yōu)閷?dǎo)通,于是電容C通過(guò)T1管的e、b1結(jié)和R2迅速放電,結(jié)果在R2上獲得一個(gè)尖脈沖。這個(gè)脈沖作為控制信號(hào)送到可控硅SCR的控制極, 使可控硅導(dǎo)通??煽毓鑼?dǎo)通后的管壓降很低,一般小于1V,所以張弛振蕩器停止工作。當(dāng)交流電通過(guò)零點(diǎn)時(shí),可控硅自關(guān)斷。當(dāng)交流電在負(fù)半周時(shí),電容C又從新充電……如此周而復(fù)始,便可調(diào)整負(fù)載RL上的功率了。
單向可控硅最筒單電路圖(四)
一般書(shū)刊介紹的大功率可控硅觸發(fā)電路都比較復(fù)雜,而且有些元件難以購(gòu)買。筆者僅花幾元錢制作的觸發(fā)電路已成功觸發(fā)100A以上的可控硅模塊,用于工業(yè)淬火爐上調(diào)節(jié)380V電壓,又裝一套用于大功率鼓風(fēng)機(jī)作無(wú)級(jí)調(diào)速用,效果非常好。本電路也可用作調(diào)節(jié)220V交流供電的用電器。
電路見(jiàn)圖。將兩只單向可控硅SCRl、SCR2反向并聯(lián).再將控制板與本觸發(fā)電路連接,就組成了一個(gè)簡(jiǎn)單實(shí)用的大功率無(wú)級(jí)調(diào)速電路。這個(gè)電路的獨(dú)特之處在于可控硅控制極不需外加電源,只要將負(fù)載與本電路串聯(lián)后接通電源,兩個(gè)控制極與各自的陰極之間便有5V~8V脈動(dòng)直流電壓產(chǎn)生,調(diào)節(jié)電位器R2即可改變兩只可控硅的導(dǎo)通角,增大R2的阻值到一定程度,便可使兩個(gè)主可控硅阻斷,因此R2還可起開(kāi)關(guān)的作用。
該電路的另一個(gè)特點(diǎn)是兩只主可控硅交替導(dǎo)通,一個(gè)的正向壓降就是另一個(gè)的反向壓降,因此不存在反向擊穿問(wèn)題。但當(dāng)外加電壓瞬時(shí)超過(guò)阻斷電壓時(shí),SCR1、SCR2會(huì)誤導(dǎo)通,導(dǎo)通程度由電位器R2決定。SCR3與周圍元件構(gòu)成普通移相觸發(fā)電路,其原理這里從略。
SCR1、SCR2筆者選用的是封裝好的可控硅模塊(110A/1000V),SCR3選用BTl36,即600V的雙向可控硅。本電路如用于感性負(fù)載,應(yīng)增加R4,C3阻容吸收電路及壓敏電阻RV作過(guò)壓保護(hù),防止負(fù)載斷開(kāi)和接通瞬間產(chǎn)生很高的感應(yīng)電壓損壞可控硅。
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