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如何設(shè)計(jì)和使用緩沖器

CHANBAEK ? 來源:硬件系統(tǒng)架構(gòu)師 ? 作者:Timothy ? 2023-09-26 15:53 ? 次閱讀

SCD----Snubber

引言:一位朋友要求更一期Snubber的詳細(xì)介紹,這個(gè)拖更好久了,今天就補(bǔ)上!切斷電路中的電流時(shí),電路中的雜散電感會(huì)導(dǎo)致電壓急劇增加,緩沖器電路提供保護(hù),以抑制這個(gè)浪涌電壓,吸納在關(guān)閉時(shí)發(fā)生的瞬態(tài)電壓沖擊,保護(hù)電源MOSFET及其附近的組件。一般來說,一個(gè)簡(jiǎn)單的RC緩沖器使用電阻R串聯(lián)電容C,RC緩沖器與功率MOSFET并聯(lián)連接。

開關(guān)電路中的關(guān)閉電流由于雜散電感和自電感導(dǎo)致電壓急劇增加,因此緩沖器可以用于降低DC-DC轉(zhuǎn)換器中電壓峰值和振鈴(傳送門:DC-DC-20:如何設(shè)計(jì)緩沖電路去除DC-DC的開關(guān)節(jié)點(diǎn)噪聲),為了降低電壓的升高,最重要的是降低導(dǎo)線的雜散電感。

1.MOS的振蕩效應(yīng)

功率MOSFET比雙極晶體管更容易發(fā)生寄生振蕩,因?yàn)镸OSFET在高頻域具有高增益的優(yōu)點(diǎn),從而導(dǎo)致寄生振蕩。當(dāng)柵漏耦合電容Crss和寄生線電容Cs引起輸入端的負(fù)阻抗變化時(shí),功率MOSFET進(jìn)入寄生振蕩,一般可采用幾種措施防止寄生振蕩:

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圖20-1:MOS的開關(guān)振蕩

1:使用粗短線,或使用雙絞線,以防止兩根線之間的耦合。

2:盡可能靠近閘門端插入鐵氧體珠(現(xiàn)在這種設(shè)計(jì)比較少見,一個(gè)是MOS工藝進(jìn)步,一個(gè)是成本考量,更多使用3#)

3:在柵極插入一個(gè)串聯(lián)電阻--->Rgate。

2.RC緩沖器

RC緩沖器或者叫RC抑制器,可用于抑制由降壓DC-DC轉(zhuǎn)換器開關(guān)產(chǎn)生的電壓尖峰和高頻振鈴,這里再回顧一下降壓轉(zhuǎn)換器的運(yùn)行及電壓尖峰和振鈴產(chǎn)生的機(jī)理。圖20-2顯示了一個(gè)基本的降壓轉(zhuǎn)換器電路,其工作流程如下(傳送門:DC-DC-2:降壓型的工作原理):

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圖20-2:降壓DC-DC工作圖

步驟1:Q1開啟時(shí),通過電感L給輸出電容器Cout充電。

步驟2:當(dāng)Q1關(guān)閉時(shí),反向電動(dòng)勢(shì)產(chǎn)生的電流通過Q2的體二極管流過L--->Cout--->Q2。(這段時(shí)間是Q1和Q2都關(guān)閉的死區(qū)時(shí)間)

步驟3:Q2接通,電流流過L、Cout和Q2(從源極到漏極),此時(shí)Q2作為同步整流器運(yùn)行。

步驟4:Q2關(guān)閉,反向電動(dòng)勢(shì)導(dǎo)致電流流過其體二極管。

步驟5:Q1接通,導(dǎo)致電流流向電感L,反向恢復(fù)電流流過Q2的本體二極管。

在通過Q2的體二極管的電流消失后,降壓轉(zhuǎn)換器再次通過步驟1到步驟5循環(huán),降壓轉(zhuǎn)換器的輸出電壓Vout由其輸入電壓Vin和Q1的占空比決定。

電壓峰值和鈴聲

在步驟5中,寄生電感和電容形成一個(gè)諧振電路,引起瞬態(tài)電壓尖峰和振鈴。當(dāng)在步驟5中Q1過渡到打開狀態(tài),而Q2過渡到關(guān)閉狀態(tài)時(shí),Cin顯示出非常大的電容,導(dǎo)致它們短路,而L也非常大,可以被認(rèn)為是開路,此時(shí)圖20-2中的降壓轉(zhuǎn)換器可以被建模為一個(gè)如圖20-3所示的等效電路。

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圖20-3:Q1開機(jī)后立即進(jìn)行降壓開關(guān)轉(zhuǎn)換器的等效電路

寄生電容CP的主要來源是Q2的COSS,而寄生電感(L1、L2、LD和LS)的來源是導(dǎo)線、Q1和Q2。設(shè)這些電感的和為L(zhǎng)P,然后CP、LP和Rs形成一個(gè)LCR系列諧振電路。Rs主要由Cin的等效串聯(lián)電阻ESR和Q1的開啟電阻組成,其值很小可以忽略不計(jì)。因此電壓峰值和振鈴可以定義為CP(Q2的COSS)和LP(導(dǎo)線電感)之間的諧振。

3.使用RC緩沖器的電壓峰值和振鈴抑制

如上描述,在開關(guān)MOS接通時(shí),會(huì)在降壓轉(zhuǎn)換器中產(chǎn)生電壓峰值和振鈴,而使用緩沖器是用于保護(hù)瞬態(tài)電壓的措施之一。緩沖器是一種保護(hù)電路,它抑制電流關(guān)閉時(shí)產(chǎn)生的瞬態(tài)電壓,還抑制晶體管和二極管開關(guān)引起的電壓峰值。緩沖器不僅可以保護(hù)開關(guān)設(shè)備,還可以保護(hù)其他電子部件,降低開關(guān)噪聲。

圖20-4和圖20-5是一個(gè)帶有緩沖器的降壓轉(zhuǎn)換器的簡(jiǎn)化圖,當(dāng)RC緩沖器抑制由開關(guān)產(chǎn)生的電壓尖峰和振鈴時(shí),緩沖器電阻RSNB在緩沖器電容CSNB的充放電期間將尖峰和振鈴轉(zhuǎn)變?yōu)楣β氏牡簦虼擞斜匾谶x擇RSNB和CSNB時(shí),考慮到它們的電壓峰值和振鈴抑制效應(yīng)以及RSNB的功率損失之間的權(quán)衡。

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圖20-4:RC Snubber的充能路徑

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圖20-5:RC Snubber的釋能路徑

相關(guān)的實(shí)例計(jì)算可以回看:DC-DC-20:如何設(shè)計(jì)緩沖電路去除DC-DC的開關(guān)節(jié)點(diǎn)噪聲,這里不再贅述。

4.一般電源切斷緩沖器

浪涌電壓是由一個(gè)電路的雜散電感產(chǎn)生的,緩沖器應(yīng)與開關(guān)器件并聯(lián)連接,以吸收浪涌電壓。有兩種類型的緩沖器:一種是在每個(gè)開關(guān)器件上添加,另一種是在電源總線上添加的集中式緩沖器。

在每個(gè)開關(guān)器件添加緩沖器A.RC緩沖電路

1:理想的斬波電路

2:由于RC緩沖器電阻造成的功率損失非常大,所以RC緩沖器不適用于高頻開關(guān)應(yīng)用。

3:用于高電容開關(guān)裝置的RC緩沖器需要有一個(gè)小阻值的電阻器,這將導(dǎo)致在接通期間漏極電流增加。

緩沖電阻耗散的功率P計(jì)算如下:

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圖20-6:干路電源分立式開關(guān)使用RC緩沖器

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圖20-7:實(shí)際設(shè)計(jì)案例

圖20-7是一個(gè)使用實(shí)例,來自于域控制器的24V輸入電源入口路徑處,C305和R797構(gòu)成一組RC
Snubber,其中R797同時(shí)兼具鉗位作用。

B.RDC充放電緩沖器

1:將二極管添加到RC緩沖器中,以增加緩沖器的阻力,這使得可以消除在導(dǎo)通期間由開關(guān)器件共享的電流。

2:緩沖電阻器耗散的大功率使RDC緩沖電阻器不適合高頻應(yīng)用。

緩沖電阻耗散的功率計(jì)算如下:

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圖20-8:RCD放電緩沖器

C.放電抑制RCD緩沖器

1:抑制關(guān)閉時(shí)產(chǎn)生的關(guān)閉浪涌電壓。

2:較低的功耗非常適合理想的高頻開關(guān)應(yīng)用場(chǎng)景。

3:被緩沖器所消耗的能量很小。緩沖電阻耗散的功率P計(jì)算如下:

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圖20-9:放電-抑制RCD緩沖器

因?yàn)橹绷麟娫措妷篍d和浪涌電壓之間的差異,在某些情況下,該電路可能無法提供足夠的浪涌吸收性能,關(guān)鍵在于二極管的參數(shù)。(L:主電路的損耗電感;Io:設(shè)備關(guān)閉時(shí)的排放電流;Cs:緩沖電容的電容;Ed:直流電源電壓;f:開關(guān)頻率)

5.電源干線集成緩沖器

如圖20-10也有簡(jiǎn)化的緩沖器設(shè)計(jì)。

C型減振器

雖然C型減振器是最簡(jiǎn)單的,但由于主電路雜散電感與阻電容之間的LC共振,導(dǎo)致它們?nèi)菀装l(fā)生電壓振蕩。

RCD緩沖器

RCD緩沖器需要注意選擇緩沖二極管,因?yàn)樗赡軙?huì)在反向恢復(fù)過程中導(dǎo)致高電壓尖峰和電壓振蕩。

圖片

圖20-10:左--->C型緩沖器;右--->RDC緩沖器

6.創(chuàng)建緩沖器設(shè)計(jì)(抑制放電的RCD緩沖器)

圖20-11顯示了一個(gè)緩沖器電路,圖20-12顯示了其波形。

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圖20-11:緩沖器電路

圖片

圖20-12:緩沖器波形

在波形中所示的電壓和電路常數(shù)可以計(jì)算如下,其中Vdsp1是由緩沖器的電感Ls產(chǎn)生的電壓,其計(jì)算方法如下:

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盡量將二極管d的正向電壓Vfr最小化,然后減少可能引起電壓激增的Ls都可以有效降低Vdsp1。VCEP2是當(dāng)主電路的雜散電感LM的能量過充時(shí),緩沖電容Cs之間的峰值電壓,由于存儲(chǔ)在LM中的能量被轉(zhuǎn)移到Cs中,所以它們的能量是相等的。因此以下公式成立:
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根據(jù)這個(gè)公式,C的值的計(jì)算方法如下:

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考慮到MOSFET的耐受電壓,有必要確定Vdsp2的值。緩沖電阻Rs值的選擇,緩沖電阻Rs的作用是在MOSFET開始其下一次開啟操作之前,放電存儲(chǔ)在緩沖電容器中的電荷。設(shè)放電時(shí)間常數(shù)為τ,則:

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其中,τ為電壓降至存儲(chǔ)電壓的37%所需的時(shí)間(傳送門:SCD-19:RC時(shí)間常數(shù)的計(jì)算和使用要點(diǎn)),電壓下降至10%(即電容器放電存儲(chǔ)的90%的電荷)所需的時(shí)間為2.3τ,如圖20-13所示:

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圖20-13:時(shí)間常量與放電量的對(duì)比關(guān)系

電容器必須在下一次關(guān)閉操作之前放電,因此必須滿足下面的方程式,由這個(gè)方程可知,Rs可以計(jì)算出如下:

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如果緩沖器電阻值過低,緩沖器可能會(huì)出現(xiàn)電流振蕩,因此必須使用一個(gè)阻值在合理范圍內(nèi)盡可能高的電阻器。

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