三星宣布開發(fā)業(yè)界首款車用級(jí)5nm eMRAM
三星電子昨天在歐洲三星代工論壇上發(fā)表了歐洲半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)匹配型事業(yè)戰(zhàn)略和產(chǎn)品發(fā)展藍(lán)圖。三星表示，將加強(qiáng)歐洲汽車客戶在特殊工藝方面的參與和合作，進(jìn)一步鞏固其業(yè)界最高委托制造合作伙伴的地位。
三星在會(huì)上表示，作為新一代汽車技術(shù)，正在首次開發(fā)5nm eMRAM。三星計(jì)劃到2024年為止，用14納米工程增加mbram產(chǎn)品有價(jià)證券組合，2年后升級(jí)為8納米制程。
三星電子還發(fā)表了“先進(jìn)工藝路線圖”，即，到2026年為止，完成汽車應(yīng)用2納米工程的量產(chǎn)準(zhǔn)備。另外，三星計(jì)劃到2025年將目前的130納米汽車bcd工程擴(kuò)大到90納米，并計(jì)劃到2025年為止，在130納米bcd工程上適用120v。
聲明：本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人，不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用，如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題，請(qǐng)聯(lián)系本站處理。
舉報(bào)投訴
-
半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)
+關(guān)注
關(guān)注
6文章
509瀏覽量
34327 -
eMRAM
+關(guān)注
關(guān)注
0文章
8瀏覽量
2190 -
三星
+關(guān)注
關(guān)注
1文章
1521瀏覽量
31207
發(fā)布評(píng)論請(qǐng)先 登錄
相關(guān)推薦
英飛凌推出業(yè)界首款太空級(jí)NOR Flash
英飛凌近期宣布，成功推出業(yè)界首款專為太空和極端環(huán)境應(yīng)用設(shè)計(jì)的512 Mbit抗輻射加固QSPI NOR Flash。這款存儲(chǔ)器的問世，標(biāo)志著英飛凌在太空級(jí)存儲(chǔ)器領(lǐng)域取得了重大突破。
三星發(fā)布業(yè)界首款24Gb GDDR7 DRAM
近日，存儲(chǔ)芯片巨頭三星電子宣布了一項(xiàng)重大突破：成功開發(fā)出業(yè)界首款24Gb GDDR7 DRAM。這款新品不僅在容量上達(dá)到了
三星首推第八代V-NAND車載SSD，引領(lǐng)汽車存儲(chǔ)新紀(jì)元
三星電子在車載存儲(chǔ)技術(shù)領(lǐng)域邁出了重要一步，正式宣布成功研發(fā)出業(yè)界首款基于其先進(jìn)第八代V-NAND技術(shù)的PCIe 4.0車載SSD——AM9C
三星將為DeepX量產(chǎn)5nm AI芯片DX-M1
人工智能半導(dǎo)體領(lǐng)域的創(chuàng)新者DeepX宣布，其第一代AI芯片DX-M1即將進(jìn)入量產(chǎn)階段。這一里程碑式的進(jìn)展得益于與三星電子代工設(shè)計(jì)公司Gaonchips的緊密合作。雙方已正式簽署量產(chǎn)合同，標(biāo)志著DeepX的5nm芯片DX-M1將大
三星開始量產(chǎn)其最薄LPDDR5X內(nèi)存產(chǎn)品，助力端側(cè)AI應(yīng)用
深圳2024年8月6日?/美通社/ -- 2024年8月6日，三星電子今日宣布其業(yè)內(nèi)最薄的12納米(nm)級(jí)LPDDR5X DRAM（內(nèi)存
三星首款3nm可穿戴設(shè)備芯片Exynos W1000發(fā)布
在科技日新月異的今天，三星再次以其卓越的創(chuàng)新能力震撼業(yè)界，于7月3日正式揭曉了其首款采用頂尖3nm GAA（Gate-All-Around）先進(jìn)工藝制程的可穿戴設(shè)備系統(tǒng)
傳三星電子12nm級(jí)DRAM內(nèi)存良率不足五成
近日，據(jù)韓國(guó)媒體報(bào)道，三星在其1b nm（即12nm級(jí)）DRAM內(nèi)存生產(chǎn)過程中遇到了良率不足的挑戰(zhàn)。目前，該制程的良率仍低于業(yè)界一般目標(biāo)的8
三星電子正按計(jì)劃推進(jìn)eMRAM內(nèi)存制程升級(jí)
三星電子在昨日舉行的韓國(guó)“AI-PIM 研討會(huì)”上宣布，其正按計(jì)劃穩(wěn)步進(jìn)行eMRAM（嵌入式磁性隨機(jī)存取內(nèi)存）的制程升級(jí)工作。據(jù)悉，目前8nm eM
三星推出專為人工智能應(yīng)用優(yōu)化的10.7Gbps LPDDR5X DRAM
近日，三星宣布已開發(fā)出其首款支持高達(dá)10.7吉比特每秒（Gbps）的LPDDR5X DRAM。
三星發(fā)布中端市場(chǎng)Exynos 1480芯片，業(yè)界首款基于Arm v9架構(gòu)
相較于去年采用5nm制程的Exynos 1380，Exynos 1480升級(jí)至三星自研的4nm（4LPP+）制程技術(shù)。新芯片包含四顆ARM Cortex-A78 CPU核心，主頻高達(dá)2
三星Galaxy M35 5G新機(jī)現(xiàn)身GeekBench，搭載Exynos 1380芯片
這款旗艦級(jí)智能手機(jī)將采用三星自行研發(fā)的Exynos 1380處理器，高標(biāo)準(zhǔn)精心打造，采用先進(jìn)的5nm制程工藝，突出表現(xiàn)力強(qiáng)的Cortex A78內(nèi)核共有四核心，分別運(yùn)行頻率高達(dá)2.4GHz；
臺(tái)積電擴(kuò)增3nm產(chǎn)能，部分5nm產(chǎn)能轉(zhuǎn)向該節(jié)點(diǎn)
目前，蘋果、高通、聯(lián)發(fā)科等世界知名廠商已與臺(tái)積電能達(dá)成緊密合作，預(yù)示臺(tái)積電將繼續(xù)增加 5nm產(chǎn)能至該節(jié)點(diǎn)以滿足客戶需求，這標(biāo)志著其在3nm制程領(lǐng)域已經(jīng)超越競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手三星及英特爾。
三星電子發(fā)布業(yè)界最大容量HBM
三星電子近日宣布，公司成功研發(fā)并發(fā)布了其首款12層堆疊HBM3E DRAM，即HBM3E 12H，該產(chǎn)品在帶寬和容量上均實(shí)現(xiàn)了顯著的提升，這也意味著三星已
三星電子宣布擴(kuò)大與Arm合作
三星電子旗下芯片代工部門與全球知名的半導(dǎo)體技術(shù)公司Arm宣布了一項(xiàng)重要合作。雙方將共同努力，針對(duì)三星的Gate-All-Around（GAA）工藝，共同開發(fā)并優(yōu)化下一代的Cortex-
三星泰勒市新晶圓廠量產(chǎn)推遲至2025年
早在2022年5月，三星就表達(dá)了在美國(guó)得克薩斯州泰勒市建芯片代工廠的意愿，初始投資設(shè)定為170億美元，后追加至250億美元。該工廠將配備極紫外光刻機(jī)，瞄準(zhǔn)5nm制程芯片生產(chǎn)；而如今在奧斯汀的三
工商網(wǎng)監(jiān)
評(píng)論