一般而言，GaN器件具有優(yōu)異的低導通電阻和高速開關性能，因而作為有助于降低各種電源的功耗和實現(xiàn)外圍元器件小型化的器件被寄予厚望。然而，器件的使用面臨著柵極耐壓、控制IC（負責GaN器件的驅動控制）的速度等方面的問題，針對這些課題，羅姆推出了以下產(chǎn)品和技術。

1

GaN HEMT驅動用

超高速柵極驅動器IC（單通道）

羅姆推出的BD2311NVX-LB（單通道）是一款非常適合用來驅動GaN HEMT的柵極驅動器IC。該產(chǎn)品不僅支持驅動GaN HEMT時的窄脈沖高速開關，而且還通過采用羅姆自有的過沖抑制電路，確保GaN的可靠性。

產(chǎn)品采用羅姆自有的驅動方式抑制柵極電壓過沖，對普通GaN HEMT很有效 (柵極耐壓6V)。同時支持通過高速柵極驅動產(chǎn)生窄脈沖，以超高速開關（納秒量級的脈寬）驅動GaN器件。還可與GaN HEMT組合使用，可實現(xiàn)目標器件高速驅動，示例：激光二極管的窄脈沖驅動點亮(LIDAR)。

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2

EcoGaN Power Stage IC

“BM3G0xxMUV-LB”

羅姆結合所擅長的功率和模擬兩種核心技術優(yōu)勢，開發(fā)出集功率半導體——GaN HEMT和模擬半導體——柵極驅動器于一體的Power Stage IC “BM3G0xxMUV-LB”（BM3G015MUV-LB、BM3G007MUV-LB）。

該產(chǎn)品中集成了新一代功率器件650V GaN HEMT、能夠更大程度地激發(fā)出GaN HEMT性能的專用柵極驅動器、新增功能以及外圍元器件。另外，還支持更寬的驅動電壓范圍（2.5V～30V），擁有支持一次側電源各種控制器IC的性能，因此可以替換現(xiàn)有的Si MOSFET（Super Junction MOSFET/以下簡稱“Si MOSFET”）。與Si MOSFET相比，器件體積可減少約99%，功率損耗可降低約55%，因此可同時實現(xiàn)更低損耗和更小體積。

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3

650V耐壓GaN HEMT

為了助力各種電源系統(tǒng)的效率提升和小型化，羅姆推出器件性能達到業(yè)界超高水平的650V耐壓的GaN（Gallium Nitride：氮化鎵）HEMT “GNP1070TC-Z”、“GNP1150TCA-Z”投入量產(chǎn)，這兩款產(chǎn)品非常適用于服務器和AC適配器等各種電源系統(tǒng)。

該產(chǎn)品可以大大降低開關損耗，從而能夠進一步提高電源系統(tǒng)的效率。另外，該產(chǎn)品還內置ESD保護器件，將抗靜電能力提高至3.5kV，這將有助于提高應用產(chǎn)品的可靠性。不僅如此，該產(chǎn)品還具有GaN HEMT器件的優(yōu)勢——高速開關工作，從而有助于外圍元器件的小型化。

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4

羅姆確立可以更大程度激發(fā)GaN器件性能的

“超高速驅動控制”IC技術

針對如何提高控制IC（負責GaN器件的驅動控制）的速度已成為亟需解決的課題。羅姆進一步改進了在電源IC領域確立的超高速脈沖控制技術“Nano Pulse Control”，成功地將控制脈沖寬度從以往的9ns提升至2ns，達到業(yè)界超高水平。通過將該技術應用在控制IC中，又成功地確立了可更大程度激發(fā)GaN器件性能的超高速驅動控制IC技術。

目前，羅姆正在推動應用該技術的控制IC產(chǎn)品轉化工作，計劃在2023年下半年開始提供100V輸入單通道DC-DC控制器的樣品。通過將其與羅姆的“EcoGaN系列”等GaN器件相結合，將會為基站、數(shù)據(jù)中心、FA設備和無人機等眾多應用實現(xiàn)顯著節(jié)能和小型化做出貢獻。

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5

150V耐壓GaN HEMT

“GNE10xxTB系列(GNE1040TB)”

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該產(chǎn)品通過采用自有的結構，成功地將柵極-源極間額定電壓從常規(guī)的6V提高到了8V。這樣，在開關工作過程中即使產(chǎn)生了超過6V的過沖電壓，器件也不會劣化，從而有助于提高電源電路的設計裕度和可靠性。此外，該系列產(chǎn)品采用支持大電流且具有出色散熱性的通用型封裝，這使得安裝工序的操作更容易。

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今后，將會快速擴充GaN相關的產(chǎn)品陣容，包括GaN Device、GaN用柵極驅動器及相應Nano Pulse技術的電源芯片，以便進一步擴展羅姆半導體在功率系統(tǒng)方案的市場方向。

關于GaN產(chǎn)品和技術的更多信息，

各位工程師可以點擊前往官網(wǎng)查看。

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END

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