臺(tái)積電前負(fù)責(zé)研究開(kāi)發(fā)的副總經(jīng)理林本堅(jiān)（Burn J. Lin）表示：“美國(guó)無(wú)法阻止華為等中國(guó)大陸公司的半導(dǎo)體技術(shù)進(jìn)步。中國(guó)應(yīng)該利用現(xiàn)有設(shè)備，走向下一代工程?！?/p>

10月17日，美國(guó)政府加強(qiáng)了對(duì)中國(guó)的出口限制，但林本堅(jiān)表示：“美國(guó)無(wú)法阻止中國(guó)的技術(shù)發(fā)展。不能完全阻止中國(guó)改善芯片技術(shù)。”

林本堅(jiān)說(shuō)：“美國(guó)真的應(yīng)該做的是保持芯片設(shè)計(jì)的領(lǐng)導(dǎo)能力，而不是試圖限制中國(guó)的發(fā)展”，這是徒勞的且將損害全球經(jīng)濟(jì)，因?yàn)橹袊?guó)大陸正在采取全面戰(zhàn)略來(lái)發(fā)展其芯片產(chǎn)業(yè)?！?/p>

林本堅(jiān)表示：“除了要實(shí)現(xiàn)5納米里程碑的努力之外，中國(guó)為了制造更強(qiáng)大的半導(dǎo)體，也有可能嘗試新材料或先進(jìn)芯片封裝?！?/p>

這與Arm CEO Rene Haas的主張一致。Rene Haas在美國(guó)加強(qiáng)出口控制措施后曾表示：“美國(guó)要阻止中國(guó)大陸接近精密半導(dǎo)體的目標(biāo)很難通過(guò)出口控制實(shí)現(xiàn)?！?/p>