片上電感是由一層或多層金屬在硅襯底上一圈圈繞制而成的無(wú)源器件,那么如何利用電磁軟件輔助設(shè)計(jì)一個(gè)性能優(yōu)良的片上電感呢?本期結(jié)合具體實(shí)例給大家分享一些平時(shí)遇到的問(wèn)題,希望對(duì)大家有所啟發(fā)。
**1. **電感簡(jiǎn)介
1)當(dāng)電流流過(guò)導(dǎo)體時(shí),會(huì)產(chǎn)生磁場(chǎng),磁場(chǎng)的大小除以電流的大小就是電感;
2)電感線圈一般采用高層金屬,因?yàn)楦邔咏饘俦旧淼募纳?a target="_blank">電阻小且遠(yuǎn)離襯底與襯底之間寄生小,有利于提高Q值并減小干擾;
3)電感橫向參數(shù)有:圈數(shù)、金屬寬度、金屬間距、內(nèi)外徑等??v向參數(shù)有:金屬厚度、金屬與襯底之間的氧化層厚度、金屬之間的氧化層厚度和襯底厚度等。電感設(shè)計(jì)時(shí)主要通過(guò)調(diào)整橫向參數(shù)改變感值和Q值;
4)設(shè)計(jì)時(shí)要遵循的原則有:①金屬線的寬度不要太寬,在高頻下由于趨膚效應(yīng),寬的金屬對(duì)串聯(lián)電阻的貢獻(xiàn)比對(duì)電感的貢獻(xiàn)還要大,并不能發(fā)揮其優(yōu)勢(shì),反而增大了面積,增大了寄生電容。②一般用工藝允許的最小間距,間距越小,互感越大。③電感面積不要太大,因?yàn)殡姶艌?chǎng)導(dǎo)致的襯底損耗與面積成正比。④電感的自諧振頻率要大于3倍VCO振蕩頻率。⑤對(duì)于相同的電感值,多邊形結(jié)構(gòu)或圓形結(jié)構(gòu)電感的繞線電阻比四邊形結(jié)構(gòu)電感的繞線電阻要低10%,Q值更高,但并不是邊數(shù)越多Q值越高,八邊形是比較優(yōu)的邊數(shù)。⑥電感線圈下面一般會(huì)采用最底層金屬或poly實(shí)現(xiàn)襯底和電感線圈的隔離,有時(shí)也會(huì)在電感線圈下加入NT_N層(NativeDevice會(huì)用到該層),用于減小電感線圈下襯底摻雜濃度,提高電阻率,從而減小襯底引入的損耗,進(jìn)而提高L值和Q值。⑦對(duì)于VCO而言,電感線圈外層需要加入guardingring,同時(shí)電感周邊不允許有其他模塊,用盡可能多的decap電容環(huán)繞。
**2. **電磁仿真軟件
業(yè)內(nèi)主流的電磁仿真軟件有HFSS、EMX、Momentum等。HFSS最早由卡內(nèi)基梅隆大學(xué)的ZoltanCendes教授和他的學(xué)生開(kāi)發(fā),他們成立了Ansoft公司,從1989年開(kāi)始出售HFSS軟件,是世界上第一個(gè)商業(yè)化的3D電磁仿真軟件。經(jīng)過(guò)多年發(fā)展,HFSS已成為電磁仿真界標(biāo)桿,被廣泛用于天線設(shè)計(jì)、接口設(shè)計(jì)、封裝設(shè)計(jì)等;EMX是Integrand公司旗下的電感仿真軟件,Integrand公司由貝爾實(shí)驗(yàn)室的技術(shù)人員在2003年創(chuàng)辦,是電磁仿真軟件的后起之秀。
EMX可以完成片上無(wú)源器件,如傳輸線、電感、電容、變壓器等器件的設(shè)計(jì),但對(duì)于bonding線、BGA封裝等非層狀結(jié)構(gòu)以及橫截面非直線的金屬結(jié)構(gòu),EMX就無(wú)能為力了。在HFSS等軟件想把自己做成萬(wàn)能平臺(tái)時(shí),EMX卻把自己打造成Cadence里的一個(gè)完美插件,將片上無(wú)源器件仿真這一塊做到極致,用起來(lái)也較HFSS簡(jiǎn)潔。Momentum是ADS(AdvancedDesign System)中的一部分,現(xiàn)屬于是德科技(2014年從安捷倫拆分出來(lái)),Momentum的設(shè)置相對(duì)HFSS簡(jiǎn)單一些。
國(guó)內(nèi)xpeedic(芯禾)公司的IRIS軟件于2014年發(fā)布,可實(shí)現(xiàn)與CadenceVirtuoso的無(wú)縫集成,支持導(dǎo)出模型至HFSS。目前軟件功能正逐漸完善,片上電感的仿真結(jié)果與EMX比較接近,可以用來(lái)完成片上電感的設(shè)計(jì)。
我用到的電磁仿真軟件有EMX和IRIS,兩者仿真結(jié)果差異不大,希望大家支持國(guó)產(chǎn),畢竟貿(mào)易戰(zhàn)才剛剛開(kāi)始,EMX價(jià)格也直接double了。
**3. **電感基礎(chǔ)
3.1 并聯(lián)RLC網(wǎng)絡(luò)及電感SPICE****模型
之前跟大家分享過(guò)串并聯(lián)阻抗的相互轉(zhuǎn)換及仿真方法,這邊再重申一下并聯(lián)RLC網(wǎng)絡(luò)的阻抗特性。圖1(a)并聯(lián)RLC網(wǎng)絡(luò)的阻抗特性如圖1(b)所示,具體推導(dǎo)過(guò)程可參考文獻(xiàn)[1],這里不再贅述。
(a)并聯(lián)RLC網(wǎng)絡(luò)
(b)并聯(lián)RLC網(wǎng)絡(luò)的阻抗特性
Fig1. 并聯(lián)RLC網(wǎng)絡(luò)及其阻抗特性
當(dāng)ω>ω0時(shí)回路呈容性;當(dāng)ω<ω0寫時(shí)回路呈感性;當(dāng)ω=ω0時(shí)回路諧振,阻抗達(dá)到最大,表現(xiàn)為純電阻特性。
電感的SPICE等效模型如圖2所示,其中COXin和COXout表示電感的金屬線與襯底之間的氧化層電容,CSUBin和CSUBout表示電感的金屬線與襯底之間的耦合電容,RSUBin和RSUBout表示電感和襯底之間的電場(chǎng)耦合所引入的損耗,L表示該電感的電感量,CP是電感的兩層金屬線交叉時(shí)形成的氧化層電容,RS表示金屬線有限的電導(dǎo)率所引入的損耗,Reddy表示襯底所引入的損耗。
Fig2. 電感SPICE等效模型
通過(guò)圖1(b)所示的RLC自諧振頻率曲線可以看出ω=ω0時(shí)的縱坐標(biāo)即為RLC網(wǎng)絡(luò)的實(shí)部。圖2通過(guò)串并聯(lián)阻抗的互換也可轉(zhuǎn)換成圖1(a)所示的RLC并聯(lián)網(wǎng)絡(luò),可以看到電感在自諧振頻率處的等效并聯(lián)電阻,等效并聯(lián)電阻的大小表征了電感線圈上的等效寄生電阻,該電阻影響電感的Q值,在LC諧振腔中應(yīng)盡可能減小該寄生電阻。
**3.2 **電感結(jié)構(gòu)
電感按形狀可分為正四邊形、正六邊形、正八邊形及圓形等,按走線及疊層方式可分為平面螺旋電感和堆疊電感。對(duì)于相同的電感值,多邊形結(jié)構(gòu)或圓形結(jié)構(gòu)電感的繞線電阻比四邊形結(jié)構(gòu)電感的繞線電阻要低10%,Q值更高,但并不是邊數(shù)越多Q值越高,八邊形是比較優(yōu)的邊數(shù)。圖3給出了四種不同形狀的平面螺旋電感。
Fig3 不同形狀的平面螺旋電感
平面螺旋電感和堆疊電感對(duì)比如下:
**3.3 **電感表達(dá)式
文獻(xiàn)[1]給出了片上電感計(jì)算公式,如下:
其中,ρ=(dout-din)/(dout+din),davg=0.5(dout+din),n為線圈匝數(shù),din和dout如圖3所示,μ0為真空中的磁導(dǎo)率,大小為4π x 10^-7^N.A^-2^,K1和K2與電感的形狀相關(guān),具體關(guān)系如下:
如din=50um,dout=114.2um,n=2的正八邊形平面螺旋電感理論值為389pH。EMX仿真結(jié)果如圖4所示,可見(jiàn)理論計(jì)算結(jié)果與仿真結(jié)果相差不大,感值跟線圈間距也有關(guān)系,計(jì)算公式只能算出一個(gè)粗略的結(jié)果,精確結(jié)果要通過(guò)電磁仿真軟件獲得。
Fig4. 八邊形平面螺旋電感EMX仿真結(jié)果
**4. **仿真
4**.1 **電感場(chǎng)仿真流程
幾乎任何一款電磁仿真軟件的求解流程都分為三步:①前處理,建立結(jié)構(gòu)、定義材料、設(shè)置端口及邊界條件;②把材料劃分成細(xì)小網(wǎng)格、然后求解Maxwell方程,求出各處的場(chǎng)強(qiáng);③后處理,即導(dǎo)出S參數(shù)或SPICE等效電路。
4**.2 利用S參數(shù)仿真得到電感的LQR****值**
建立圖5所示testbench(三者等效),并進(jìn)行sp或ac仿真得到電感的L、Q、R值:
Fig5. 電感LQR仿真testbench
仿真原理:
電感的感值L、品質(zhì)因子Q以及串聯(lián)電路R分別為:
根據(jù)L、Q、R的定義,在spectresp仿真中,加入analogLib/port激勵(lì)源,得感值表達(dá)式為:L=(imag(zpm("sp"1 1)) / xval(zpm("sp" 1 1)) / 2 / pi);品質(zhì)因子的表達(dá)式為:Q=(imag(zpm("sp"1 1)) / real(zpm("sp" 1 1)));R=real(zpm("sp"1 1))。其中zpm是Cadence自帶的函數(shù):Returnsthe waveform for z-parameters。
同樣,根據(jù)L、Q、R的定義,在spectreac仿真中,加入analogLib/idc激勵(lì)源,得感值表達(dá)式為:Lvalue=(imag((VF("/PLUS")- VF("/MINUS"))) / imag(VF("/2pif")));品質(zhì)因子的表達(dá)式為:Qvalue=(imag((VF("/PLUS")- VF("/MINUS"))) / real((VF("/PLUS") -VF("/MINUS"))));Rvalue=(- real((VF("/PLUS") -VF("/MINUS"))))。
仿真結(jié)果(sp1和sp2等效,sp仿真時(shí)二選一即可)如圖6所示。
Fig6. 電感LQR仿真結(jié)果
注:①sp和ac仿真得到的L、Q、R一致,因此方法等效;②該仿真方法完全忽略了電容,只有在頻率遠(yuǎn)低于自諧振頻率時(shí)才成立,S參數(shù)的虛部,實(shí)際上是電感和電容共同作用的結(jié)果,電磁仿真軟件在計(jì)算電感時(shí)一般會(huì)忽略掉電容。
4**.3 **電感的自諧振頻率
假如我們把電感用于諧振腔中,電感實(shí)際上是與兩部分電容之和來(lái)進(jìn)行諧振的,一部分是電感本身的寄生,另一部分才是負(fù)載電容。在這種情況下,如果工作頻率高于自諧振頻率,說(shuō)明電感在這個(gè)頻率已經(jīng)沒(méi)有吸收電容的空間了。LC諧振腔中為了有一定負(fù)載電容吸收空間,一般電感的自諧振頻率要大于3倍的VCO頻率。
電感自諧振頻率仿真testbench及波形如圖7所示。
(a)電感自諧振頻率仿真testbench
(b)電感自諧振頻率仿真波形
Fig7. 電感自諧振頻率仿真方法及波形
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