在大功率電子器件使用中為實(shí)現(xiàn)芯片與電子元件之間的互聯(lián),陶瓷作為封裝基板材料,需對其表面進(jìn)行金屬化處理。陶瓷金屬化有如下要求:優(yōu)良的密封性,金屬導(dǎo)電層的方阻和電阻率小,同時(shí)與陶瓷基板具有較強(qiáng)的附著力,陶瓷經(jīng)金屬化后仍需具備高的熱導(dǎo)率。因此延展性優(yōu)良、導(dǎo)熱性和導(dǎo)電性高的Cu,成為在功率電子器件中最常用的材料,圖為陶瓷基板覆銅示意圖。
雖然陶瓷具有相較于其他兩種封裝基板有著更為優(yōu)異的綜合性能,但是由于陶瓷材料作為強(qiáng)共價(jià)鍵型化合物,其電子配位十分穩(wěn)定,不易與其他材料反應(yīng),并且與常見金屬之間的潤濕困難,而陶瓷基板表面金屬化后的性能與功率電子器件在工作時(shí)的穩(wěn)定性關(guān)系密切,故制約陶瓷封裝基板廣泛應(yīng)用的原因便在于此,因此探究陶瓷表面金屬化意義重大。目前常見的陶瓷金屬化的方法主要包括化學(xué)鍍金屬化、直接覆銅金屬化、厚膜金屬化、薄膜金屬化等。以下是斯利通整理的幾類陶瓷封裝金屬化工藝。表 1為不同陶瓷金屬化方法的優(yōu)缺點(diǎn)。
化學(xué)鍍金屬化
化學(xué)鍍金屬化是指通過化學(xué)反應(yīng)的方法,金屬離子借助還原劑還原成金屬,并沉積到基底材料表面的方法,核心在于通過可控制的氧化還原反應(yīng)產(chǎn)生金屬層,圖 1.1 為化學(xué)鍍過程示意圖。化學(xué)鍍銅即將溶液中的Cu 2+還原成Cu原子,并在催化活性的基板上沉積,反應(yīng)原理可用下式表示:
第一步:Cu 2+在陰極被還原成 Cu 原子,如式 1-1 所示;
第二步:甲醛在陽極提供反應(yīng)所需的電子,如式 1-2 所示;
第三步:化學(xué)鍍銅的氧化還原方程式,如式 1-3 所示。
直接覆銅金屬化
直接覆銅金屬化是指在高溫、弱氧氛圍中利用Cu的含氧共晶液直接將Cu箔覆接在陶瓷表面的方法,主要用于 Al 2 O 3 和 AlN 陶瓷表面。原理為 Cu 與 O 反應(yīng)生成的 Cu 2 O 和CuO,在 1060-1083 ℃溫度范圍內(nèi)可以與基板中 Al 反應(yīng)生成 CuAlO 2 和 CuAl 2 O 4 的尖晶石物質(zhì),促使陶瓷與 Cu 可以形成較高的結(jié)合強(qiáng)度,在對 AlN 陶瓷基板進(jìn)行直接覆銅金屬化時(shí),需先對 AlN 進(jìn)行氧化處理,在其表面形成 Al 2 O 3 ,圖 2.1 為 AlN 直接覆銅金屬化的流程示意圖。反應(yīng)式如下:
厚膜金屬化
厚膜金屬化是將金屬漿料通過絲網(wǎng)印刷的方法涂敷在陶瓷表面,然后經(jīng)高溫干燥熱處理后形成金屬化陶瓷基板的技術(shù)。下圖為絲網(wǎng)印刷工藝示意圖,其中漿料主要由功能相、粘結(jié)劑、有機(jī)載體組成,功能相是厚膜漿料中主體,即在陶瓷表面經(jīng)涂覆金屬粉末后經(jīng)熱處理工藝形成的金屬膜層;粘結(jié)劑是玻璃相或氧化物等經(jīng)高溫?zé)Y(jié)后,提升金屬膜層與陶瓷基板之間的附著力;有機(jī)載體是用于提升有機(jī)漿料表面活性,使得漿料混合更加均勻的有機(jī)溶劑或表面活性劑。
薄膜金屬化
薄膜金屬化是在高真空條件下,用物理方法將固體材料表層電離為離子,隨后經(jīng)過低壓氣體在陶瓷基板表面沉積所需薄膜的工藝,即物理氣相沉積技術(shù)( Physical Vapour Deposition ,PVD ),主要包括有磁控濺射鍍膜、離子鍍膜、電弧鍍等。圖 4.1 為磁控濺射鍍膜的原理圖,核心在于 Ar 2+經(jīng)電場加速后轟擊由欲被濺射物質(zhì)做成的靶電極,當(dāng)離子能量合適的情況下,Ar 2+會(huì)將靶材表面的原子濺射出來進(jìn)而會(huì)沿著一定的方向射向襯底,從而實(shí)現(xiàn)薄膜的沉積
上述幾種陶瓷基板金屬化方法,各有優(yōu)缺點(diǎn),化學(xué)鍍金屬化,具備很高的生產(chǎn)效率,可以實(shí)現(xiàn)批量化生產(chǎn),但是,金屬層與陶瓷基板之間結(jié)合力有限,不能滿足很多特定的應(yīng)用場景。直接覆銅金屬化,也就是高溫?zé)Y(jié)法,在滿足生產(chǎn)效率的同時(shí),金屬層和陶瓷基板具備一定的結(jié)合強(qiáng)度,是當(dāng)前比較常見的一種生產(chǎn)工藝,但是,由于其是采用高溫?zé)Y(jié)的方式進(jìn)行的金屬化覆膜,因此,限制了很多低熔點(diǎn)金屬的應(yīng)用。厚膜金屬化,也就是絲網(wǎng)印刷,生產(chǎn)簡單可操作,但是,其對于金屬化厚度和線寬線距的精度不能實(shí)現(xiàn)很好的控制,無法生產(chǎn)高精度的精密線路。薄膜金屬化,也就是磁控濺射,利用了范德華力的原理,使得金屬層和陶瓷基板具有很強(qiáng)的結(jié)合力,但是,生產(chǎn)效率低下,同時(shí),也只能形成很薄的金屬層,通常在納米級別。
富力天晟科技公司有效利用幾種金屬化工藝相結(jié)合的方法,在生產(chǎn)工藝流程中,首先,通過磁控濺射工藝(薄膜金屬化)在陶瓷基板表面形成50-300nm的金屬種子層(鈦層50-100nm,銅層100-300nm),金屬種子層與陶瓷基板之間通過范德華力結(jié)合,然后,再通過電鍍(化學(xué)鍍)在金屬種子層上增加金屬厚度,通過這種方式,比單純通過磁控濺射或者化學(xué)鍍的方法生產(chǎn)出來的陶瓷基板線路性能要優(yōu)良很多,一方面,可以有效加強(qiáng)金屬層與陶瓷基板的結(jié)合強(qiáng)度,另一方面,也可以實(shí)現(xiàn)不同層厚(厚度1000μm)的金屬化生產(chǎn)。
富力天晟科技公司經(jīng)過多年的發(fā)展,已經(jīng)和國內(nèi)外數(shù)千家半導(dǎo)體、芯片、傳感器、通信、射頻器件、大功率照明等企業(yè)建立長期穩(wěn)定的合作關(guān)系,為各大公司生產(chǎn)符合客戶要求的高性能陶瓷基板精密線路產(chǎn)品,提供專業(yè)的一站式解決方案,成為客戶新產(chǎn)品研發(fā)、技術(shù)迭代創(chuàng)新、公司發(fā)展過程中的重要戰(zhàn)略伙伴。
審核編輯 黃宇
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