片狀鉭電容的頻率特性分析

我們知道每個(gè)電容都有自己的頻率特性，那么AVX鉭電容的頻率特性是什么?AVX鉭電容的有效電容隨著頻率的增加而降低，直到達(dá)到諧振(通常在0.5到5MHZ之間)。

以AVX芯片e型鉭電容的220UF 10V規(guī)格為例，介紹AVX鉭電容的頻率特性和AVX鉭電容的溫度特性曲線。

AVX鉭電容的溫度特性

鉭電容的容量隨溫度的變化而變化。這種變化本身與額定電壓和電容的關(guān)系很小。從下面的溫度曲線可以看出，在工作溫度范圍內(nèi)，鉭電容和鈮電容的容量會隨著溫度的升高而增大。

損耗角正切

這是測量電容器能量損耗的方法。其表達(dá)式為tan，為電容器的功率損耗，其無功功率分為一組規(guī)定的正弦電壓頻率。所用的術(shù)語是功率因數(shù)、損耗因數(shù)和介電損耗。COS(90-)是實(shí)功率因數(shù)。使用測量進(jìn)行測量譚橋提供0.5V RMS120HZ的正弦信號。

耗散和溫度之間的關(guān)系

耗散系數(shù)隨溫度變化的典型曲線。這些塊是鉭和氧化鉭相同的電容器。

切損失角(TAN)由耗散因數(shù)測量，用百分?jǐn)?shù)表示。DF測量用于測量0.5v RMS120HZ正弦波信號、諧波和2.2vdc的橋接電源。df值與溫度和頻率有關(guān)。

耗散因子的頻率依賴性

隨著頻率的增加，損耗系數(shù)出現(xiàn)在鉭和氧化鉭電容器的典型曲線上，即在規(guī)定頻率下的電流與電壓之比。鉭電容的阻抗、半導(dǎo)體層的電阻電容、電極和引線的電感是由三個(gè)因素決定的，高頻引起的電感是一個(gè)限制因素。溫度和頻率特性決定了這三個(gè)因素的阻抗特性，阻抗Z阻抗為25度和100KHZ。

AVX鉭電容的等效串聯(lián)電阻ESR

電阻損耗出現(xiàn)在所有可行的電容器中。這些是由幾種不同的機(jī)制，包括電阻元件和接觸，介質(zhì)中的粘性力和缺陷電流路徑的生產(chǎn)旁路。為了表達(dá)這些損耗對其電容ESR的影響。

AVX鉭電容的阻抗與ESR的頻率依賴性

ESR和阻抗均隨頻率增加而增大，分岔阻抗在較低頻率值時(shí)作為附加貢獻(xiàn)變得更為重要。

AVX鉭電容承受電壓和電流沖擊的能力有限，這是基于所有電解電容的共同特性。足夠高的電應(yīng)力會通過電介質(zhì)，從而損壞電介質(zhì)。例如，6伏鉭電容在其額定電壓下的電場為167kv /mm。因此，確保整個(gè)電容器端子的電壓不超過規(guī)定的浪涌額定電壓是很重要的。二氧化錳作為鉭電容負(fù)極板的半導(dǎo)體材料，具有自愈能力。然而，這種低電阻是有限的，在低阻抗電路的情況下，電容器可能被浪涌電流擊穿。降壓電容增加元件的可靠性。額定電壓使用常見的軌跡,低阻抗電壓鉭電容在電路快速充電或放電,保護(hù)電阻1Ω/ V,如果不能達(dá)到這個(gè)要求應(yīng)該使用鉭電容降壓系數(shù)高達(dá)70%,在這種情況下,可能需要更高的電壓比作為一個(gè)單獨(dú)的電容。A系列組合應(yīng)該是用于增加工作電壓的等效電容器。

ESR和阻抗均隨頻率增加而增大，分岔阻抗在較低頻率值時(shí)作為附加貢獻(xiàn)變得更為重要。

AVX鉭電容承受電壓和電流沖擊的能力有限，這是基于所有電解電容的共同特性。足夠高的電應(yīng)力會通過電介質(zhì)，從而損壞電介質(zhì)。例如，6伏鉭電容在其額定電壓下的電場為167kv /mm。因此，確保整個(gè)電容器端子的電壓不超過規(guī)定的浪涌額定電壓是很重要的。二氧化錳作為鉭電容負(fù)極板的半導(dǎo)體材料，具有自愈能力。然而，這種低電阻是有限的，在低阻抗電路的情況下，電容器可能被浪涌電流擊穿。降壓電容增加元件的可靠性。額定電壓使用常見的軌跡,低阻抗電壓鉭電容在電路快速充電或放電,保護(hù)電阻1Ω/ V,如果不能達(dá)到這個(gè)要求應(yīng)該使用鉭電容降壓系數(shù)高達(dá)70%,在這種情況下,可能需要更高的電壓比作為一個(gè)單獨(dú)的電容。A系列組合應(yīng)該是用于增加工作電壓的等效電容器。

例如，兩個(gè)22UF25V系列部件相當(dāng)于一個(gè)11UF50V部件。能力指的是在很短的時(shí)間內(nèi)至少330號電路的串聯(lián)電阻(1 kΩ主要單位國家)能夠承受的最高電壓。在常溫下，浪涌電壓可達(dá)極限電壓的10倍，在一小時(shí)內(nèi)可達(dá)30秒。浪涌電壓只是一個(gè)參考參數(shù)，不能作為電路設(shè)計(jì)的依據(jù)。正常工作時(shí)，應(yīng)定期對電容進(jìn)行充放電。不同溫度下的電涌電壓值不同。當(dāng)溫度為85度及以下時(shí)，分類電壓VC等于額定電壓VR，浪涌電壓VS為額定電壓VR的1.3倍。在85-125度時(shí)，分類電壓VC等于額定電壓VR的0.66倍，浪涌電壓VS等于分類電壓VC的1.3倍。

鉭電容的反向電壓

AVX鉭電容的反向電壓嚴(yán)格限制如下:

在1.0v 25 c時(shí)，額定直流工作電壓可達(dá)10%

額定直流工作電壓在0.5v 85c時(shí)可達(dá)3%

額定直流工作電壓在0.1v 125c時(shí)可達(dá)1%

反向電壓值是基于鉭電容在任何時(shí)候的最高電壓值，這些限制是基于鉭電容的偏振光將工作在最正確的方向上的假設(shè)。他們的目標(biāo)是覆蓋一個(gè)令人印象深刻的波形的一小部分，因?yàn)槎唐诜崔D(zhuǎn)發(fā)生在轉(zhuǎn)換瞬態(tài)極性。持續(xù)施加反向電壓會導(dǎo)致極化，增加泄漏電流。在連續(xù)反向應(yīng)用電壓可能發(fā)生的情況下，兩個(gè)類似的電容器應(yīng)連接負(fù)端回接配置。在大多數(shù)情況下，這種組合將有一個(gè)公稱電容。

鉭電容的疊加交流電壓(vr.m.s.)——也稱為紋波電壓

這是可通過疊加直流電壓施加到電容器上的最大R.M.S.交流電壓。

審核編輯：湯梓紅