耗盡型MOSFET

在大多數(shù)反激式開關(guān)電源中，都是通過變壓器附加繞組給PWM控制 IC供電，在電路的啟動階段，附加繞組還沒有電壓輸出，因此需要單獨(dú)的電路給PWM控制IC進(jìn)行啟動供電。

傳統(tǒng)的啟動電路多使用功率電阻直接給PWM控制IC供電，但是在電源系統(tǒng)啟動后，卻會持續(xù)不斷地消耗功率，從而大幅增加了系統(tǒng)功率損耗。

在不斷降低電源功耗的發(fā)展理念下，開關(guān)電源PWM控制 IC的啟動電路也在不斷優(yōu)化。特別是在待機(jī)零功耗的要求下，將耗盡型MOSFET應(yīng)用于開關(guān)電源的啟動電路，幾乎成了唯一的選擇。

使用耗盡型MOSFET構(gòu)成啟動電路來給PWM控制IC供電，能夠有效降低系統(tǒng)功耗，特別是待機(jī)功耗。耗盡型MOSFTE為常閉器件，當(dāng)柵-源電壓VGS= 0V時，器件的溝道處于自然開通狀態(tài)。將耗盡型MOSFET應(yīng)用于啟動電路中，當(dāng)PWM控制IC啟動后，由附加繞組對IC進(jìn)行供電，此時再將耗盡型MOSFET關(guān)斷，之后PWM控制 IC啟動電路幾乎沒有功率損耗，因此能夠顯著降低系統(tǒng)功耗，尤其是待機(jī)功耗。

傳統(tǒng)電阻式啟動電路

如圖1所示，傳統(tǒng)的啟動電路由功率電阻構(gòu)成。這種電阻式的啟動電路，由于電阻持續(xù)地消耗較大功率，大幅增加了系統(tǒng)功率損耗，在系統(tǒng)處于待機(jī)狀態(tài)時尤為突出。

圖1. 傳統(tǒng)電阻式啟動電路

耗盡型MOSFTE用于啟動電路

有源控制啟動電路

有源控制啟動電路示意圖如下：

圖2.耗盡型MOSFET有源控制啟動電路

很多PWM控制IC都有ASU（Active Start-Up）引腳，可用來控制耗盡型MOSFET DMZ6005E的關(guān)斷。

電路上電啟動時，通過耗盡型MOSFET DMZ6005E給PWM 控制IC供電。電流經(jīng)DMZ6005E給C1充電，C1電壓持續(xù)升高，直至PWM IC開始工作。

電路啟動后，再由附加繞組給PWM 控制IC供電，此時通過ASU端口將DMZ6005E的柵極下拉至低電平，使DMZ6005E的柵-源電壓VGS大于其關(guān)斷電壓VGS(OFF) ，從而將DMZ6005E關(guān)斷，之后啟動電路無電流通過，不產(chǎn)生功率損耗。

通用PWM IC啟動電路

通用PWM IC啟動電路示意圖如下：

圖3. 耗盡型MOSFET的通用啟動電路

通用啟動電路適用于本身不具有ASU功能引腳的PWM控制IC的上電啟動。如圖3所示，耗盡型MOSFET DMZ6005E搭配低壓增強(qiáng)型MOSFET即可構(gòu)成通用啟動電路。

開關(guān)電源啟動時，DMZ6005E處于導(dǎo)通狀態(tài)，電流經(jīng)DMZ6005E給C1充電，C1電壓持續(xù)升高，直至PWM IC開始工作。開關(guān)電源啟動后，通過附加繞組給PWM控制IC供電，此時低壓增強(qiáng)型MOSFET的柵-源電壓VGS大于其開啟電壓VTH，增強(qiáng)型MOSFET導(dǎo)通，將DMZ6005E的柵極電壓下拉至低電位，使得DMZ6005E的柵-源電壓VGS大于其關(guān)斷電壓VGS(OFF) ，DMZ6005E切換至關(guān)斷狀態(tài)，啟動電路不再消耗功率。

ARK(方舟微)

ARK(方舟微)提供的DMZ6005E等高壓耗盡型MOSFET，是應(yīng)用于PWM 控制IC啟動電路最理想的器件。DMZ6005E擊穿電壓BVDSS超過600V，可以在極寬的輸入電壓范圍內(nèi)正常工作，并且器件采用SOT-23封裝，產(chǎn)品體積小，適于表面貼裝。

DMZ6005E規(guī)格書