ROHM Semiconductor宣布推出新的硅電容器BTD1RVFL系列。智能手機(jī)和可穿戴設(shè)備將逐步整合這些組件。硅半導(dǎo)體加工技術(shù)經(jīng)過多年的改進(jìn)，可以在更緊湊的封裝中實(shí)現(xiàn)更高的效率。

智能手機(jī)和其他功能不斷增長的設(shè)備需要支持高密度安裝的更小組件。與現(xiàn)有的多層陶瓷電容器 (MLCC) 相比，采用薄膜半導(dǎo)體技術(shù)的硅電容器可以以更薄的外形尺寸提供更高的電容。同時，穩(wěn)定的溫度特性和出色的可靠性正在加速它們在各種應(yīng)用中的采用。預(yù)計(jì)到2030年，全球硅電容器市場將增長到3000億日元(約20億美元)，比2022年增長約1.5倍，ROHM利用半導(dǎo)體專有工藝開發(fā)了小型高性能硅電容器。

ROHM專有的RASMID小型化技術(shù)允許以1μm的增量進(jìn)行加工，從而消除了外部成型過程中的剝落，并將尺寸公差提高到±10μm以內(nèi)。產(chǎn)品尺寸的這種細(xì)微變化使得安裝時相鄰組件之間的間距更小。此外，用于基板粘接的背面電極已擴(kuò)展到封裝的外圍，以提高安裝強(qiáng)度。

BTD1RVFL系列(BTD1RVFL102/BTD1RVFL471)包含業(yè)界最小的01005尺寸(0.1英寸×0.05英寸)/0402尺寸(0.4mm×0.2mm)量產(chǎn)表面貼裝硅電容器。與傳統(tǒng)的0201尺寸(0.2英寸×0.1英寸)/0603尺寸(0.6mm×0.3mm)元件相比，安裝面積減少了約55%，有助于實(shí)現(xiàn)應(yīng)用的小型化。此外，集成的 TVS 保護(hù)元件可確保高 ESD 電阻，并減少浪涌對策和其他電路設(shè)計(jì)元件所需的工時。

2024年，ROHM計(jì)劃開發(fā)適用于高速、大容量通信設(shè)備的具有優(yōu)異高頻特性的第二個系列。此外，ROHM還致力于開發(fā)服務(wù)器等工業(yè)設(shè)備用產(chǎn)品，以提高其適用性。

審核編輯：彭菁