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鈷酸鋰高壓穩(wěn)定的結(jié)構(gòu)解析

清新電源 ? 來源:能源學(xué)人 ? 2023-11-10 09:27 ? 次閱讀

研究背景

鈷酸鋰(LiCoO2,LCO)目前仍是消費(fèi)電子領(lǐng)域鋰電池正極材料的主流。通過簡單地提高操作電壓,可以大幅提高LCO的容量和能量密度。例如,提高電壓從4.2 V(vs Li/Li+)到4.6 V,LCO的容量將從約140 mAh/g增加到約220 mAh/g(增幅達(dá)57%)。這將極大改變LCO正極的應(yīng)用場景。不幸的是,在4.5 V(vs Li+/Li)以上的高電壓下,LCO的結(jié)構(gòu)會變得非常不穩(wěn)定,導(dǎo)致一系列結(jié)構(gòu)問題并最終引發(fā)結(jié)構(gòu)破壞,造成實(shí)際容量的嚴(yán)重衰減。提高高電壓下的結(jié)構(gòu)穩(wěn)定性以實(shí)現(xiàn)高電壓LCO(H-LCO)是目前LCO研究的前沿?zé)狳c(diǎn),這需要建立在對LCO結(jié)構(gòu)的深入理解基礎(chǔ)上。

工作簡介

近日,北京大學(xué)深圳研究生院潘鋒教授和香港理工大學(xué)的陳國華院士等人,在國際知名學(xué)術(shù)期刊Advanced Materials上發(fā)表題為“Structural Understanding for High-Voltage Stabilization of Lithium Cobalt Oxide”的綜述文章。該文章聚焦于LCO最基本的結(jié)構(gòu),深入分析了LCO的結(jié)構(gòu)及其高電壓下的結(jié)構(gòu)不穩(wěn)定性因素,并從結(jié)構(gòu)角度闡述了各種改性策略的根本機(jī)制。本文為未來LCO的研究提供了有利指導(dǎo),有助于于加快高性能LCO正極材料的開發(fā)和實(shí)際應(yīng)用。

內(nèi)容表述

要點(diǎn)一:結(jié)構(gòu)基礎(chǔ)

LCO的晶體結(jié)構(gòu)最早在上世紀(jì)五十年代就被研究,它具有α-NaFeO2型層狀結(jié)構(gòu),空間群為R3?m、晶胞參數(shù)為a= 2.816(2) ?、c= 14.08(1) ?。根據(jù)Pauling第一規(guī)則(半徑比規(guī)則),LCO是一種亞穩(wěn)結(jié)構(gòu),其中的Li、O和Co分別占據(jù)3b、6c和3a格位并沿c-軸交替排列,形成了“CoO2層(由CoO6共棱組成) + 層間Li”的層狀結(jié)構(gòu)。根據(jù)Delmas的標(biāo)記方法,這種結(jié)構(gòu)為O3型層狀結(jié)構(gòu)。LCO的理論密度為5.05 g cm-3,但較高的熱穩(wěn)定性和較低的形成能有助于大晶粒的合成,因此LCO的振實(shí)密度可達(dá)4.2 g cm-3。這是所有正極材料中最高的,使LCO具有優(yōu)異的體積能量密度。

LCO中Co的電子構(gòu)型為Co3+3d6:t2g6eg0,其電子結(jié)構(gòu)主要由CoO2組分貢獻(xiàn),尤其是Co 3d和O 2p能級。具體來說,O2-2p主導(dǎo)了成鍵軌道,而Co3+3d則主要貢獻(xiàn)了反鍵和非鍵軌道。Co3+:eg*0和Co3+:t2g6與O2-2p的軌道雜化分別構(gòu)成了LCO的價(jià)帶和導(dǎo)帶,帶隙約為2.7 eV。Co3+3d和O2-2p之間強(qiáng)烈的相互作用,導(dǎo)致Co-O鍵長較短、LCO共價(jià)性和結(jié)構(gòu)剛性較高。對比層狀正極中常見的Co3+、Ni3+、Mn3+的電子結(jié)構(gòu),Co3+是其中最穩(wěn)定的,由此Co3+/Co4+的氧化還原電位也是其中最高的。由于Co3+的eg能帶上沒有未成對電子,CoO6八面體中的Jahn-Teller結(jié)構(gòu)畸變比Ni3+和Mn3+更弱,也不像高鎳正極中的磁性Ni3+誘導(dǎo)磁阻挫而導(dǎo)致結(jié)構(gòu)穩(wěn)定性的降低。整體來講,LCO是層狀正極中結(jié)構(gòu)最穩(wěn)定的。

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圖1:LCO基本的晶體結(jié)構(gòu)和電子結(jié)構(gòu)

要點(diǎn)二:結(jié)構(gòu)不穩(wěn)定因素

在充放電的脫嵌Li過程中,LCO會會經(jīng)歷多尺度和多維度的結(jié)構(gòu)變化,涉及體相和表面的晶體結(jié)構(gòu)與電子結(jié)構(gòu)。這些結(jié)構(gòu)變化將導(dǎo)致不穩(wěn)定因素,從而導(dǎo)致結(jié)構(gòu)破壞和電化學(xué)性能衰減。

作為儲存Li+的主體,體相結(jié)構(gòu)決定了LCO的整體結(jié)構(gòu)穩(wěn)定性和電化學(xué)行為。Li+在結(jié)構(gòu)中的遷移和脫嵌,將引發(fā)結(jié)構(gòu)應(yīng)力應(yīng)變,導(dǎo)致相變和局域結(jié)構(gòu)變化。體相結(jié)構(gòu)中的結(jié)構(gòu)不穩(wěn)定性包括結(jié)構(gòu)相變、單顆粒結(jié)構(gòu)、孿晶界面和CoO2層滑移等。當(dāng)充電至高電壓時(shí),LCO將經(jīng)歷五次相變和六種層狀結(jié)構(gòu),包括四種O3(H1、H2、M1和H3)、H1-3和O1相,其中H3以上的H3/H-3和H1-3/O1相變涉及結(jié)構(gòu)的劇烈變化和應(yīng)力積累,是目前H-LCO開發(fā)的主要難題之一。

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圖2:LCO結(jié)構(gòu)中的相變

單顆粒結(jié)構(gòu)研究表明,LCO顆粒表面附近的CoO2層平整性對結(jié)構(gòu)穩(wěn)定性起著重要作用。不平整的CoO2層將導(dǎo)致更大的應(yīng)力的和結(jié)構(gòu)破壞。此外,由于電化學(xué)的不均勻性,LCO單顆粒還會出現(xiàn)相異質(zhì)性和相變,進(jìn)一步加劇應(yīng)力應(yīng)變,顯著降低結(jié)構(gòu)穩(wěn)定性。

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圖3:cRED研究LCO單顆粒結(jié)構(gòu)

LCO顆粒中常常存在相干孿晶界和反相孿晶界兩種界面。這些孿晶界作為固有的結(jié)構(gòu)面缺陷,可以在合成和Li脫嵌過程中原位產(chǎn)生,并成為反位、裂紋和不可逆相變發(fā)生的起點(diǎn),導(dǎo)致結(jié)構(gòu)破壞及其向顆粒內(nèi)部的延申。

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圖4:LCO結(jié)構(gòu)中的孿晶

CoO2層滑移是關(guān)聯(lián)O3、H1-3和O1之間相變的一種自發(fā)的、整體的和贗連續(xù)的結(jié)構(gòu)變化,表明層與層之間存在相互聯(lián)系。層滑移還可能引發(fā)其他罕見的層排列堆積方式和局域結(jié)構(gòu)。然而,層滑移的動力學(xué)緩慢、可逆性較差,導(dǎo)致結(jié)構(gòu)穩(wěn)定性的降低。

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圖5:LCO結(jié)構(gòu)中的層滑移

作為體相結(jié)構(gòu)的末端,LCO的表面結(jié)構(gòu)是與其他電池組分如電解液、粘結(jié)劑等直接接觸的部分,它控制著Li+的進(jìn)出而對LCO的性能有重要影響。然而,由于對稱性破缺、表面懸掛鍵和外部刺激等因素,LCO的表面結(jié)構(gòu)穩(wěn)定性比體相結(jié)構(gòu)更差,在電化學(xué)過程中會發(fā)生多種密切關(guān)聯(lián)的結(jié)構(gòu)變化,如界面副反應(yīng)、相變、Co溶出和陰離子氧化還原等。

LCO表面與電解液之間的界面副反應(yīng)是不可避免且不可逆的,這些反應(yīng)會在LCO表面生成CEI膜。這種膜由多種無機(jī)、有機(jī)組分共同形成的,對載流子傳輸和阻抗有重要影響。CEI膜的組分可能是動態(tài)的,會隨電化學(xué)過程變化并與負(fù)極的SEI膜有一定關(guān)聯(lián)。界面副反應(yīng)還會導(dǎo)致LCO表面結(jié)構(gòu)相變。一般來說,LCO表面結(jié)構(gòu)變化受到電壓、溫度和循環(huán)次數(shù)等因素的影響,會從層狀結(jié)構(gòu)依次逐漸轉(zhuǎn)變?yōu)榧饩蛶r鹽相結(jié)構(gòu)。這些結(jié)構(gòu)變化會伴隨Co價(jià)態(tài)的改變,而還原產(chǎn)生的Co2+容易離開LCO表面、進(jìn)入電解液、遷移至負(fù)極上,破壞SEI膜并最終沉積于負(fù)極表面,進(jìn)一步加劇電化學(xué)性能的衰減。

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圖6:LCO的界面副反應(yīng)和表面結(jié)構(gòu)相變

當(dāng)LCO脫出一半Li后,Co 3d軌道頂中的電子幾乎被完全耗盡。這導(dǎo)致Fermi能級下移,使O 2p與寬化的Co 3d能帶重疊并加強(qiáng)雜化效應(yīng),O 2p中的電子開始向Co 3d軌道轉(zhuǎn)移并產(chǎn)生O 2p空位。這一過程導(dǎo)致LCO晶格氧的陰離子氧化還原,使得O-O距離縮短、相互作用增強(qiáng)甚至可能產(chǎn)生O2。由于外部刺激,這些結(jié)構(gòu)變化在LCO表面會更加劇烈。陰離子氧化還原造成的結(jié)構(gòu)不穩(wěn)定性是多方面,包括Co-O鍵的斷裂、高價(jià)態(tài)氧物種對對CEI膜的破壞和電解液等的氧化、誘導(dǎo)表面空位、空洞和裂紋的產(chǎn)生等。此外,陰離子氧化還原亦會在LCO體相晶格中發(fā)生,降低了整體結(jié)構(gòu)的穩(wěn)定性。

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圖7:LCO的陰離子氧化還原

要點(diǎn)三:結(jié)構(gòu)穩(wěn)定策略

面向H-LCO的結(jié)構(gòu)穩(wěn)定應(yīng)該解決兩方面的結(jié)構(gòu)問題,即體相結(jié)構(gòu)和表面結(jié)構(gòu)。對應(yīng)的穩(wěn)定策略,包括雜元素?fù)诫s和表面改性,已經(jīng)得到廣泛研究并在近幾年取得了重要進(jìn)展。這兩種結(jié)構(gòu)穩(wěn)定策略并非相互獨(dú)立而是密切關(guān)聯(lián)的。

雜元素?fù)诫s是穩(wěn)定LCO體相結(jié)構(gòu)的最有效策略之一。摻雜元素可以占據(jù)LCO晶格中的Li、Co和O格位,從而在原子尺度上調(diào)控LCO的結(jié)構(gòu),提高高電壓下的結(jié)構(gòu)穩(wěn)定性。然而,由于摻雜元素含量較低,研究清楚其在LCO結(jié)構(gòu)中的均勻性、摻雜形式和局域結(jié)構(gòu)等仍然存在一定困難。目前對摻雜元素作用的研究往往是通過對比摻雜前后的結(jié)構(gòu)和性能來間接了解的,這阻礙了對摻雜元素作用的深入理解。一般來說,雜質(zhì)元素在LCO晶格中的存在會破壞原有結(jié)構(gòu)屬性并影響結(jié)構(gòu)應(yīng)力,從而緩解了電化學(xué)過程中的結(jié)構(gòu)應(yīng)變,有助于提高結(jié)構(gòu)穩(wěn)定。

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圖8:LCO的Ni和Ti摻雜

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圖9:LCO的多元素共摻雜

表面改性針對的是穩(wěn)定LCO的表面結(jié)構(gòu)。根據(jù)改性策略對LCO表面的直接和間接貢獻(xiàn),表面改性可分為表面包覆和對其他組分的改性。表面包覆是在LCO表面構(gòu)筑異相或固溶體層作為保護(hù)表面結(jié)構(gòu)的物理屏障,并可能兼具提高載流子遷移、消除HF、緩解結(jié)構(gòu)形變和抑制Co/O溶出的作用。根據(jù)對電化學(xué)的響應(yīng),表面包覆粗略包括電化學(xué)惰性包覆(如不含Li的穩(wěn)定氧化物、氟化物、磷酸鹽等)和電化學(xué)活性包覆(如含Li正極、固態(tài)電解質(zhì)、導(dǎo)電聚合物等),且包覆材料徑過熱處理或電化學(xué)循環(huán)可以對LCO表面結(jié)構(gòu)進(jìn)行摻雜。

53109d80-7f55-11ee-939d-92fbcf53809c.png圖10:LCO的電化學(xué)惰性包覆

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圖11:LCO的電化學(xué)活性包覆

對其他組分的改性,如電解液、添加劑、粘結(jié)劑和隔膜等,通常是通過在LCO表面原位構(gòu)建保護(hù)層實(shí)現(xiàn)的,這為穩(wěn)定LCO表面結(jié)構(gòu)提供了更多的思路。例如,對電解液的改性,往往是添加特定組分,它可以在低電壓下在LCO表面原位聚合形成包覆層,從而抑制界面副反應(yīng)和Co溶出等。

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圖12:LCO的粘結(jié)劑改性

要點(diǎn)四:總結(jié)和展望

實(shí)現(xiàn)更高容量和能量密度的H-LCO的關(guān)鍵前提是對其LCO結(jié)構(gòu)進(jìn)行深入探究。本綜述聚焦于LCO的結(jié)構(gòu)研究,涉及多尺度的晶體和電子結(jié)構(gòu)以及多種體相和表面結(jié)構(gòu)的不穩(wěn)定性因素。LCO在高電壓下的結(jié)構(gòu)不穩(wěn)定性主要是兩方面:體相H1-3和O1相變的可逆性差以及表面結(jié)構(gòu)的急劇變化。為了穩(wěn)定LCO的結(jié)構(gòu),各種具有特定作用和機(jī)制的策略也從結(jié)構(gòu)角度進(jìn)行了闡述。盡管LCO的結(jié)構(gòu)研究已經(jīng)取得了重要進(jìn)展,但仍有一些尚未完全研究清楚的結(jié)構(gòu)問題。為了解決這些問題并對LCO的高電壓穩(wěn)定有更深入的認(rèn)識,仍然需要繼續(xù)LCO的結(jié)構(gòu)研究。這包括結(jié)合更加先進(jìn)的結(jié)構(gòu)表征技術(shù)以探測體相和表面的晶體結(jié)構(gòu)與電子結(jié)構(gòu)、利用理論計(jì)算來預(yù)測和驗(yàn)證穩(wěn)定的結(jié)構(gòu)及其改性策略、可控合成具有特定結(jié)構(gòu)特征的H-LCO、以及整合各種改性策略進(jìn)行更全面的結(jié)構(gòu)穩(wěn)定性研究等??傊?,扎實(shí)而充分的結(jié)構(gòu)理解是LCO研究和應(yīng)用的關(guān)鍵基礎(chǔ),仍然值得進(jìn)一步研究。







審核編輯:劉清

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原文標(biāo)題:潘鋒教授/陳國華院士AM:鈷酸鋰高壓穩(wěn)定的結(jié)構(gòu)解析

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    3月25日,由光庫科技與 HyperLight 聯(lián)合主辦的“薄膜鈮技術(shù)與應(yīng)用”論壇在美國圣地亞哥會展中心舉行。
    的頭像 發(fā)表于 03-26 18:25 ?913次閱讀
    光庫科技攜手HyperLight聯(lián)合主辦“薄膜鈮<b class='flag-5'>酸</b><b class='flag-5'>鋰</b>技術(shù)與應(yīng)用”論壇

    全球首片8寸硅光薄膜鈮光電晶圓下線

    由于出色的性能,薄膜鈮在諸如濾波器、光通訊、量子通信以及航空航天等多個(gè)領(lǐng)域都發(fā)揮了關(guān)鍵角色。然而,大尺寸鈮晶體圓片制備過程中的難題,以及其微納加工技術(shù)一直是業(yè)界面臨的挑戰(zhàn)。
    的頭像 發(fā)表于 03-04 11:37 ?856次閱讀

    芯片與精密劃片機(jī):科技突破引領(lǐng)半導(dǎo)體制造新潮流

    在當(dāng)今快速發(fā)展的半導(dǎo)體行業(yè)中,一種結(jié)合了鈮芯片與精密劃片機(jī)的創(chuàng)新技術(shù)正在嶄露頭角。這種技術(shù)不僅引領(lǐng)著半導(dǎo)體制造領(lǐng)域的進(jìn)步,更為其他產(chǎn)業(yè)帶來了前所未有的變革。鈮芯片是一種新型的微
    的頭像 發(fā)表于 02-18 15:39 ?732次閱讀
    鈮<b class='flag-5'>酸</b><b class='flag-5'>鋰</b>芯片與精密劃片機(jī):科技突破引領(lǐng)半導(dǎo)體制造新潮流

    湖南華慧新能源撤回創(chuàng)業(yè)板上市申請,轉(zhuǎn)至北交所上市

    再回到華慧能源本身,它以科技創(chuàng)新為本,致力于研發(fā)、設(shè)計(jì)、制造以及銷售電容式鋰離子電池。其產(chǎn)品種類繁多,涵蓋HTC鈦、HFC磷酸鐵、HMC錳
    的頭像 發(fā)表于 02-18 10:18 ?812次閱讀
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